一种相位差膜的制造方法以及一种相位差膜与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种相位差膜的制造方法以及一种相位差膜。


背景技术：

2.随着有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)技术的迅速发展，越来越多的电子设备开始采用oled显示面板。在oled显示面板内部，为解决由于oled显示面板内部的金属对自然光的反射导致的对比度的问题，oled显示器可以使用相位延迟装置(如圆偏光片)来控制这种反射。
3.相位延迟装置中包含相位差膜，但相位差膜本身较为脆弱，因此，在相关技术中，通常通过在相位差膜下堆叠其他膜层实现对相位差膜的特性提升。
4.然而，在相关技术中，通常是分别制作相位差膜以及其他膜层，然后通过粘连工艺利用胶psa胶(pressure sensitive adhesive，压敏胶)将各个膜层堆叠粘连在一起，然而粘连工艺具有损坏膜层的风险，使得相位膜层受损概率较高。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供了一种相位差膜的制造方法以及一种相位差膜，可以减少在相位差膜制作过程中粘连工艺的操作步骤，提高制备效率，降低膜层受损的概率，提高产品良率；同时减小相位差膜厚度，提高相位差膜的柔韧性，所述技术方案如下：
6.一方面，提供了一种相位差膜的制造方法，所述方法包括：
7.对基底进行预处理；所述基底为显示材料；
8.在预处理后的所述基底上制作硬质涂层hard coating层；
9.在所述hard coating层上依次堆叠制作光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层，以获得所述相位差膜。
10.另一方面，提供了一种相位差膜，所述相位差膜包括硬质涂层hard coating层，光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层；
11.所述hard coating层通过在热固化过程中下移的胶黏部分与基底粘连，所述基底为显示材料；
12.所述pam层位于所述hard coating层与所述rm层之间，并通过热固化过程中下移的胶黏部分与所述hard coating层粘连；
13.所述rm层位于所述pam层的上层，与所述pam层相连。
14.另一方面，提供了一种相位差膜的制造装置，所述装置包括：
15.预处理模块，用于对基底进行预处理；所述基底为显示材料；
16.第一制作模块，用于在预处理后的所述基底上制作硬质涂层hard coating层；
17.第二制作模块，用于在所述硬质涂层上依次堆叠制作光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层，以获得所述相位差膜。
18.在一种可能的实现方式中，所述预处理模块，用于，
19.在所述基底上进行薄膜封装，获得封装膜层；
20.对所述封装膜层进行表面处理，获得预处理后的所述基底。
21.在一种可能的实现方式中，所述表面处理包括等离子体表面处理以及uvc光处理中的至少一种。
22.在一种可能的实现方式中，所述第一制作模块，用于，
23.在预处理后的所述基底上进行hard coating溶液涂覆，获得hard coating湿膜；
24.对所述hard coating湿膜进行热固化处理，获得初始hard coating层；
25.对所述初始hard coating层进行uv曝光固化处理，以完成对所述hard coating层的制作。
26.在一种可能的实现方式中，所述第二制作模块，用于，
27.在所述硬质涂层上进行pam溶液涂覆，获得pam湿膜；
28.对所述pam湿膜进行热固化处理，获得初始pam层；
29.对所述初始pam层进行uv曝光取向处理，获得所述pam层；
30.在所述pam层上进行rm溶液涂覆，获得rm湿膜；
31.对所述rm湿膜进行热固化处理，获得初始rm层；
32.对所述初始rm层进行uv固化聚合处理，获得所述rm层。
33.在一种可能的实现方式中，对所述初始hard coating层进行uv曝光固化处理的uv光波长为300～380nm；
34.对所述初始hard coating层进行曝光固化处理的曝光能量为1～1000mj/cm2。
35.在一种可能的实现方式中，对所述初始pam层进行uv曝光取向处理的uv光为线偏振态uv光，波长为300～380nm；
36.对所述初始pam层进行曝光取向处理的曝光能量为1～500mj/cm2。
37.在一种可能的实现方式中，对所述初始rm层进行uv固化聚合处理的uv光波长为300～380nm；
38.对所述初始rm层进行固化聚合处理的固化能量为100～5000mj/cm2。
39.另一方面，提供了一种计算机设备，所述计算机设备包含处理器和存储器，所述存储器存储有至少一条计算机程序，所述至少一条计算机程序由所述处理器加载并执行以实现上述的相位差膜的制造方法。
40.另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现上述的相位差膜的制造方法。
41.另一方面，提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现上述各种可选实现方式中提供的相位差膜的制造方法。
42.本技术提供的技术方案可以包括以下有益效果：
43.本技术实施例提供的相位差膜的制造方法，在相位差膜的制作过程中，直接以显示材料为基底进行相位差膜的制作，该相位差膜包含hard coating层，pam层以及rm层，也就是说，该hard coating层是相位差膜中的一部分，相较于现有技术中hard coating层与
其他膜层相互独立制作，且需要通过psa粘连堆叠的方案，本技术提供的方法通过将hard coating层融入到相位差膜的制作过程中，可以减少粘连工艺的操作步骤，提高了制备效率，降低了膜层受损的概率，提高了产品良率；同时减小了相位差膜厚度，提高了相位差膜的柔韧性。
附图说明
44.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并于说明书一起用于解释本技术的原理。
45.图1示出了相关技术中的薄膜结构的示意图；
46.图2示出了本技术一示例性实施例提供的相位差膜的制造方法的流程图；
47.图3示出了本技术一示例性实施例提供的相位差膜的制造方法的流程图；
48.图4示出了示出了本技术一示例性实施例示出的相位差膜的结构示意图；
49.图5示出了本技术一示例性实施例提供的相位差膜的制造装置的方框图。
具体实施方式
50.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
51.应当理解的是，在本文中提及的“若干个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
52.随着有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)技术的迅速发展，越来越多电子设备开始采用oled显示面板。在oled显示面板内部，为解决由于oled显示面板内部的金属对自然光的反射导致的对比度的问题，oled显示器可以使用相位延迟装置(如圆偏光片)来控制这种反射。
53.圆偏光片可以由线性偏振片和两个叠加波片组成，两个叠加的波片可以分别为一个二分之一波片和一个四分之一波片，由于圆偏光片需具备宽波段的表现，所以，四分之一波片与线性偏振片的快轴夹角，与二分之一波片与线性偏振片的快轴夹角不同。
54.所以，在制备圆偏光片时，需要分别对二分之一波片和四分之一波片基于不同的配向角度进行一次配向(即需要进行至少2次配向)，由于配向工艺的复杂度高，所以多次配向会导致相位延迟装置的制备效率低，装置良性率差。
55.上述的二分之一波片和四分之一波片即为相位差膜，由于相位差膜本身较为脆弱，为提升其本身的耐湿性，耐刮性，耐污性等特殊材质，需要在其下面堆叠其他膜层来实现。目前现有工艺是分别制作相位差膜，和hard coating(硬质涂层)膜，然后通过粘连工艺利用psa胶将各个膜层堆叠起来；图1示出了相关技术中的薄膜结构的示意图，如图1所示，在相关技术中，oled层，由tac膜(三醋酸纤维素膜)和hard coating膜组成的膜层，pm和pam组成的膜层(即相关技术中的相位差膜层)是分别制作且相互独立的，通过psa胶将由tac膜
和hard coating膜组成的膜层，以及，由pm和pam组成的膜层堆叠到oled上，所以在堆叠过程中，每一个功能层都需要粘合层相连，这些层的增加不仅会导致整体膜结构的厚度的增加，进而使得整体膜结构的柔韧性变差，同时，也会影响到相位差膜的光学作用。同时，在该过程中涉及额外的粘连工艺，从而影响到制备效率，同时还会使得膜层受损概率增加，造成产品良率降低。
56.基于相关技术中存在的问题，本技术提供了一种相位差膜的制造方法，可以减少相位差膜制造过程中的膜层堆叠，降低膜结构的整体厚度，提高膜结构的柔韧性，同时降低膜层受损概率，提高产品良率。图2示出了本技术一示例性实施例提供的相位差膜的制造方法的流程图，该方法可以由计算机设备执行，该计算机设备可以实现为具有相位差膜制造功能的机器人或者是相位差膜生产线上的机械臂等设备，如图2所示，该相位差膜的制造方法可以包括以下步骤：
57.步骤210，对基底进行预处理；该基底为显示材料。
58.在本技术实施例中，该显示材料可以实现为oled材料、led材料等具有显示功能的材料。
59.步骤220，在预处理后的基底上制作硬质涂层hard coating层。
60.该hard coating层是以显示材料为基底，在其上面制作的膜层；该hard coating层可以提高相位差膜的耐蚀性、耐污性以及防刮性。
61.步骤230，在硬质涂层上依次堆叠制作光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层，以获得相位差膜。
62.在hard coating层上方制作pam(photo alignment material，光学配向材料)层，再在pam层上制作rm(reactive mesogen，反应性液晶)层；其中，ram层用于为rm层提供配向力；rm层作用为相位延迟。
63.综上所述，本技术实施例提供的相位差膜的制造方法，在相位差膜的制作过程中，直接以显示材料为基底进行相位差膜的制作，该相位差膜包含hard coating层，pam层以及rm层，也就是说，该hard coating层是相位差膜中的一部分，相较于现有技术中hard coating层与其他膜层相互独立制作，且需要通过psa粘连堆叠的方案，本技术提供的方法通过将hard coating层融入到相位差膜的制作过程中，可以减少粘连工艺的操作步骤，提高了制备效率，降低了膜层受损的概率，提高了产品良率；同时减小了相位差膜厚度，提高了相位差膜的柔韧性。
64.图3示出了本技术一示例性实施例提供的相位差膜的制造方法的流程图，该方法可以由计算机设备执行，该计算机设备可以实现为具有相位差膜制造功能的机器人或者是相位差膜生产线上的机械臂等设备，如图3所示，该相位差膜的制造方法可以包括以下步骤：
65.步骤310，在基底上进行薄膜封装，获得封装膜层。
66.该封装膜层也可以称为tfe(thin-film encapsulation，薄膜封装)封装膜层。
67.该基底为显示材料；该显示材料可以实现为oled材料、led材料等具有显示功能的材料。
68.步骤320，对封装膜层进行表面处理，获得预处理后的基底。
69.可选的，该表面处理包括等离子体表面处理(plasma)以及uvc光处理中的至少一
种。
70.可选的，对封装膜层进行表面处理后获得的封装膜层的表面接触角可以小于50
°
。
71.步骤330，在预处理后的基底上制作硬质涂层hard coating层。
72.制作hard coating层的过程可以实现为：
73.在预处理后的基底上进行hard coating溶液涂覆，获得hard coating湿膜；
74.对hard coating湿膜进行热固化处理，获得初始hard coating层；
75.对初始hard coating层进行uv曝光固化处理，以完成对hard coating层的制作。
76.hard coating层中可以包含胶粘部分以及hard coating部分；在对hard coating湿膜进行热固化处理的过程中，内部成分会进行分离，其中，胶粘部分会下移至底部，用于将hard coating层与基底，即基底的封装膜层粘在一起；hard coating部分会上移，用于实现hard coating层本身的特性，即提高位相差膜的耐蚀性、耐污性、防刮性。
77.可选的，对初始hard coating层进行uv曝光固化处理的uv光波长为300～380nm。初始hard coating层在uv紫外光下进行光固化反应，从而形成hard coating层
78.对初始hard coating层进行曝光固化处理的曝光能量为1～1000mj/cm2。
79.步骤340，在硬质涂层上依次堆叠制作光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层，以获得相位差膜。
80.其中，制作pam层的过程可以实现为：
81.在硬质涂层上进行pam溶液涂覆，获得pam湿膜；
82.对pam湿膜进行热固化处理，获得初始pam层；
83.对初始pam层进行uv曝光取向处理，获得pam层。
84.pam层中可以包含胶粘部分以及配向部分；在对pam湿膜进行热固化处理的过程中，内部成分会进行分离，其中，胶粘部分会下移至底部，用于将pam层与hard coating层粘在一起，配向部分上移用于实现pam层本身的特性，即给rm层提供配向力。
85.可选的，对初始pam层进行uv曝光取向处理的uv光为线偏振态uv光，波长为300～380nm；初始pam层在线偏振态uv紫外光下进行光配向反应。
86.对初始pam层进行曝光取向处理的曝光能量为1～500mj/cm2。
87.制作rm层的过程可以实现为：
88.在pam层上进行rm溶液涂覆，获得rm湿膜；
89.对rm湿膜进行热固化处理，获得初始rm层；
90.对初始rm层进行uv固化聚合处理，获得rm层。
91.可选的，在目标纯度的氮气环境下对初始rm层进行uv固化聚合处理；其中，目标纯度的数值高于纯度阈值，以使得氮气环境中的氮气纯度为高纯度。
92.可选的，对初始rm层进行uv固化聚合处理的uv光波长为300～380nm；初始rm层在uv紫外光下进行聚合固化反应。
93.对初始rm层进行固化聚合处理的固化能量为100～5000mj/cm2。
94.可选的，对hard coating溶液、pam溶液和rm溶液的涂覆方式可以包括线棒涂布(bar coating)，狭缝涂布(slot die coating)，旋涂(spin coating)和凹版涂布(gravure coating)中的任意一种。其中，对hard coating溶液、pam溶液和rm溶液的各自采用涂覆方式可以相同也可以不同。
95.可选的，在对hard coating湿膜、pam湿膜和rm湿膜进行热固化处理时，可以使用恒温干燥箱或者加热板进行加热干燥。
96.可选的，对hard coating湿膜、pam湿膜和rm湿膜进行热固化处理时的干燥温度为30℃～300℃。
97.由于在hard coating层制作过程中以及pam层的制作过程中可以基于材料本身在热固化时内部成分的变化，实现hard coating层与基底，hard coating层与pam层之间的粘连，因此，无需不同功能膜之间的粘连工艺的步骤，避免了粘连工艺所带来的膜层损坏的风险和随着层数的增加，整个相位差膜损坏概率增加的问题。
98.可选的，pam材料溶液和rm材料溶液的固含量为2％～50％，保证在达到设计固化后的膜层厚度的前提下，涂覆获得的湿膜厚度可以大于5μm，以实现较好的涂覆均一性。
99.基于本技术实施例提供的相位差膜的制造方法制造的相位差膜的的厚度仅10nm～50um，由于在相位差膜制作时，是直接在基底的tfe封装膜层上形成的，因此，无需通过粘连工艺进行膜层粘接，简化工艺流程；以显示材料为oled为例，该相位差膜可以改善柔性oled的弯折性能，同时可以优化膜层的耐腐蚀性，耐污性以及耐蚀性。
100.综上所述，本技术实施例提供的相位差膜的制造方法，在相位差膜的制作过程中，直接以显示材料为基底进行相位差膜的制作，该相位差膜包含hard coating层，pam层以及rm层，也就是说，该hard coating层是相位差膜中的一部分，相较于现有技术中hard coating层与其他膜层相互独立制作，且需要通过psa粘连堆叠的方案，本技术提供的方法通过将hard coating层融入到相位差膜的制作过程中，可以减少粘连工艺的操作步骤，提高了制备效率，降低了膜层受损的概率，提高了产品良率；同时减小了相位差膜厚度，提高了相位差膜的柔韧性。
101.基于图2和图3实施例所提供的相位差膜的制造方法，本技术还提供了一种相位差膜，图4示出了示出了本技术一示例性实施例示出的相位差膜的结构示意图，如图4所示，该相位差膜400包括硬质涂层hard coating层410，光学配向材料pam层420以及反应性液晶rm层430；
102.其中，hard coating层410通过在热固化过程中下移的胶黏部分与基底粘连，该基底为显示材料；
103.pam层420位于hard coating层410与rm层430之间，并通过热固化过程中下移的胶黏部分与hard coating层粘连；
104.rm层430位于pam层420的上层，与pam层420相连。
105.由图4可知，该显示材料可以实现为oled材料，或者，基于实际需求的不同，该显示材料也可以实现为其他具有显示功能的材料，比如led材料，等等。
106.在本技术实施例中，该hard coating层用于提高位相差膜的耐蚀性、耐污性、防刮性；该pam层用于为rm层提供配向力；该rm层用于实现相位延迟。
107.在本技术实施例中，基于图2或图3制作的相位差膜的硬度可以达到1h～3h，表面水滴角可以大于等于100
°
。
108.相较于图1所示的膜结构，本技术实施例提供的相位膜层中不包含站何曾以及tac等塑料叠层，可以极大限度地优化膜层结构和膜层厚度；且由于该过程中无需进行通过粘连工艺进行膜层粘连，而是直接在基底上进行膜层涂布形成相位差膜，因此，可以极大限度
的保证膜层间的一体性；由于相位差膜的光学叠层(包括pam层以及rm层)内添加了hard coating层，因此可以极大提高整体光学膜层的耐蚀性，耐污性以及耐刮性。
109.综上所述，本技术实施例提供的相位差膜，通过在光学膜层中增加hard coating层，在提高了整体光学膜层的耐蚀性，耐污性以及耐刮性的同时，保证了膜层结构的一体性；同时由于该相位差膜是直接在基底上制作的，无需进行后续的粘连过程，因此减少了整体膜结构的膜层厚度，提高了整体膜结构的柔韧性，同时减少了工艺流程，从而降低了该工艺流程对膜层损坏的风险，提高了产品良率。
110.图5示出了本技术一示例性实施例提供的相位差膜的制造装置的方框图，该相位差膜的制造装置可以实现为计算机设备中的虚拟装置，该计算机设备可以实现为具有相位差膜制造功能的机器人或者是相位差膜生产线上的机械臂等设备；如图5所示，该相位差膜的制造装置包括：
111.预处理模块510，用于对基底进行预处理；所述基底为显示材料；
112.第一制作模块520，用于在预处理后的所述基底上制作硬质涂层hard coating层；
113.第二制作模块530，用于在所述硬质涂层上依次堆叠制作光学配向材料pam层以及反应性液晶rm层，以获得所述相位差膜。
114.在一种可能的实现方式中，所述预处理模块510，用于，
115.在所述基底上进行薄膜封装，获得封装膜层；
116.对所述封装膜层进行表面处理，获得预处理后的所述基底。
117.在一种可能的实现方式中，所述表面处理包括等离子体表面处理以及uvc光处理中的至少一种。
118.在一种可能的实现方式中，所述第一制作模块520，用于，
119.在预处理后的所述基底上进行hard coating溶液涂覆，获得hard coating湿膜；
120.对所述hard coating湿膜进行热固化处理，获得初始hard coating层；
121.对所述初始hard coating层进行uv曝光固化处理，以完成对所述hard coating层的制作。
122.在一种可能的实现方式中，所述第二制作模块530，用于，
123.在所述硬质涂层上进行pam溶液涂覆，获得pam湿膜；
124.对所述pam湿膜进行热固化处理，获得初始pam层；
125.对所述初始pam层进行uv曝光取向处理，获得所述pam层；
126.在所述pam层上进行rm溶液涂覆，获得rm湿膜；
127.对所述rm湿膜进行热固化处理，获得初始rm层；
128.对所述初始rm层进行uv固化聚合处理，获得所述rm层。
129.在一种可能的实现方式中，对所述初始hard coating层进行uv曝光固化处理的uv光波长为300～380nm；
130.对所述初始hard coating层进行曝光固化处理的曝光能量为1～1000mj/cm2。
131.在一种可能的实现方式中，对所述初始pam层进行uv曝光取向处理的uv光为线偏振态uv光，波长为300～380nm；
132.对所述初始pam层进行曝光取向处理的曝光能量为1～500mj/cm2。
133.在一种可能的实现方式中，对所述初始rm层进行uv固化聚合处理的uv光波长为
300～380nm；
134.对所述初始rm层进行固化聚合处理的固化能量为100～5000mj/cm2。
135.综上所述，本技术实施例提供的相位差膜的制造装置，在相位差膜的制作过程中，直接以显示材料为基底进行相位差膜的制作，该相位差膜包含hard coating层，pam层以及rm层，也就是说，该hard coating层是相位差膜中的一部分，相较于现有技术中hard coating层与其他膜层相互独立制作，且需要通过psa粘连堆叠的方案，本技术提供的方法通过将hard coating层融入到相位差膜的制作过程中，可以减少粘连工艺的操作步骤，提高了制备效率，降低了膜层受损的概率，提高了产品良率；同时减小了相位差膜厚度，提高了相位差膜的柔韧性。
136.可选的，本技术实施例提供了一种计算机设备，所述计算机设备包含处理器和存储器，所述存储器存储有至少一条计算机程序，所述至少一条计算机程序由所述处理器加载并执行以实现上述的相位差膜的制造方法。
137.该计算机设备可以实现为上述实施例中的具有相位差膜制造功能的机器人或者是相位差膜生产线上的机械臂等设备。
138.另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现上述的相位差膜的制造方法。例如，该计算机可读存储介质可以是只读存储器(read-only memory，rom)、随机存取存储器(random access memory，ram)、只读光盘(compact disc read-only memory，cd-rom)、磁带、软盘和光数据存储设备等。
139.该计算机可读存储介质可以实现为上述实施例中的具有相位差膜制造功能的机器人或者是相位差膜生产线上的机械臂等设备的存储介质，以使得计算机设备可以同时执行该计算机可读存储介质实现上述相位差膜的制造方法的全部或部分步骤。
140.另一方面，提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现上述各种可选实现方式中提供的相位差膜的制造方法。
141.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本技术的其它方案。本技术旨在涵盖本技术的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本技术的真正范围和精神由权利要求指出。
142.应当理解的是，本技术并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本技术的范围仅由所附的权利要求来限制。