弹性波装置的制作方法

1.本发明涉及弹性波装置。


背景技术：

2.以往，弹性波装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1公开了弹性波装置的一个例子。在该弹性波装置中，在压电基板上设置有idt(interdigital transducer，叉指换能器)电极。进而，在压电基板上设置有氧化硅膜，使得覆盖idt电极。在氧化硅膜上设置有质量附加膜，使得在俯视下与idt电极的多个电极指的前端部重叠。
3.在先技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2019-068309号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.在专利文献1中，使活塞模式成立，能够抑制由横模造成的杂散。然而，难以连高阶模也抑制。
8.本发明的目的在于，提供一种能够抑制横模以及高阶模的弹性波装置。
9.用于解决问题的技术方案
10.本发明涉及的弹性波装置具备：压电性基板；idt电极，设置在所述压电性基板上，并具有多个电极指；和第1反射器以及第2反射器，是设置在所述压电性基板上的所述idt电极的弹性波传播方向两侧的一对反射器，所述idt电极的相邻的所述电极指在弹性波传播方向上彼此重叠的部分为交叉区域，所述交叉区域具有：中央区域，位于所述多个电极指延伸的方向上的中央侧；和一对边缘区域，配置在所述多个电极指延伸的方向上的所述中央区域的两侧，包含所述一对边缘区域且与所述一对边缘区域在弹性波传播方向上重叠的区域为一对扩展边缘区域，在所述一对扩展边缘区域中设置有一对声速调整部，所述一对声速调整部中的声速比所述中央区域中的声速低，所述一对声速调整部中的一个声速调整部具有位于所述第1反射器侧的第1端部和位于所述第2反射器侧的第2端部，所述一对声速调整部中的另一个声速调整部具有位于所述第1反射器侧的第3端部和位于所述第2反射器侧的第4端部，所述第1端部、所述第2端部、所述第3端部以及所述第4端部在弹性波传播方向上位于所述一对边缘区域的外侧，所述第1端部以及所述第3端部和所述第2端部以及所述第4端部这两组端部中的至少一组在所述多个电极指延伸的方向上不重叠。
11.发明效果
12.根据本发明涉及的弹性波装置，能够抑制横模以及高阶模。
附图说明
13.图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
14.图2是示出本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的、通过第1扩展边缘区域的剖面的剖视图。
15.图3是沿着图1中的i-i线的剖视图。
16.图4是示出本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的、通过第2扩展边缘区域的剖面的剖视图。
17.图5是示出本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的、通过中央区域的剖面的剖视图。
18.图6是本发明的第1实施方式的第1变形例涉及的弹性波装置的俯视图。
19.图7是本发明的第1实施方式的第2变形例涉及的弹性波装置的俯视图。
20.图8是本发明的第1实施方式的第3变形例涉及的弹性波装置的俯视图。
21.图9是本发明的第1实施方式的第4变形例涉及的弹性波装置的俯视图。
22.图10是本发明的第1实施方式的第5变形例涉及的弹性波装置的俯视图。
23.图11是本发明的第1实施方式的第6变形例涉及的弹性波装置的俯视图。
24.图12是示出本发明的第1实施方式的第7变形例涉及的弹性波装置的、通过第1扩展边缘区域的剖面的剖视图。
25.图13是示出本发明的第1实施方式的第8变形例涉及的弹性波装置的、通过第1扩展边缘区域的剖面的剖视图。
26.图14是示出本发明的第1实施方式的第9变形例涉及的弹性波装置的、通过第1扩展边缘区域的剖面的剖视图。
27.图15是示出本发明的第1实施方式的第10变形例涉及的弹性波装置的、通过第1扩展边缘区域的剖面的剖视图。
28.图16是示出本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的、通过第1扩展边缘区域的剖面的剖视图。
29.图17是本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
具体实施方式
30.以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。
31.另外，需要指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
32.图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
33.在弹性波装置1中，通过使活塞模式成立，从而抑制了横模。弹性波装置1具有压电性基板2。在压电性基板2上设置有idt电极7。idt电极7具有多个电极指。在idt电极7中，配置有中央区域c、第1边缘区域e1以及第2边缘区域e2。第1边缘区域e1以及第2边缘区域e2包含多个电极指的前端。进而，在弹性波装置1中，第1边缘区域e1以及第2边缘区域e2扩展至idt电极7的外侧。这些区域为第1扩展边缘区域ex1以及第2扩展边缘区域ex2。在第1扩展边缘区域ex1以及第2扩展边缘区域ex2中，设置有第1声速调整部l以及第2声速调整部m。由此，使活塞模式成立。
34.第1声速调整部l具有第1端部la以及第2端部lb。第2声速调整部m具有第3端部ma以及第4端部mb。在此，本实施方式的特征在于，弹性波装置1具有以下的结构。1)在第1扩展
边缘区域ex1中设置有第1声速调整部l，在第2扩展边缘区域ex2中设置有第2声速调整部m。2)第1端部la以及第3端部ma和第2端部lb以及第4端部mb这两组端部中的至少一组在多个电极指延伸的方向上不重叠。由此，不仅能够抑制横模，还能够抑制高阶模。以下，与本实施方式的结构的细节一起对上述效果的细节进行说明。
35.图2是示出第1实施方式涉及的弹性波装置的、通过第1扩展边缘区域的剖面的剖视图。
36.如图2所示，压电性基板2具有支承基板3、作为高声速材料层的高声速膜4、低声速膜5和压电体层6。更具体地，在支承基板3上设置有高声速膜4。在高声速膜4上设置有低声速膜5。在低声速膜5上设置有压电体层6。
37.在压电性基板2的压电体层6上设置有上述idt电极7。通过对idt电极7施加交流电压，从而激励弹性波。如图2所示，在压电性基板2上的、idt电极7的弹性波传播方向两侧，设置有一对反射器。更具体地，一对反射器为第1反射器8以及第2反射器9。像这样，本实施方式的弹性波装置1为声表面波谐振器。不过，本发明涉及的弹性波装置并不限定于弹性波谐振器，也可以是具有弹性波谐振器的滤波器装置、多工器。
38.如图1所示，idt电极7具有第1汇流条14、第2汇流条15、多个第1电极指16以及多个第2电极指17。第1汇流条14和第2汇流条15彼此对置。多个第1电极指16的一端分别与第1汇流条14连接。多个第2电极指17的一端分别与第2汇流条15连接。多个第1电极指16和多个第2电极指17相互彼此交错对插。另外，在本说明书中，将弹性波传播方向设为x方向。将第1电极指16以及第2电极指17延伸的方向设为y方向。在本实施方式中，x方向和y方向正交。
39.第1反射器8具有多个电极指18。第2反射器9具有多个电极指19。在本说明书中，有时将idt电极7的第1电极指16、第2电极指17、第1反射器8的电极指18以及第2反射器9的电极指19统一记载为电极指。idt电极7、第1反射器8以及第2反射器9包含适当的金属。idt电极7、第1反射器8以及第2反射器9也可以包含层叠金属膜，还可以包含单层的金属膜。
40.作为图2所示的压电体层6的材料，例如，能够使用钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝、石英、或者pzt(锆钛酸铅)等。
41.低声速膜5为相对低声速的膜。更具体地，在低声速膜5传播的体波(bulk wave)的声速比在压电体层6传播的体波的声速低。作为低声速膜5的材料，例如，能够使用玻璃、氧化硅、氮氧化硅、氧化锂、五氧化钽、或者氧化硅中添加了氟、碳、硼的化合物作为主成分的材料。
42.在本实施方式中，高声速材料层为高声速膜4。高声速材料层为相对高声速的层。更具体地，在高声速材料层传播的体波的声速比在压电体层6传播的弹性波的声速高。作为高声速膜4的材料，例如，能够使用硅、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、dlc(类金刚石碳)膜或者金刚石等、以上述材料为主成分的介质。
43.作为支承基板3的材料，例如，也能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、蓝宝石、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、玻璃等电介质、硅、氮化镓等半导体或者树脂等。
44.在本实施方式中，压电性基板2具有依次层叠了作为高声速材料层的高声速膜4、低声速膜5以及压电体层6的结构。由此，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层6侧。
45.另外，也可以在压电性基板2上设置有保护膜，使得覆盖idt电极7、第1反射器8以及第2反射器9。在该情况下，idt电极7、第1反射器8以及第2反射器9不易破损。对于保护膜，例如，能够使用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等电介质。
46.图3是沿着图1中的i-i线的剖视图。图4是示出第1实施方式涉及的弹性波装置的、通过第2扩展边缘区域的剖面的剖视图。图5是示出第1实施方式涉及的弹性波装置的、通过中央区域的剖面的剖视图。
47.如图1以及图3所示，在idt电极7中，第1电极指16和第2电极指17在x方向上彼此重叠的部分为交叉区域a。交叉区域a具有中央区域c以及一对边缘区域。更具体地，一对边缘区域为上述第1边缘区域e1以及上述第2边缘区域e2。中央区域c在交叉区域a中位于y方向上的中央侧。第1边缘区域e1以及第2边缘区域e2配置在中央区域c的y方向两侧。更具体地，第1边缘区域e1配置在中央区域c的第1汇流条14侧。第2边缘区域e2配置在中央区域c的第2汇流条15侧。
48.idt电极7具有第1间隔区域g1以及第2间隔区域g2。第1间隔区域g1位于第1边缘区域e1与第1汇流条14之间。第2间隔区域g2位于第2边缘区域e2与第2汇流条15之间。在第1间隔区域g1中，仅设置有第1电极指16以及第2电极指17中的第1电极指16。由此，第1间隔区域g1中的声速比中央区域c中的声速高。同样地，在第2间隔区域g2中，仅设置有第1电极指16以及第2电极指17中的第2电极指17。由此，第2间隔区域g2中的声速比中央区域c中的声速高。将中央区域c中的声速设为vc，将第1间隔区域g1以及第2间隔区域g2中的声速设为vg，此时，vc＜vg。像这样，在第1间隔区域g1以及第2间隔区域g2中，构成了高声速区域。
49.在此，包含一对边缘区域且与一对边缘区域在弹性波传播方向上重叠的区域为一对扩展边缘区域。更具体地，如图2所示，包含第1边缘区域e1且与第1边缘区域e1在x方向上重叠的区域为上述第1扩展边缘区域ex1。如图4所示，包含第2边缘区域e2且与第2边缘区域e2在x方向上重叠的区域为上述第2扩展边缘区域ex2。另一方面，如图5所示，包含中央区域c且与中央区域c在x方向上重叠的区域为扩展中央区域cx。
50.返回到图1，在一对扩展边缘区域设置有一对声速调整部。更具体地，在第1扩展边缘区域ex1中设置有上述第1声速调整部l。在第2扩展边缘区域ex2中设置有上述第2声速调整部m。
51.第1声速调整部l到达第1反射器8以及第2反射器9的x方向上的外侧。第1声速调整部l中的声速比中央区域c中的声速低。在本实施方式中，通过设置质量附加膜12而构成了第1声速调整部l。质量附加膜12具有带状的形状。一个质量附加膜12设置在idt电极7、第1反射器8以及第2反射器9的全部的电极指上。进而，质量附加膜12还设置在压电性基板2上的多个电极指间的部分、idt电极7与第1反射器8之间的部分、以及idt电极7与第2反射器9之间的部分。第1声速调整部l延伸的方向和x方向平行。
52.第2声速调整部m到达第1反射器8以及第2反射器9的x方向上的外侧。第2声速调整部m中的声速比中央区域c中的声速低。在本实施方式中，通过设置质量附加膜13而构成了第2声速调整部m。质量附加膜13具有带状的形状。一个质量附加膜13设置在idt电极7、第1反射器8以及第2反射器9的全部的电极指上。进而，质量附加膜13还设置在压电性基板2上的多个电极指间的部分、idt电极7与第1反射器8之间的部分、以及idt电极7与第2反射器9之间的部分。第2声速调整部m延伸的方向和x方向平行。对于质量附加膜12以及质量附加膜
13，能够使用适当的电介质等。
53.第1声速调整部l具有第1端部la以及第2端部lb。第1端部la位于第1反射器8侧。第2端部lb位于第2反射器9侧。第2声速调整部m具有第3端部ma以及第4端部mb。第3端部ma位于第1反射器8侧。第4端部mb位于第2反射器9侧。在本实施方式中，第1端部la、第2端部lb、第3端部ma以及第4端部mb在x方向上位于比一对反射器靠外侧。
54.另外，第1端部la、第2端部lb、第3端部ma以及第4端部mb只要在x方向上位于比idt电极7靠外侧即可。由此，能够使一对边缘区域中的声速比中央区域c中的声速低。
55.在本实施方式中，y方向上的各区域的配置被设为中央区域c、一对声速调整部以及一对高声速区域的顺序的配置。由此，活塞模式成立，能够抑制横模。
56.在此，将沿着声速调整部延伸的方向的该声速调整部的尺寸设为该声速调整部的长度。第2声速调整部m比第1声速调整部l长。更详细地，第3端部ma位于比第1端部la靠x方向上的外侧。第4端部mb位于比第3端部lb靠x方向上的外侧。像这样，在本实施方式中，第1端部la以及第3端部ma和第2端部lb以及第4端部mb的双方在y方向上不重叠。由此，还能够抑制高阶模。以下对此进行说明。
57.主模在设置有idt电极7以及一对反射器的区域中谐振。因此，主模的能量的大部分都集中在设置有idt电极7以及一对反射器的区域。另一方面，高阶模在压电体层6的厚度方向上谐振。因此，在设置有idt电极7以及一对反射器的区域的外侧，高阶模也谐振。高阶模在被连结第1声速调整部l的第1端部la、第1声速调整部l的第2端部lb、第2声速调整部m的第3端部ma和第2声速调整部m的第4端部mb的线包围的区域中谐振。将该区域设为高阶模谐振区域。即使在第1声速调整部l以及第2声速调整部m到达一对反射器的x方向上的外侧的情况下，高阶模也在上述高阶模谐振区域中谐振。在此，在第1端部la以及第3端部ma和第2端部lb以及第4端部mb的双方在y方向上重叠的情况下，在高阶模谐振区域中，高阶模同样地谐振。在该情况下，在高阶模谐振区域中，高阶模的相位变得一致。因此，产生起因于高阶模的大的杂散。
58.相对于此，在本实施方式中，第1端部la以及第3端部ma和第2端部lb以及第4端部mb的双方在y方向上不重叠。由此，能够使高阶模谐振区域中的高阶模的相位偏移。因而，能够抑制高阶模的谐振。因此，在弹性波装置1中，不仅能够抑制横模，还能够抑制高阶模。
59.另外，只要第1端部la以及第3端部ma和第2端部lb以及第4端部mb这两组端部中的至少一组在y方向上不重叠即可。在该情况下，也能够抑制横模以及高阶模。
60.在此，如图1所示，将从y方向观察时的第1端部la和第3端部ma的距离设为b1。距离b1为第1端部la和第3端部ma的距离的x方向上的分量。将从y方向观察时的第2端部lb和第4端部mb的距离设为b2。距离b2为第2端部lb和第4端部mb的距离的x方向上的分量。距离b1没有特别限定，但是例如优选为谐振波长的1/100以上。同样地，距离b2没有特别限定，但是例如优选为谐振波长的1/100以上。在这些情况下，在高阶模谐振区域中，能够使高阶模的相位有效地偏移，能够有效地抑制高阶模。
61.像本实施方式这样，在第1端部la在x方向上位于比第1反射器8靠外侧的情况下，第1端部la和第1反射器8的距离的上限没有特别限定，优选为谐振波长的1/100以上。在第3端部ma在x方向上位于比第1反射器8靠外侧的情况下，第3端部ma和第1反射器8的距离的上限没有特别限定，优选为谐振波长的1/100以上。在这些情况下，当第1端部la和第3端部ma
在y方向上不重叠时，能够充分地抑制高阶模，且能够使弹性波装置1小型。同样地，在第2端部lb在x方向上位于比第2反射器9靠外侧的情况下，第2端部lb和第2反射器9的距离的上限没有特别限定，优选为谐振波长的1/100以上。在第4端部mb在x方向上位于比第2反射器9靠外侧的情况下，第4端部mb和第2反射器9的距离的上限没有特别限定，优选为谐振波长的1/100以上。在这些情况下，当第2端部lb和第4端部mb在y方向上不重叠时，能够充分地抑制高阶模，且能够使弹性波装置1小型。
62.以下，示出第1实施方式的第1变形例～第4变形例。在第1变形例～第4变形例中，仅第1声速调整部l以及第2声速调整部m的位置与第1实施方式不同。在第1变形例～第4变形例中，也与第1实施方式同样地，能够抑制横模以及高阶模。
63.在图6所示的第1变形例中，第1端部la位于比第3端部ma靠x方向上的内侧。另一方面，第2端部lb位于比第4端部mb靠x方向上的外侧。另外，在本变形例中，第1端部la、第2端部lb、第3端部ma以及第4端部mb在x方向上位于一对边缘区域的外侧。
64.在本变形例中，第1声速调整部l的长度和第2声速调整部m的长度相同。不过，第1声速调整部l的长度和第2声速调整部m的长度也可以不同。
65.在图7所示的第2变形例中，第1端部la位于idt电极7与第1反射器8之间。第2端部lb位于idt电极7与第2反射器9之间。第3端部ma位于第1反射器8的最靠近idt电极7的电极指18上。第4端部mb位于第2反射器9的最靠近idt电极7的电极指19上。
66.在图8所示的第3变形例中，第1端部la以及第3端部ma分别位于第1反射器8的不同的电极指18上。更具体地，在上述不同的电极指18中的靠近idt电极7的一方的电极指18上设置有第1端部la。在上述不同的电极指中的远离idt电极7的一方的电极指18上设置有第3端部ma。
67.第2端部lb以及第4端部mb分别位于第2反射器9的不同的电极指19上。更具体地，在上述不同的电极指19中的靠近idt电极7的一方的电极指19上设置有第2端部lb。在上述不同的电极指中的远离idt电极7的一方的电极指19上设置有第4端部mb。
68.在图9所示的第4变形例中，第1声速调整部l的长度和第2声速调整部m的长度相同。然而，质量附加膜12以及质量附加膜13相对于x方向倾斜地延伸。因此，第1声速调整部l延伸的方向和x方向交叉。第2声速调整部m延伸的方向和x方向交叉。由此，第1端部la以及第3端部ma和第2端部lb以及第4端部mb的双方在y方向上不重叠。另外，在本变形例中，第1端部la、第2端部lb、第3端部ma以及第4端部mb在x方向上位于一对边缘区域的外侧。
69.在第1声速调整部l以及第2声速调整部m相对于x方向倾斜地延伸的情况下，第1声速调整部l的长度和第2声速调整部m的长度仍可以不同。
70.另外，在第1实施方式中，在idt电极7、第1反射器8以及第2反射器9的多个电极指上直接设置有质量附加膜12以及质量附加膜13。由此，构成了一对声速调整部。不过，并不限定于此。以下，示出设置有质量附加膜的位置与第1实施方式不同的、第1实施方式的第5变形例以及第6变形例。另外，在俯视下，第5变形例以及第6变形例的设置有质量附加膜的位置与第1实施方式的设置有质量附加膜的位置相同。在本说明书中，所谓俯视，是指从图2中的上方观察的方向。在第5变形例以及第6变形例中，也与第1实施方式同样地，能够抑制横模以及高阶模。
71.在图10所示的第5变形例中，质量附加膜12以及质量附加膜13设置在idt电极7、第
1反射器8以及第2反射器9的多个电极指与压电性基板2之间。另外，质量附加膜12以及质量附加膜13还设置在压电性基板2上的多个电极指间的部分、idt电极7与第1反射器8之间的部分、以及idt电极7与第2反射器9之间的部分。
72.在图11所示的第6变形例中，在压电性基板2上设置有保护膜23，使得覆盖idt电极7、第1反射器8以及第2反射器9。在保护膜23上设置有质量附加膜12以及质量附加膜13。
73.返回到图2，在第1实施方式的压电性基板2中，在高声速膜4上隔着低声速膜5间接地设置有压电体层6。不过，压电性基板2的结构并不限定于上述结构。以下，示出仅压电性基板的结构与第1实施方式不同的、第1实施方式的第7变形例～第9变形例。在第7变形例～第9变形例中，也与第1实施方式同样地，能够抑制横模以及高阶模。除此之外，还能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层6侧。
74.在图12所示的第7变形例中，压电性基板22a具有支承基板3、高声速膜4和压电体层6。在本变形例中，在作为高声速材料层的高声速膜4上直接设置有压电体层6。
75.在图13所示的第8变形例中，高声速材料层为高声速支承基板24。压电性基板22b具有高声速支承基板24、低声速膜5和压电体层6。在高声速支承基板24上设置有低声速膜5。在低声速膜5上设置有压电体层6。
76.作为高声速支承基板24的材料，例如，能够使用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、dlc膜或者金刚石等、以上述材料为主成分的介质。
77.在图14所示的第9变形例中，压电性基板22c具有高声速支承基板24和压电体层6。在本变形例中，在作为高声速材料层的高声速支承基板24上直接设置有压电体层6。
78.另一方面，在图15所示的第1实施方式的第10变形例中，压电性基板22d仅包含压电体层。压电性基板22d为压电基板。在该情况下，也与第1实施方式同样地，能够抑制横模以及高阶模。
79.图16是示出第2实施方式涉及的弹性波装置的、通过第1扩展边缘区域的剖面的剖视图。
80.本实施方式与第1实施方式的不同点在于，压电性基板32具有声反射膜37。更具体地，压电性基板32具有支承基板3、声反射膜37和压电体层6。在支承基板3上设置有声反射膜37。在声反射膜37上设置有压电体层6。除了上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置31具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的结构。
81.声反射膜37为多个声阻抗层的层叠体。更具体地，声反射膜37具有多个低声阻抗层和多个高声阻抗层。低声阻抗层为声阻抗相对低的层。声反射膜37的多个低声阻抗层为低声阻抗层35a以及低声阻抗层35b。另一方面，高声阻抗层为声阻抗相对高的层。声反射膜37的多个高声阻抗层为高声阻抗层34a以及高声阻抗层34b。低声阻抗层以及高声阻抗层被交替地层叠。另外，低声阻抗层35a是在声反射膜37中位于最靠压电体层6侧的层。
82.声反射膜37分别各具有两层的低声阻抗层以及高声阻抗层。不过，声反射膜37只要分别各具有至少一层的低声阻抗层以及高声阻抗层即可。
83.作为低声阻抗层的材料，例如，能够使用氧化硅或者铝等。作为高声阻抗层的材料，例如，能够使用铂或者钨等金属、氮化铝或者氮化硅等电介质。
84.弹性波装置31具有声反射膜37，因此能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层
6侧。
85.本实施方式中的压电性基板32上的电极构造与第1实施方式相同。因而，活塞模式成立，能够抑制横模。除此之外，与第1实施方式同样地，还能够使高阶模谐振区域中的高阶模的相位偏移。由此，能够抑制高阶模的谐振。因此，不仅能够抑制横模，还能够抑制高阶模。
86.图17是第3实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。另外，虽然在图17中未标注附图标记，但是与第1实施方式以及第2实施方式同样地，弹性波装置41具有第1扩展边缘区域ex1、第2扩展边缘区域ex2以及扩展中央区域cx等。
87.在本实施方式中，一对声速调整部的结构以及配置与第1实施方式不同。除了上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置41具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的结构。
88.idt电极47、第1反射器48以及第2反射器49的多个电极指具有宽宽度部。由此，构成了一对声速调整部。更具体地，宽宽度部中的电极指的宽度比扩展中央区域cx中的电极指的宽度宽。由此，一对声速调整部中的声速比扩展中央区域cx中的声速低。以下，对本实施方式的结构的细节进行说明。
89.idt电极47的多个电极指在第1边缘区域e1以及第2边缘区域e2中具有宽宽度部。更具体地，多个第1电极指56在第1边缘区域e1中具有宽宽度部56a。进而，多个第1电极指56在第2边缘区域e2中具有宽宽度部56b。同样地，多个第2电极指57在第1边缘区域e1中具有宽宽度部57a。进而，多个第2电极指57在第2边缘区域e2中具有宽宽度部57b。在本实施方式中，idt电极47的全部的电极指具有宽宽度部。不过，具有宽宽度部的电极指未必一定是idt电极47的全部的电极指。
90.在此，在弹性波装置41中，第1声速调整部l的第1端部la在x方向上位于比第2声速调整部m的第3端部ma靠内侧。第1端部la以及第3端部ma配置在第1反射器48。更详细地，第1反射器48的多个电极指58在第1扩展边缘区域ex1中具有宽宽度部58a。第1声速调整部l的第1端部la是宽宽度部58a中的最远离idt电极47的宽宽度部的、远离idt电极47的一侧的端部。第1反射器48的多个电极指58在第2扩展边缘区域ex2中具有宽宽度部58b。第2声速调整部m的第3端部ma是宽宽度部58b中的最远离idt电极47的宽宽度部的、远离idt电极47的一侧的端部。第3端部ma所位于的电极指58不具有宽宽度部58a。
91.在弹性波装置41中，从第1反射器48的最靠近idt电极47的电极指58起，连续地有多个电极指58具有宽宽度部58a以及宽宽度部58b的双方。比该多个电极指58远离idt电极47的电极指58仅具有宽宽度部58a以及宽宽度部58b中的宽宽度部58b。不过，宽宽度部58a以及宽宽度部58b的配置并不限定于上述配置。在第3端部ma位于比第1端部la靠x方向上的外侧的情况下，只要第3端部ma所位于的宽宽度部58b在x方向上位于比第1端部la所位于的宽宽度部58a靠外侧即可。在第1端部la位于比第3端部ma靠x方向上的外侧的情况下，只要第1端部la所位于的宽宽度部58a在x方向上位于比第3端部ma所位于的宽宽度部58b靠外侧即可。只要至少一根电极指58具有宽宽度部58a即可，只要至少一根电极指58具有宽宽度部58b即可。
92.如图17所示，第1声速调整部l的第2端部lb在x方向上位于比第2声速调整部m的第4端部mb靠内侧。第2端部lb以及第4端部mb配置在第2反射器49。更详细地，第2反射器49的多个电极指59在第1扩展边缘区域ex1中具有宽宽度部59a。第1声速调整部l的第2端部lb是
宽宽度部59a中的最远离idt电极47的宽宽度部的、远离idt电极47的一侧的端部。第2反射器49的多个电极指59在第2扩展边缘区域ex2中具有宽宽度部59b。第2声速调整部m的第4端部mb是宽宽度部59b中的最远离idt电极47的宽宽度部的、远离idt电极47的一侧的端部。第4端部mb所位于的电极指59不具有宽宽度部59a。
93.在弹性波装置41中，从第2反射器49的最靠近idt电极47的电极指59起，连续地有多个电极指59具有宽宽度部59a以及宽宽度部59b的双方。比该多个电极指59远离idt电极47的电极指59仅具有宽宽度部59a以及宽宽度部59b中的宽宽度部59b。不过，宽宽度部59a以及宽宽度部59b的配置并不限定于上述配置。在第4端部mb位于比第2端部lb靠x方向上的外侧的情况下，只要第4端部mb所位于的宽宽度部59b在x方向上位于比第2端部lb所位于的宽宽度部59a靠外侧即可。在第2端部lb位于比第4端部mb靠x方向上的外侧的情况下，只要第2端部lb所位于的宽宽度部59a在x方向上位于比第4端部mb所位于的宽宽度部59b靠外侧即可。只要至少一根电极指59具有宽宽度部59a即可，只要至少一根电极指59具有宽宽度部59b即可。
94.在本实施方式中，与第1实施方式同样地，y方向上的各区域的配置被设为中央区域c、一对声速调整部以及一对高声速区域的顺序的配置。由此，活塞模式成立，能够抑制横模。
95.进而，第1端部la以及第3端部ma和第2端部lb以及第4端部mb的双方在y方向上不重叠。由此，能够使高阶模谐振区域中的高阶模的相位偏移。因而，能够抑制高阶模的谐振。因此，不仅能够抑制横模，还能够抑制高阶模。
96.另外，在idt电极47、第1反射器48以及第2反射器49的多个电极指具有宽宽度部的情况下，例如仍可以在多个电极指上设置有质量附加膜。也可以通过设置宽宽度部以及质量附加膜，从而构成一对声速调整部。
97.附图标记说明
98.1：弹性波装置；
99.2：压电性基板；
100.3：支承基板；
101.4：高声速膜；
102.5：低声速膜；
103.6：压电体层；
104.7：idt电极；
105.8、9：第1反射器、第2反射器；
106.12、13：质量附加膜；
107.14、15：第1汇流条、第2汇流条；
108.16、17：第1电极指、第2电极指；
109.18、19：电极指；
110.22a～22d：压电性基板；
111.23：保护膜；
112.24：高声速支承基板；
113.31：弹性波装置；
114.32：压电性基板；
115.34a、34b：高声阻抗层；
116.35a、35b：低声阻抗层；
117.37：声反射膜；
118.41：弹性波装置；
119.47：idt电极；
120.48、49：第1反射器、第2反射器；
121.56、57：第1电极指、第2电极指；
122.56a、56b、57a、57b：宽宽度部；
123.58、59：电极指；
124.58a、58b、59a、59b：宽宽度部；
125.a：交叉区域；
126.c：中央区域；
127.cx：扩展中央区域；
128.e1、e2：第1边缘区域、第2边缘区域；
129.ex1、ex2：第1扩展边缘区域、第2扩展边缘区域；
130.g1、g2：第1间隔区域、第2间隔区域；
131.l、m：第1声速调整部、第2声速调整部；
132.la、lb：第1端部、第2端部；
133.ma、mb：第3端部、第4端部。