半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物与流程

技术特征：
1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(l)所表示的有机溶剂，l
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(l)式中，l1和l2分别独立地表示碳原子数2～5的烷基，l3表示o或s。2.根据权利要求1所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述溶剂包含85质量％以上的所述式(l)所表示的有机溶剂。3.根据权利要求2所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述溶剂由所述式(l)所表示的有机溶剂组成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述l1和l2为相同的基团。5.根据权利要求4所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述碳原子数2～5的烷基为乙基、正丙基或正丁基。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体基板的清洗方法，其特征在于，所述粘接层为使用包含粘接剂成分(s)的粘接剂组合物而得到的膜，所述粘接剂成分(s)包含选自硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。7.根据权利要求6所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述粘接剂成分(s)包含硅氧烷系粘接剂。8.根据权利要求7所述的半导体基板的清洗方法，其中，所述硅氧烷系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(a)。9.一种经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，制造具备半导体基板、支承基板以及由粘接剂组合物得到的粘接层的层叠体；第二工序，对所得到的层叠体的半导体基板进行加工；第三工序，将半导体基板和粘接层从支承基板分离；以及第四工序，使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层，其中，所述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(l)所表示的有机溶剂，l
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(l)式中，l1和l2分别独立地表示碳原子数2～5的烷基，l3表示o或s。10.根据权利要求9所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述溶剂包含85质量％以上的所述式(l)所表示的有机溶剂。11.根据权利要求10所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述溶剂由所述式(l)所表示的有机溶剂组成。12.根据权利要求9～11中任一项所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述l1和l2为相同的基团。
13.根据权利要求12所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述碳原子数2～5的烷基为乙基、正丙基或正丁基。14.根据权利要求9～13中任一项所述的经加工的半导体基板的制造方法，其特征在于，所述粘接层为使用包含粘接剂成分(s)的粘接剂组合物而得到的膜，所述粘接剂成分(s)包含选自硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。15.根据权利要求14所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述粘接剂成分(s)包含硅氧烷系粘接剂。16.根据权利要求15所述的经加工的半导体基板的制造方法，其中，所述硅氧烷系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(a)。17.一种剥离用组合物，其特征在于，用于在清洗半导体基板时将所述半导体基板上的粘接层剥离，所述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(l)所表示的有机溶剂，l
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(l)式中，l1和l2分别独立地表示碳原子数2～5的烷基，l3表示o或s。18.根据权利要求17所述的剥离用组合物，其中，所述溶剂包含85质量％以上的所述式(l)所表示的有机溶剂。19.根据权利要求18所述的剥离用组合物，其中，所述溶剂由所述式(l)所表示的有机溶剂组成。20.根据权利要求17～19中任一项所述的剥离用组合物，其中，所述l1和l2为相同的基团。21.根据权利要求20所述的剥离用组合物，其中，所述碳原子数2～5的烷基为乙基、正丙基或正丁基。22.根据权利要求17～21中任一项所述的剥离用组合物，其特征在于，所述粘接层为使用包含粘接剂成分(s)的粘接剂组合物而得到的膜，所述粘接剂成分(s)包含选自硅氧烷系粘接剂、丙烯酸树脂系粘接剂、环氧树脂系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、聚苯乙烯系粘接剂、聚酰亚胺粘接剂以及酚醛树脂系粘接剂中的至少一种。23.根据权利要求22所述的剥离用组合物，其中，所述粘接剂成分(s)包含硅氧烷系粘接剂。24.根据权利要求23所述的剥离用组合物，其中，所述硅氧烷系粘接剂包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(a)。

技术总结
一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数2～4的烷基，L3表示O或S。)L


技术研发人员：奥野贵久 柳井昌树 福田拓也 绪方裕斗 森谷俊介 荻野浩司 新城彻也
受保护的技术使用者：日产化学株式会社
技术研发日：2021.03.22
技术公布日：2022/11/8