单片微波集成电路前端模块的制作方法

技术特征：
1.一种单片微波集成电路mmic前端模块(100)，包括：由硅衬底(120)支撑的氮化镓结构(110)；具有发射模式和接收模式的硅基发射/接收开关(130)；发射放大器(112)，该发射放大器被配置为对要由所述mmic前端模块发射的传出信号进行放大，其中，所述发射放大器电连接(132)到所述发射/接收开关，其中，所述发射放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓高电子迁移率晶体管hemt(114)；接收放大器(113)，该接收放大器被配置为对由所述mmic前端模块接收的传入信号进行放大，其中，所述接收放大器电连接(133)到所述发射/接收开关，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓hemt(115)；硅基上变频器(342)，该硅基上变频器电连接(332)到所述发射放大器(112)，其中，所述上变频器(342)被配置为对要由所述mmic前端模块(100)发射的所述传出信号的频率进行上变频；以及硅基下变频器(343)，该硅基下变频器电连接(333)到所述接收放大器(113)，其中，所述下变频器(343)被配置为对由所述mmic前端模块(100)接收的传入信号的频率进行下变频。2.根据权利要求1所述的mmic前端模块，其中，所述发射放大器包括形成在所述氮化镓结构中的多个hemt。3.根据权利要求1至2中任一项所述的mmic前端模块，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化镓结构中的多个hemt。4.根据前述权利要求中任一项所述的mmic前端模块，其中，由所述硅衬底支撑的所述氮化镓结构包括第一氮化镓岛(211)和第二氮化镓岛(212)，其中，所述第一氮化镓岛和所述第二氮化镓岛物理分离并横向共同布置在该硅衬底上。5.根据权利要求4所述的mmic前端模块，其中，所述发射放大器的所述氮化镓hemt形成在该第一氮化镓岛中，并且其中，所述接收放大器的所述氮化镓hemt形成在所述第二氮化镓岛中。6.根据权利要求4至5中任一项所述的mmic前端模块，其中，所述第一氮化镓岛和所述第二氮化镓岛的横向尺寸在0.1μm至10μm的范围内。7.根据前述权利要求中任一项所述的mmic前端模块，其中，所述氮化镓结构的横向尺寸在0.1μm至10μm的范围内。8.根据前述权利要求中任一项所述的mmic前端模块，进一步包括天线(451)，该天线被配置为发射和接收无线信号，其中，所述发射/接收开关电连接(453)到所述天线。9.根据权利要求8所述的mmic前端模块，其中，所述天线由所述硅衬底支撑。10.根据权利要求8至9中任一项所述的mmic前端模块，其中，所述天线是阵列天线，所述阵列天线包括多个天线阵列元件(455)。11.根据前述权利要求中任一项所述的mmic前端模块，其中，所述氮化镓结构包括垂直于所述硅衬底布置的垂直纳米线结构(516)。12.根据前述权利要求中任一项所述的mmic前端模块，其中，所述氮化镓结构包括氮化镓层(517)和al
x
ga
1-x
n层(518)，其中，0≤x≤0.95。13.根据前述权利要求中任一项所述的mmic前端模块，其中，所述氮化镓结构包括氮化
铝层(519)。14.根据前述权利要求中任一项所述的mmic前端模块，其中，该硅基发射/接收开关一体形成在该硅衬底中，或者其中，该硅基发射/接收开关由该硅衬底支撑。15.一种单片微波集成电路mmic前端模块(100)，包括：由硅衬底(120)支撑的氮化镓结构(110)，其中，由所述硅衬底支撑的所述氮化镓结构包括第一氮化镓岛(211)和第二氮化镓岛(212)，其中，所述第一氮化镓岛和所述第二氮化镓岛物理分离并横向共同布置在该硅衬底上；具有发射模式和接收模式的硅基发射/接收开关(130)；发射放大器(112)，该发射放大器被配置为对要由所述mmic前端模块发射的传出信号进行放大，其中，所述发射放大器电连接(132)到所述发射/接收开关，其中，所述发射放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓高电子迁移率晶体管hemt(114)；以及接收放大器(113)，该接收放大器被配置为对由所述mmic前端模块接收的传入信号进行放大，其中，所述接收放大器电连接(133)到所述发射/接收开关，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓hemt(115)。16.一种单片微波集成电路mmic前端模块(100)，包括：由硅衬底(120)支撑的氮化镓结构(110)，其中，所述氮化镓结构包括垂直于所述硅衬底布置的垂直纳米线结构(516)；具有发射模式和接收模式的硅基发射/接收开关(130)；发射放大器(112)，该发射放大器被配置为对要由所述mmic前端模块发射的传出信号进行放大，其中，所述发射放大器电连接(132)到所述发射/接收开关，其中，所述发射放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓高电子迁移率晶体管hemt(114)；以及接收放大器(113)，该接收放大器被配置为对由所述mmic前端模块接收的传入信号进行放大，其中，所述接收放大器电连接(133)到所述发射/接收开关，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓hemt(115)。

技术总结
提供了一种单片微波集成电路MMIC前端模块(100)，该MMIC前端模块包括：由硅衬底(120)支撑的氮化镓结构(110)；具有发射模式和接收模式的硅基发射/接收开关(130)；发射放大器(112)，该发射放大器被配置为对要由所述MMIC前端模块发射的传出信号进行放大，其中，所述发射放大器电连接(132)到所述发射/接收开关，其中，所述发射放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓高电子迁移率晶体管HEMT(114)；以及接收放大器(113)，该接收放大器被配置为对由所述MMIC前端模块接收的传入信号进行放大，其中，所述接收放大器电连接(133)到所述发射/接收开关，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓HEMT(115)。所述氮化镓结构中的氮化镓HEMT(115)。所述氮化镓结构中的氮化镓HEMT(115)。


技术研发人员：马丁
受保护的技术使用者：艾普诺瓦泰克公司
技术研发日：2021.02.11
技术公布日：2022/9/14