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固态摄像元件和电子装置的制作方法

2022-09-15 07:36:24 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种固态摄像元件,包括:执行光电转换的光电转换元件;完全贯穿式沟槽隔离,其从基板的第一主面贯穿至第二主面并且形成在包括所述光电转换元件的像素之间;以及第一导体部,其设置为与所述完全贯穿式沟槽隔离的第一主面侧紧密接触。2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述第一导体部嵌入在所述基板的所述第一主面中形成的沟槽中,并且所述固态摄像元件还包括:高浓度杂质扩散层,其形成在所述基板的所述第一主面上;和绝缘部,其设置在所述第一导体部和所述高浓度杂质扩散层之间。3.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,所述第一导体部比所述绝缘部形成得深,并且所述高浓度杂质扩散层比所述绝缘部形成得浅。4.根据权利要求2所述的固态摄像元件,包括:阱层,其形成在比所述高浓度杂质扩散层深的区域中,其中,所述第一导体部构造为在比所述绝缘部深的区域中与所述阱层紧密接触。5.根据权利要求4所述的固态摄像元件,包括:盖层,其设置为与所述第一导体部的第一主面侧紧密接触,其中,所述第一导体部构造为与相邻的多个像素的所述阱层紧密接触。6.根据权利要求5所述的固态摄像元件,包括:接触电极,其电连接至所述阱层并且形成在所述像素中,其中,所述接触电极通过所述第一导体部将相邻的所述多个像素的所述阱层固定在输入电位。7.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,在平面图中,所述完全贯穿式沟槽隔离设置为包围所述像素,并且所述第一导体部构造为与所述完全贯穿式沟槽隔离的上表面的全部或一部分紧密接触。8.根据权利要求7所述的固态摄像元件,其中,所述第一导体部设置在夹在相邻的两个像素之间的所述完全贯穿式沟槽隔离上方和位于以2
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2矩阵布置的四个像素的中心处的所述完全贯穿式沟槽隔离上方中的至少一者中。9.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述第一导体部具有沟槽的一部分或全部嵌入导电材料的形状,所述沟槽将所述完全贯穿式沟槽隔离作为底面。10.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中,所述绝缘部形成为至少在所述绝缘部的表面上具有绝缘材料。11.根据权利要求10所述的固态摄像元件,其中,所述绝缘部具有以下的两层结构:覆盖设置在所述第一导体部与所述高浓度杂质扩散层之间的沟槽的表面的绝缘膜以及空气层或者嵌入在所述沟槽中的纯的多晶硅或氧化物。
12.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述第一个导体部是在相邻像素之间共用的接触电极。13.根据权利要求4所述的固态摄像元件,包括:第二导体部,其构造为与所述完全贯穿式沟槽隔离的上表面的全部或一部分紧密接触且比所述绝缘部设置得深并且与所述阱层接触,通过向所述第二导体部施加正电压,所述第二导体部吸引并俘获累积在所述光电转换元件中的电子。14.根据权利要求1所述的固态摄像元件,还包括:接触电极,其设置为贯穿所述第一导体部。15.一种电子装置,包括:固态摄像装置,其包括固态摄像元件,所述固态摄像元件包括:执行光电转换的光电转换元件;完全贯穿式沟槽隔离,其从基板的第一主面贯穿至第二主面并且形成在包括所述光电转换元件的像素之间;以及第一导体部,其设置为与所述完全贯穿式沟槽隔离的第一主面侧紧密接触;光学透镜,其在所述固态摄像装置的摄像面上形成来自被摄体的图像光;以及信号处理电路,其对从所述固态摄像装置输出的信号执行信号处理。

技术总结
本发明涉及不仅小而且能够抑制在晶体管附近产生强电场的固态摄像元件和电子装置。固态摄像元件包括执行光电转换的光电转换元件;元件隔离,其在包括所述光电转换元件的像素之间从基板的第一主面贯穿至第二主面;以及导体部,其附着在所述元件隔离的第一主面侧。例如,本发明可以应用于固态摄像元件和包括固态摄像元件的电子装置。像元件的电子装置。像元件的电子装置。


技术研发人员:岩渊信 伊藤智美 正垣敦 工藤義治
受保护的技术使用者:索尼半导体解决方案公司
技术研发日:2021.03.15
技术公布日:2022/9/14
再多了解一些

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