含半导体纳米粒子的组合物、彩色滤光片及图像显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有半导体纳米粒子a和色素b的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述含半导体纳米粒子的组合物进一步含有聚合性化合物c，所述半导体纳米粒子a在波长300～780nm的范围中的最大发光波长存在于500～670nm的范围内，所述色素b含有从以下色素b1～b5构成的群中选择的至少1个，具有下述通式[i]表示的部分结构的色素b1，【化1】通式[i]中，x表示o原子或s原子，z表示cr2或n原子，r1和r2各自独立地表示氢原子或任意取代基，*表示结合键；下述通式[ii]表示的色素b2，【化2】通式[ii]中，ar1、ar2和ar3各自独立地表示可具有取代基的芳基，r1和r2各自独立地表示可具有取代基的烷基或可具有取代基的芳基；下述通式[iii]表示的分支度总数为3以上的色素b3，【化3】
通式[iii]中，r
11
、r
21
、r
31
和r
41
各自独立地表示氢原子或任意取代基；这里，r
11
、r
21
、r
31
和r
41
中的1个以上为下述通式[iiia]表示的基团，【化4】通式[iiia]中，r5表示氢原子或任意取代基，*表示结合键，r
12
、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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和r
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各自独立地表示氢原子或任意取代基；具有香豆素骨架、分支度总数为3以上的色素b4，及下述通式[v]表示的色素b5，【化5】通式[v]中，x表示c-*或n，*表示结合键，r1、r2各自独立地表示氟原子或氰基。2.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有半导体纳米粒子a和色素b的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述含半导体纳米粒子的组合物还含有光散射性粒子，所述半导体纳米粒子a在波长300～780nm的范围中的最大发光波长存在于500～670nm的范围内，所述色素b含有从由以下色素b1～b5构成的群中选择的至少1个，具有下述通式[i]表示的部分结构的色素b1，【化6】
通式[i]中，x表示o原子或s原子，z表示cr2或n原子，r1和r2各自独立地表示氢原子或任意取代基，*表示结合键；下述通式[ii]表示的色素b2，【化7】通式[ii]中，ar1、ar2和ar3各自独立地表示可具有取代基的芳基，r1和r2各自独立地表示可具有取代基的烷基或可具有取代基的芳基；下述通式[iii]表示的分支度总数为3以上的色素b3，【化8】通式[iii]中，r
11
、r
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、r
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和r
41
各自独立地表示氢原子或任意取代基；这里，r
11
、r
21
、r
31
和r
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中的1个以上为下述通式[iiia]表示的基团，【化9】
通式[iiia]中，r5表示氢原子或任意取代基，*表示结合键，r
12
、r
13
、r
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、r
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、r
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、r
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、r
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和r
43
各自独立地表示氢原子或任意取代基；具有香豆素骨架、分支度总数为3以上的色素b4，及下述通式[v]表示的色素b5，【化10】通式[v]中，x表示c-*或n，*表示结合键，r1、r2各自独立地表示氟原子或氰基。3.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有在波长300～780nm的范围中的最大发光波长在500～670nm的范围内的半导体纳米粒子a和色素b的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述色素b含有具有下述通式[i]表示的部分结构的色素b1，【化11】通式[i]中，x表示o原子或s原子，z表示cr2或n原子，r1和r2各自独立地表示氢原子或任意取代基，*表示结合键。4.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有在波长300～780nm的范围中的最大发光波长在500～670nm的范围内的半导体纳米粒子a和色素b的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述色素b含有下述通式[ii]表示的色素b2，【化12】
通式[ii]中，ar1、ar2和ar3各自独立地表示可具有取代基的芳基，r1和r2各自独立地表示可具有取代基的烷基或可具有取代基的芳基。5.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有在波长300～780nm的范围中的最大发光波长在500～670nm的范围内的半导体纳米粒子a和色素b的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述色素b含有下述通式[iii]表示的分支度总数为3以上的色素b3，【化13】通式[iii]中，r
11
、r
21
、r
31
和r
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各自独立地表示氢原子或任意取代基，这里，r
11
、r
21
、r
31
和r
41
中的1个以上为下述通式[iiia]表示的基团；【化14】通式[iiia]中，r5表示氢原子或任意取代基，*表示结合键，r
12
、r
13
、r
22
、r
23
、r
32
、r
33
、r
42
和r
43
各自独立地表示氢原子或任意取代基。6.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有在波长300～780nm的范围中的最大发光波长在500～670nm的范围内的半导体纳米粒子a和色素b的含半导体纳米粒子的组合物，其特征在于，所述色素b含有具有香豆素骨架、分支度总数为3以上的色素b4。7.一种含半导体纳米粒子的组合物，是含有在波长300～780nm的范围中的最大发光波长在500～670nm的范围内的半导体纳米粒子a和色素b的含半导体纳米粒子的组合物，其特
征在于，所述色素b含有下述通式[v]表示的色素b5，【化15】通式[v]中，x表示c-*或n，*表示结合键，r1、r2各自独立地表示氟原子或氰基。8.根据权利要求1～3的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述色素b1为下述通式[i-1]表示的色素，【化16】通式[i-1]中，x表示o原子或s原子，z表示cr2或n原子，r1和r2各自独立地表示氢原子或任意取代基，a1和a2各自独立地为下述通式[i-1a]表示的基团，【化17】通式[i-1a]中，b
11
表示可具有取代基的亚芳基、可具有取代基的-ch＝ch-基、-c≡c-基、可具有取代基的-ch＝n-基、可具有取代基的-n＝ch-基、-co-基或-n＝n-基，b
12
表示单键或b
11
以外的2价基，x各自独立地表示0～3的整数，x为2以上的整数时，多个b
11
可以相同或不同，y各自独立地表示1～3的整数，y为2以上的整数时，多个b
12
可以相同或不同，r
11
表示氢原子或任意取代基，*表示结合键。9.根据权利要求1、2和4的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述通式[ii]中的ar2为下述通式[iia]、下述通式[iib]和下述通式[iic]的任一个表示的基团，【化18】
通式[iia]及[iib]中，r3和r4各自独立地表示可具有取代基的烷基或可具有取代基的芳基。10.根据权利要求1、2、4和9的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述通式[ii]中的ar2为苯环基或萘环基。11.根据权利要求1、2、4、9和10的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述通式[ii]中的r1和r2各自独立地为可具有取代基的芳基。12.根据权利要求1、2和5的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述通式[iii]中的r5为氢原子或可具有取代基的烃基；这里，烃基中的部分-ch
2-可被-o-取代。13.根据权利要求1、2、5和12的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述通式[iii]中，r
11
、r
21
、r
31
和r
41
中的2个以上为下述通式[iiia]表示的基团，【化19】通式[iiia]中，r5表示氢原子或任意取代基，*表示结合键。14.根据权利要求1、2和6的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述色素b4为下
述通式[iv-1]表示的分支度总数为3以上的色素，【化20】通式[iv-1]中，r1、r2、r3、r4和r6各自独立地表示氢原子或任意取代基，r5表示氢原子、n(r7)2或or7，r5为n(r7)2时，r7之间可连接成环，r7表示氢原子或任意取代基，从由r4、r5和r6构成的群中选择的2个以上可连接成环。15.根据权利要求14所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述通式[iv-1]中的r1为下述通式[iv-1a]表示的基团，【化21】通式[iv-1a]中，x表示氧原子、硫原子或nr9，r8表示氢原子或任意取代基，r9表示氢原子或烷基，x为nr9时，r9可与r8连接成环，*表示结合键。16.根据权利要求1、2和7的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述色素b5由下述通式[v-1]表示，【化22】通式[v-1]中，x表示c-r9或n，r3～r9各自独立地表示氢原子或任意取代基，r4可与r3或r5连接成环，r7可与r6或r8连接成环，r1、r2各自独立地表示氟原子或氰基。17.根据权利要求16所述的含半导体纳米粒子的组合物，所述通式[v-1]中r1和r2为氟原子，x为c-r9，r9为氢原子或任意取代基。
18.根据权利要求2～7的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，还含有聚合性化合物c。19.根据权利要求1或18所述的含半导体纳米粒子的组合物，作为所述聚合性化合物c包含(甲基)丙烯酸酯系化合物。20.根据权利要求1～19的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，还含有聚合引发剂d。21.根据权利要求1及3～7的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，还含有光散射性粒子。22.根据权利要求1～21的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物，是喷墨方式用。23.一种彩色滤光片，具有权利要求1～22的任1项所述的含半导体纳米粒子的组合物固化而成的像素部。24.一种图像显示装置，具有权利要求23所述的彩色滤光片。

技术总结
提供可形成对激发光高效地进行波长变换，展示充分的发光强度的波长变换层的含半导体纳米粒子的组合物。本发明的含半导体纳米粒子的组合物的一个方式，其特征在于，含有半导体纳米粒子(A)和色素(B)，进一步含有聚合性化合物(C)，所述半导体纳米粒子(A)在波长300～780nm的范围中的最大发光波长存在于500～670nm的范围内，所述色素(B)含有从具有特定结构的色素(B1)～(B5)中选择的至少1个。构的色素(B1)～(B5)中选择的至少1个。


技术研发人员：石井洸毅 西村政昭 藤原崇志 谷口智隆 服部繁树 平冈紫阳 志贺靖 稻垣裕子
受保护的技术使用者：三菱化学株式会社
技术研发日：2021.02.03
技术公布日：2022/9/14