显示器的制作方法

1.本发明涉及一种显示器。


背景技术：

2.近年来，随着越来越多地应用有机半导体装置来实际用作光源装置，使用有机半导体装置作为光源装置的显示器已变得可商业购得。如今，对开发使用有机半导体装置作为光源装置的显示器的研究在持续进行，以寻找实现更高亮度、更高精度、更低功耗及更长寿命以进一步改善性能的方法。
3.使用有机半导体装置作为发光装置的现有显示器的像素由有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)(也称为“oled”)及控制流经有机发光二极管的电流的晶体管制成。有机发光二极管是根据自薄膜晶体管(thin-film transistor，tft)(也称为“tft”)输入的电流发光的装置，所述薄膜晶体管在基板上形成于夹在阳极电极与阴极电极之间的有机电致发光(electro-luminescence，el)层中。
4.相较而言，下面列出的专利文件1阐述一种垂直有机发光晶体管(vertical organic light emitting transistor，volet)(也称为“volet”)，其用作能够减少控制装置的数目及增加发光面积以实现更高亮度的装置。所述垂直有机发光晶体管根据流经所述晶体管本身的电流量发光，其中所述晶体管通过控制施加至栅极电极的电压来调节电流流动。下面列出的专利文件2阐述一种使用垂直有机发光晶体管的显示器，由此所述显示器可能预期具有显著增加的亮度。
5.ptl 1：专利文件1：wo 2009/036071
6.ptl 2：专利文件2：jp-a-2014-505324


技术实现要素：

7.近年来，显示器已获得除用作家用电视(television，tv)或个人计算机(personal computer，pc)显示器以外的广泛应用，例如车站建筑中的广告、活动场所中的背景等。因此，随着上述性能改善，如何能够增加大小已成为当前显示器发展中的一个重要问题。
8.在使用有机半导体的显示器中，构成像素的有机发光二极管及薄膜晶体管设置于显示部分中，而驱动这些装置的驱动器设置于显示部分的外周边中。此仍然是如今诸多显示器所采用的常见配置。
9.利用此种配置增加显示器的大小导致自设置于外周边的各种驱动器输出用于控制或驱动整个显示部分之上的各种装置的信号的传输距离增加。对驱动器与装置进行连接的配线(wiring line)越长，则驱动器与装置之间的配线的电阻越大。配线的电阻增加可能导致由通过电流(passing current)引起的电压降(也称为“ir压降(ir-drop)”)，或者导致信号延迟或劣化。
10.用于向发光装置供应电流的电流供应线特别容易受到电阻增加的影响，即，即使当施加相同的电压以使电流自电流供应部分流入每一发光装置时，随着距电流供应部分的
距离增加，电压也根据配线的电阻及通过电流而降低。此导致实际供应的电流量小于显示图像数据所需的电流值。此种差别可能会累积至一定程度，即显示缺陷会明显到使观察者可能在视觉上感觉到亮度逐渐下降。此外，由于在诸多情形中电流供应线由对齐成一行的一组发光装置共享，因此电流供应线的配线的电阻变化导致线之间的亮度差异，此导致出现线的显示缺陷。
11.作为解决上述问题的一种措施，可应用以上列出的专利文件3中所阐述的方法，其中检测每一像素的发射亮度，且将虑及电压降的电压供应至数据线、电流供应线。然而，附加的复杂电路将占用发光区的实质部分，且抑制增加亮度的能力。此外，由于使用更多的装置，因此显示器可能变得更容易出现故障(malfunction)及失效(failure)。
12.也可使用其中设置有驱动器的外周边部分，或者可添加外部设备。然而，外周边部分的扩大或外部设备的添加将对显示器的使用模式及安装位置造成限制，此有悖于改变应用目的的期望。
13.此外，在虑及波动而施加电压的回馈控制等中，端视计算方法而定，可能出现误差，因此也可能存在电压校正不足以防止亮度变化被辨别为显示缺陷的情形。因此，防止显示缺陷的措施应优选地作为装置结构来提供，而非通过校正亮度变化来提供。
14.本发明的申请者在调查使用垂直有机发光晶体管的显示器时，进一步发现了关于垂直有机发光晶体管的以下问题。相似于场效晶体管，垂直有机发光晶体管包括源极电极、栅极电极及漏极电极。
15.与例如薄膜晶体管等场效晶体管不同，垂直有机发光晶体管在源极电极与漏极电极之间设置有el装置及有机半导体层。这些层的材料性质使得垂直有机发光晶体管具有如下特性特征：相较于例如薄膜晶体管等场效晶体管，在源极电极(阳极电极)与漏极电极(阴极电极)之间流动的电流更容易受到施加于这些电极两端的电压的影响。即，相较于具有有机发光二极管及薄膜晶体管的现有配置，电流供应线受电压降的影响更大，因此上述显示缺陷可能更容易出现。
16.鉴于上述问题，本发明的一个目的是提供一种装置配置，所述装置配置被设计成减轻由电流供应线中的电压降导致的显示缺陷，以提供具有更佳显示品质的显示器。
17.本发明的一种显示器包括：
18.多个垂直有机发光晶体管，沿第一方向及与第一方向正交的第二方向排列成阵列；
19.数据线，供应用于控制所述多个垂直有机发光晶体管的栅极电极的电压；
20.薄膜晶体管，各自连接于垂直有机发光晶体管中的每一者的栅极电极与数据线之间，且控制对垂直有机发光晶体管的栅极电极的电压供应；
21.栅极线，连接至薄膜晶体管的栅极电极且传输控制薄膜晶体管的信号；
22.多个电流供应线，沿第一方向延伸且向沿第一方向对齐的一组垂直有机发光晶体管中的每一者供应电流；以及
23.至少一个辅助线，沿第二方向延伸且对所述多个电流供应线中的至少两者进行连接。
24.用于向垂直有机发光晶体管供应电流的电流供应线沿第一方向延伸，且由沿第一方向排列的一组有机发光晶体管共享。所述多个电流供应线沿第二方向排列。电流供应线
中的至少两者由沿第二方向延伸的辅助线连接。
25.只要二或更多个电流供应线被连接，便可存在任意数目的辅助线。尽管优选的是由辅助线连接的电流供应线彼此靠近地定位，然而彼此相邻的电流供应线不必彼此连接。
26.上述配置减小了局部电压降，即使在其中电流供应线中的一者中不可避免地存在大的局部电压降的情形中，由于电压是由通过辅助线与其连接的其他电流供应线供应，因此使得电压在电流供应线之间是均匀的。此使得具有比周围像素低极多的亮度的像素区或列难以被辨别，由此显示品质显著改善。
27.此外，由于根据上述配置，辅助线沿第二方向对电流供应线进行连接，因此电压降不仅出现于每一电流供应线中，而且出现于整个荧幕之上，从而导致亮度以渐变方式降低。因此，若虑及上述配置中的电压降来供应电压，则以渐变方式来校正电压，且响应于整个荧幕的亮度趋势来二维地及共同地调节电压，而非针对电流供应线中的每一者进行电压校正。因此，不需要对每一电流供应线的亮度校正进行复杂的计算。此外，即使存在由计算方法导致的误差，由于电压是在整个荧幕之上被校正，因此几乎不会出现局部显示缺陷，以使得显示缺陷不太可能被辨别。
28.在上述显示器中，
29.辅助线可被形成为比垂直有机发光晶体管的源极电极更靠近基板。
30.使用有机发光二极管的显示器的像素配置至少包括位于下层中的两个薄膜晶体管及位于上层中的有机发光二极管，上层是远离基板的层。另一方面，使用垂直有机发光晶体管的显示器的像素配置至少包括位于下层中的一个薄膜晶体管及位于上层中的垂直有机发光晶体管。因此，使得下层中用于不需要的另一薄膜晶体管的区为可用的。相较于现有的像素配置，使用此区作为配线区使得能够保持或增强亮度，以及形成辅助线。
31.在上述显示器中，
32.辅助线可包括配线，所述配线由构成栅极线的材料制成且形成于其中设置有栅极线的层中。
33.薄膜晶体管的栅极电极形成于薄膜晶体管的源极电极及漏极电极下方的层中。因此，在诸多情形中，连接至薄膜晶体管的栅极电极的栅极线设置于最靠近基板的最下层中，而连接至例如有机发光二极管及垂直有机发光晶体管等发光装置的数据线及电源线设置于栅极线之上的层中，以使得其可容易地连接至发光装置。即，相较于其他层，其中设置有栅极线的层更容易用于配线。
34.此外，相较于使用有机发光二极管的显示器，使用垂直有机发光晶体管的显示器具有少一个薄膜晶体管，以使得可利用用于不需要的薄膜晶体管的区，此使得能够形成辅助线，同时使发光区的大小减小最小化及避免亮度的显著下降。
35.栅极线是用于传输用于薄膜晶体管的高速控制的信号的配线，且因此由具有比其他层的材料低的电阻的材料制成。因此，由与栅极线相同的材料制成辅助线能够使得实现如下配置，即辅助线的电阻对由所述辅助线连接的电流供应线的影响减小，以使得电压在所述电流供应线之间变得均匀。
36.在上述显示器中，
37.辅助线可包括配线，所述配线由构成垂直有机发光晶体管的栅极电极的材料制成且配置于其中设置有垂直有机发光晶体管的栅极电极的层中。
38.举例而言，即使当需要配置复杂的控制电路且难以确保用于配线的区时，上述配置也使得辅助线能够形成于垂直有机发光晶体管下方的层中。辅助线也可被配置成在形成于与上述栅极线相同的层中的辅助线之上的层中平行延伸，此进一步能够使得电压在电流供应线之间变得均匀。
39.本发明的一种显示器包括：
40.多个垂直有机发光晶体管，沿第一方向及与第一方向正交的第二方向排列成阵列；
41.数据线，供应用于控制所述多个垂直有机发光晶体管的栅极电极的电压；
42.薄膜晶体管，各自连接于垂直有机发光晶体管中的每一者的栅极电极与数据线之间，且控制对垂直有机发光晶体管的栅极电极的电压供应；以及
43.栅极线，连接至薄膜晶体管的栅极电极且传输控制薄膜晶体管的信号，
44.所述多个垂直有机发光晶体管中彼此相邻的至少两者具有在其间连续形成的源极电极层。
45.在上述配置中，一个垂直有机发光晶体管的源极电极层直接连接至相邻垂直有机发光晶体管的源极电极层，以使得施加至垂直有机发光晶体管的相应源极电极层的电压不会产生大的差异。
46.上述配置也使得能够在大的面积上形成垂直有机发光晶体管的源极电极层，以使得不需要高精度图案化。因此，垂直有机发光晶体管的源极电极层可通过例如(举例而言)喷墨网版印刷(此为一种印刷方法)等更简单的图案化形成。此有助于抑制可能由垂直有机发光晶体管的源极电极层的形成及图案化引起的生产步骤数目及加工成本的增加。
47.耦合于一起的垂直有机发光晶体管的源极电极能够使得电流在周围的被连接的像素之间相互分布，此使得一些接触孔的形成变得不必要。接触孔的形成方法的简化可抑制加工成本的增加以及可能由接触失效导致的面板生产良率的下降。
48.上述显示器可还包括
49.多个电流供应线，沿第一方向延伸且向沿第一方向对齐的一组垂直有机发光晶体管中的每一者供应电流。
50.由于在上述显示器中，源极电极层在所述多个垂直有机发光晶体管中相邻的垂直有机发光晶体管之间是连续的，因此电流经由源极电极供应至垂直有机发光晶体管。通过附加的电流供应线，垂直有机发光晶体管的源极电极之间的电阻减小，以使得每一垂直有机发光晶体管的源极电极处的电压变得更加均匀。
51.上述显示器可还包括
52.至少一个辅助线，沿第二方向延伸且对所述多个电流供应线中的至少两者进行连接。
53.在上述显示器中，
54.辅助线可被形成为比垂直有机发光晶体管的源极电极更靠近基板。
55.在上述显示器中，
56.辅助线可包括配线，所述配线由构成栅极线的材料制成且形成于其中设置有栅极线的层中。
57.在上述显示器中，
58.辅助线可包括配线，所述配线由构成垂直有机发光晶体管的栅极电极的材料制成且配置于其中设置有垂直有机发光晶体管的栅极电极的层中。
59.上述配置中的每一者使得垂直有机发光晶体管的源极电极之间的电阻更小，此使得垂直有机发光晶体管的源极电极处的电压能够更均匀。
60.根据本发明，具有更佳显示品质的显示器是通过被设计成减轻由电流供应线中的电压降导致的显示缺陷的装置配置来实现。
附图说明
61.[图1]是一个实施例中的显示器的一部分的示意性配置图。
[0062]
[图2]是图1所示显示器的区a1中的发光部分的电路图。
[0063]
[图3]是一个实施例中的发光部分及其邻近之处的示意性装置配置的俯视平面图。
[0064]
[图4]是沿图3所示的a-a’的剖视图。
[0065]
[图5]是沿图3所示的b-b’的剖视图。
[0066]
[图6]是一个实施例中的发光部分及其邻近之处的示意性装置配置的俯视平面图。
[0067]
[图7]是沿图6所示的a-a’的剖视图。
[0068]
[图8]是沿图6所示的b-b’的剖视图。
[0069]
[图9]是一个实施例中的发光部分及其邻近之处的示意性装置配置的俯视平面图。
[0070]
[图10]是沿图9所示的a-a’的剖视图。
具体实施方式
[0071]
在下文中，参照附图阐述本发明的显示器的配置。下面提及的附图各自提供示意性例示。附图中的元件的尺寸比率及数目不一定与元件的实际尺寸比率及数目相同。
[0072]
第一实施例
[0073]
图1是一个实施例中的显示器1的一部分的示意性配置图。如图1中所示，此实施例的显示器1包括由发光部分10构成的阵列，发光部分10各自包括垂直有机发光晶体管、向垂直有机发光晶体管的栅极电极供应电压的数据线11、向垂直有机发光晶体管的源极电极供应电流的电流供应线12、传输用于控制薄膜晶体管的信号的栅极线13以及对电流供应线12进行连接的辅助线14。
[0074]
显示器1在其外周边部分中也包括：源极驱动器15a，向数据线11供应电压，以根据欲显示的图像数据向垂直有机发光晶体管的栅极电极施加电压；电流供应部分15b，向电流供应线12供应电流，以使得向垂直有机发光晶体管的源极电极供应电流；以及栅极驱动器15c，向栅极线13输出用于薄膜晶体管的控制信号。
[0075]
图2是图1所示显示器1的区a1中的发光部分10的详细电路图。如图2中所示，发光部分10包括垂直有机发光晶体管20、控制对垂直有机发光晶体管20的栅极电极的电压供应的薄膜晶体管21、以及连接于垂直有机发光晶体管20的源极电极与栅极电极之间的电容器23。在参照图1及图2的说明中，电流供应线12延伸的方向将被称为x方向(第一方向)，且辅
助线14延伸的方向将被称为y方向(第二方向)。
[0076]
数据线11是配线，其用于经由薄膜晶体管21将自源极驱动器15a输出的电压施加至垂直有机发光晶体管20的栅极电极，以便根据所显示的图像来调节垂直有机发光晶体管20的发射亮度。尽管在此实施例中数据线11沿x方向形成，然而数据线可沿y方向形成。
[0077]
电流供应线12沿x方向形成，以连接至沿x方向对齐的所述一组垂直有机发光晶体管20中的每一者。每一电流供应线12将自电流供应部分15b输出的电流供应至包括于所述一组垂直有机发光晶体管20中的每一垂直有机发光晶体管的源极电极。
[0078]
栅极线13连接至薄膜晶体管21的栅极电极，以使得自栅极驱动器15c输出的控制信号被传输至薄膜晶体管21的栅极电极。因此，垂直有机发光晶体管20的栅极电极与数据线11之间的功率施加及控制信号传输是通过接通及关断薄膜晶体管21来控制。尽管在此实施例中栅极线13沿y方向形成，然而栅极线可沿x方向形成。
[0079]
辅助线14在沿x方向对齐的发光部分10之间沿y方向延伸。辅助线14不必形成于沿x方向对齐的所有发光部分10中相邻的发光部分10之间。尽管在此实施例中电流供应线12沿x方向形成，且辅助线14沿y方向形成，然而电流供应线12可沿y方向形成，且辅助线14可沿x方向形成。
[0080]
电容器23是垂直有机发光晶体管20的栅极电极与源极电极之间的电压保持装置，其被设置成在薄膜晶体管21的关断状态期间将所显示的图像维持预定时间。
[0081]
接下来，将阐述在基板上形成的每一装置的结构。图3是一个实施例中的发光部分10及其邻近之处的示意性装置配置的俯视平面图。图4是沿图3所示的a-a’的剖视图。如图3及图4中所示，垂直有机发光晶体管20及薄膜晶体管21设置于由数据线11、电流供应线12及栅极线13勾勒出的区中。
[0082]
图5是沿图3所示的b-b’的剖视图。如图3及图5中所示，辅助线14形成于与连接至薄膜晶体管21的栅极电极层21g的栅极线13相同的层中，且由与栅极线13相同的材料制成。在下文中，由与栅极线13相同的材料制成且位于与栅极线13相同的层中的辅助线14将被称为配线层辅助线14a。
[0083]
基板30是透光的，且将自垂直有机发光晶体管20发射的光输出至外部。稍后将阐述具体材料。
[0084]
在以下说明中，数据线11及电流供应线12延伸的方向将被称为x方向，栅极线13延伸的方向将被称为y方向，与这些方向正交的方向将被称为z方向，且远离基板30的方向(在z方向上)将被称为上层。
[0085]
垂直有机发光晶体管20被配置成自上层开始包括对应于阴极电极的漏极电极层20d、有机el层20c、有机半导体层20a及源极电极层20s，且在下面的层中包括经由由介电材料制成的栅极绝缘层20h的栅极电极层20g，源极电极层20s通过利用包含碳(在此实施例中为碳纳米管)的导电材料涂布表面层31的表面而形成。向栅极电极层20g施加电压会改变有机半导体层20a与源极电极层20s之间的肖特基障壁(schottky barrier)，且当超过预定阈值时，电流自源极电极层20s流向有机半导体层20a及有机el层20c，从而使得垂直有机发光晶体管20能够发光。
[0086]
在此实施例的显示器1中，基板30由可透射可见光的材料制成。栅极电极层20g与源极电极层20s二者均透射可见光，且被配置成使得存在容许可见光通过的间隙，从而使得
自有机el层20c输出的光通过基板30并出射至外部，由此显示图像。其中光通过基板30并发射的此种配置被称为“底部发射型(bottom emission type)”，且优点在于由于电极之间的简单互连而易于生产。
[0087]
薄膜晶体管21的源极电极层21s与漏极电极层21d经由氧化物半导体层21a进行连接，且栅极电极层21g经由绝缘层或介电层形成于氧化物半导体层21a下方。施加至栅极电极层21g的电压在氧化物半导体层21a中产生相应的导电通道，从而向源极电极层21s及漏极电极层21d供应功率。
[0088]
薄膜晶体管21的源极电极层21s及漏极电极层21d分别连接至垂直有机发光晶体管20的数据线11及栅极电极层20g。
[0089]
如图3中所示，垂直有机发光晶体管20被形成为实质上覆盖由数据线11、电流供应线12及栅极线13勾勒出的整个区，以实现显示器1的高亮度，同时薄膜晶体管21被形成为在此所勾勒出的区的隅角中占用尽可能小的空间，以使对垂直有机发光晶体管20的发光区的影响最小化。
[0090]
电容器23未在图3至图5中示出。此实施例的垂直有机发光晶体管20包括作为寄生装置的电容器23，如图4或图5中所示，源极电极层20s与栅极电极层20g经由栅极绝缘层20h彼此相对排列。此电容器23也能够起到电压保持的作用。若被配置为寄生装置的此电容器23所提供的电容不足，则可添加另一电容器。
[0091]
下面列出可用于相应层的材料的实例。
[0092]
对于栅极线13及配线层辅助线14a，可采用铝(al)、钛(ti)、钼(mo)、钨(w)、铌(nb)、镁(mg)、银(ag)、铜(cu)以及其组合的金属合金。
[0093]
对于基板30，可采用玻璃材料或塑料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(poly ethylene terephthalate，pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(poly ethylene naphthalate，pen)及聚酰亚胺。
[0094]
对于垂直有机发光晶体管20的漏极电极层20d，可采用单层或多层石墨烯、碳纳米管、铝(al)、银(ag)、氟化锂(lif)、氧化钼(mo
x
oy)、氧化铟锡(ito)及氧化锌(zno)。
[0095]
对于垂直有机发光晶体管20的栅极电极层20g，可采用例如氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、二氧化锡(sno2)及氧化镉(cdo)等可掺杂有金属的金属掺杂或非掺杂透明导电氧化物、以及p掺杂或n掺杂硅(si)或砷化镓(gaas)，所述金属是例如铝(al)、锡(sn)、钇(y)、钪(sc)及镓(ga)以及包含其组合的材料或者铝(al)、金(au)、银(ag)、铂(pt)、镉(cd)、镍(ni)及钽(ta)以及其组合。
[0096]
对于垂直有机发光晶体管20的表面层31与栅极电极层20g之间的栅极绝缘层20h，可采用氧化硅(sio
x
)、氧化铝(al2o3)、氮化硅(si3n4)、氧化钇(y2o3)、钛酸铅(pbtio
x
)、钛酸铝(altio
x
)、玻璃及例如聚对二甲苯聚合物、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚乙烯基苯酚、聚甲基丙烯酸甲酯及氟聚合物等有机化合物。
[0097]
对于垂直有机发光晶体管20的有机半导体层20a，可采用的材料包括：线性环状多环芳族化合物(或并苯化合物(acene compound))，例如萘、蒽、红荧烯、并四苯、并五苯、并六苯及其衍生物；颜料，例如(举例而言)铜酞菁(copper phthalocyanine，cupc)化合物、偶氮化合物、苝化合物及其衍生物；低分子化合物，例如(举例而言)腙化合物、三苯基甲烷化合物、二苯基甲烷化合物、二苯乙烯化合物、烯丙基乙烯基化合物、吡唑啉化合物、三苯胺衍
生物(triphenylamine derivative，tpd)、芳基胺化合物、低分子量胺衍生物(α-npd)、2,2',7,7'-四(二苯基氨基)-9,9'-螺二芴(2,2',7,7'-tetrakis(diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene，spiro-tad)、n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基-4,4'-二氨基联苯基(n,n'-di(1-naphthyl)-n,n'-diphenyl-4,4'-diaminobiphenyl，spiro-npb)、4,4',4"-三[n-3-甲基苯基-n-苯基氨基]-三苯基胺(4,4',4"-tris[n-3-methylphenyl-n-phenylamino]-triphenylamine，mmtdata)、2,2',7,7'-四(2,2-二苯基乙烯基)-9,9-螺二芴(2,2',7,7'-tetrakis(2,2-diphenylvinyl)-9,9-spirobifluorene，spiro-dpvbi)、4,4'-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯基(4,4'-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl，dpvbi)、(8-羟基喹啉)铝((8-quinolinolate)aluminum，alq)、三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-quinolinolato)aluminum，alq3)、三(4-甲基-8羟基喹啉)铝(tris(4-methyl-8quinolinolato)aluminum，almq3)及其衍生物；聚合物化合物，例如(举例而言)聚噻吩、聚(对亚苯亚乙烯)(poly(p-phenylenevinylene)，ppv)、含联苯基的聚合物、含二烷氧基的聚合物、烷氧基苯基ppv、苯基ppv、苯基/二烷氧基ppv共聚物、聚(2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基)(poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene)，meh-ppv)、聚(乙烯二氧基噻吩)(poly(ethylenedioxythiophene)，pedot)、聚(苯乙烯磺酸)(poly(styrenesulfonic acid)，pss)、聚(苯胺)(poly(aniline)，pam)、聚(n-乙烯基咔唑)、聚(乙烯基芘)、聚(乙烯基蒽)、芘甲醛树脂、卤化乙基咔唑甲醛树脂及其改性物；n型输送有机低分子、寡聚物或聚合物，例如(举例而言)5,5_-二全氟己基羰基-2,2_:5_,2_:5_,2_-四噻吩(dfhco-4t)、α,ω-二全氟己基四噻吩(dfh-4t)、二(全氟苯基羰基)-2,2'5',2”5”,2-四聚噻吩(dfco-4t)、聚{[n,n'-双(2-辛基十二烷醇)萘-1,4,5,8-双-(二甲酰亚胺)-2,6-二基]-5,5'-(2,2'-双噻吩)}(p(ndi2od-t2))、n,n'-双(正辛基)-二氰乙炔-3,4,9,10-双(二甲酰亚胺)(pdi
8-cn2)、n,n'-1h,1h-全氟丁基二氰基苝酰亚胺(pdif-cn2)、以及氟化酞菁铜(f16cupc)、富勒烯、萘、以及苝及寡聚噻吩衍生物；以及具有噻吩环的芳族化合物，例如噻吩并[3,2-b]噻吩、二萘基[2,3-b:2’,3
’‑
f]噻吩并[3,2-b]噻吩(dinaphthyl[2,3-b:2’,3
’‑
f]thieno[3,2-b]thiophene，dntt)、2-癸基-7-苯基[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩(2-decyl-7-phenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene，btbt)等。
[0098]
对具有匹配能级(energy level)的有机半导体的适当选择使得能够有利地对垂直有机发光晶体管20使用用于标准oled显示器的空穴注入层、空穴输送层、有机el层、电子输送层、电子注入层等。有机el层20c的材料选自以上群组，以使得发射至外部的光被调节为具有例如红色、绿色及蓝色等颜色。作为另一选择，垂直有机发光晶体管20可被配置成发射白光，即相同的垂直有机发光晶体管20可被配置成使用彩色滤光片选择性地发射为所期望颜色的光。
[0099]
表面层31是出于固定源极电极层20s(具体而言，cnt层)的目的而形成于栅极绝缘层20h之上的层。表面层31可通过施加包含由硅烷耦合材料(silane coupling material)、丙烯酸树脂等制成的粘结剂树脂的组合物形成。
[0100]
对于包含于薄膜晶体管21中的氧化物半导体层21a，可采用in-ga-zn-o半导体、zn-o半导体(zno)、in-zn-o半导体(izo(注册商标))、zn-ti-o半导体(zto)、cd-ge-o半导体、cd-pb-o半导体、氧化镉(cdo)、mg-zn-o半导体、in-sn-zn-o半导体(例如，in2o
3-sno
2-zno)、in-ga-sn-o半导体等。
[0101]
尽管此实施例中的薄膜晶体管21是氧化物半导体，然而薄膜晶体管可由非晶硅制成。半导体可为p型或n型。可采用具体而言包括交错型、倒置交错型、共面型、倒置共面型等在内的配置中的任一者。
[0102]
在有机半导体层20a与用于绝缘的表面层31之间形成有堆积层(bank layer)24。在源极电极层20s连接至数据线11的点处，堆积层24被形成为例如填充设置于表面层31及栅极绝缘层20h中的间隙，以容许电性连接。
[0103]
对于垂直有机发光晶体管20，可利用上述专利文件1及2中阐述的垂直有机发光晶体管20。此外，也可采用专利文件3中阐述的配置。
[0104]
其中电流供应线12由配线层辅助线14a连接的上述配置使得电流供应线12与配线层辅助线14a之间的连接点能够具有与其他被连接的电流供应线12的连接点处的电压值相同的电压值。即，在由于电流供应线12的电阻变化而导致极端局部电压降的情况下，电压被连接至配线层辅助线14a的其他电流供应线12抬高。如在此实施例中，电流供应线12与配线层辅助线14a之间的连接点越多，则电流供应线12的电压在显示器1之上变得越完全均匀。
[0105]
此种方式使由配线层辅助线14a连接的电流供应线12的电压变得均匀。因此，实现了具有更佳显示品质的显示器1，其中在每一电流供应线12中很少出现局部电压降，以使得显示缺陷不太可能被辨别。
[0106]
第二实施例
[0107]
将主要以不同于第一实施例的点为中心来阐述本发明的显示器1的第二实施例的配置。
[0108]
图6是一个实施例中的发光部分10及其邻近之处的示意性装置配置的俯视平面图。图7是沿图6所示的a-a’的剖视图。作为沿图6所示的a-a’的剖视图，图7示出与图4中的第一实施例相同的配置。图8是沿图6所示的b-b的剖视图。如图6及图8中所示，在第二实施例中，除配线层辅助线14a以外，由与栅极电极层20g相同的材料制成的电极层辅助线14b和配线层辅助线14a平行地形成于与垂直有机发光晶体管20的栅极电极层20g相同的层中。
[0109]
由于如上所述，电极层辅助线14b配置于与垂直有机发光晶体管20的栅极电极层20g相同的层中，因此此辅助线可能无法设置于其中形成有垂直有机发光晶体管20的区中。即，电极层辅助线形成于与其中存在垂直有机发光晶体管20的区不同的区中。然而，由于配线层辅助线14a与电极层辅助线14b如图6及图8中所示形成于不同的层中，因此配线层辅助线14a与电极层辅助线14b可在z方向上重叠。
[0110]
即，此种配置使得能够减小两个辅助线14(14a及14b)的相应电阻值，同时使发光区的大小减小最小化。辅助线14(14a及14b)的电阻越小，则由流经辅助线14(14a及14b)的电流引起的电压降越小，此能够使得每一电流供应线12中的电压差被更多地减小。此进一步确保每一电流供应线12中很少出现局部电压降，且使得能够实现具有更佳显示品质的显示器1。
[0111]
第三实施例
[0112]
将主要以不同于第一实施例及第二实施例的点为中心来阐述本发明的显示器1的第三实施例的配置。
[0113]
尽管以上给出的说明概述了仅提供配线层辅助线14a的配置以及提供配线层辅助线14a与电极层辅助线14b二者的配置，然而也可仅提供电极层辅助线14b。
[0114]
第四实施例
[0115]
将主要以不同于第一实施例、第二实施例及第三实施例的点为中心来阐述本发明的显示器1的第四实施例的配置。
[0116]
图9是一个实施例中的发光部分10及其邻近之处的示意性装置配置的俯视平面图。图10是沿图9所示的a-a’的剖视图。如图9及图10中所示，在第四实施例中，垂直有机发光晶体管20的源极电极层20s在至少二或更多个像素之间连续延伸，以使得其实质上用作电流供应线12。另外，在显示器1的制造工艺期间，在源极电极层20s形成之后，可对源极电极层20s进行附加的处理和/或加工(例如化学掺杂)，以使得源极电极层20s的导电性可显著增加。在形成堆积层24之后，可对源极电极层20s的被暴露出的区进行另一种处理和/或加工(例如化学处理、热处理和/或紫外(ultra-violet，uv)辐射)，以逆转之前处理的效果，以使得源极电极层20s可恢复初始固有电阻率及电子特性，同时堆积层24充当掩模(mask)，以维持在其覆盖下的源极电极层20s的增加的导电性。
[0117]
如在第四实施例中，具有耦合于一起的源极电极层20s的像素越多，则相应垂直有机发光晶体管20的源极电极层20s中的电压在整个显示器1之上变得越均匀，以使得实现几乎不显示可见的显示缺陷且展现出更佳的显示品质的显示器1。
[0118]
尽管源极电极层20s被阐述为在相应垂直有机发光晶体管20之间是连续的而使得在第四实施例中不提供电流供应线12，然而也可与第四实施例的配置一起形成电流供应线12。
[0119]
第五实施例
[0120]
将主要以不同于第一实施例至第四实施例的点为中心来阐述本发明的显示器1的第五实施例的配置。
[0121]
其中提供电流供应线12的第四实施例可与第一实施例至第三实施例的配置中的任一者加以组合，且通过此种对措施的组合使用，相较于第四实施例的电压差，每一电流供应线12中的电压差可被更多地减小。此确保每一电流供应线12中很少出现局部电压降，且使得能够实现具有更佳显示品质的显示器1。
[0122]
其他实施例
[0123]
下面将阐述其他实施例。
[0124]
《1》显示器1可被配置成通过将自有机el层20c输出的光发射至与基板30相对的一侧来显示图像。此种配置被称为“顶部发射型(top emission type)”，且优点在于，其使得装置及配线也能够配置于垂直有机发光晶体管20与基板30之间。
[0125]
《2》上述显示器1的配置及控制方法仅为实例，且本发明不限于各种所示配置。