透明导电层、透明导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件及图像显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种透明导电层，其特征在于，具备在厚度方向彼此相对的第1主面及第2主面，所述透明导电层为在与所述厚度方向正交的面方向延伸的单一的层，所述透明导电层具有：多个晶粒；将所述多个晶粒分隔、且厚度方向一端缘及另一端缘各自在所述第1主面及所述第2主面各自中开放的多个第1晶界；和从一个所述第1晶界的厚度方向中间部分支、并到达与所述一个第1晶界邻接的另一所述第1晶界的厚度方向中间部的第2晶界。2.根据权利要求1所述的透明导电层，其特征在于，所述第2晶界在剖面图中具有顶点，该顶点位于相对于将一个所述第1晶界的厚度方向中间部与另一所述第1晶界的厚度方向中间部连接的线段远离5nm以上的位置。3.根据权利要求1或2所述的透明导电层，其特征在于，材料为含锡的氧化物。4.根据权利要求1或2所述的透明导电层，其特征在于，厚度为100nm以上。5.一种透明导电性片，其特征在于，具备：权利要求1或2所述的透明导电层；和位于所述透明导电层的所述第2主面侧的基材片。6.一种接触式传感器，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。7.一种调光元件，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。8.一种光电转换元件，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。9.一种热射线控制构件，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。10.一种天线，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。11.一种电磁波屏蔽构件，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。12.一种图像显示装置，其特征在于，具备权利要求1或2所述的透明导电层。

技术总结
透明导电层3具备在厚度方向彼此相对的第1主面5及第2主面6。透明导电层3为在与厚度方向正交的面方向延伸的单一的层。透明导电层3具有：多个晶粒4；将多个晶粒4分隔、且厚度方向一端缘9及另一端缘10各自在第1主面5及第2主面6各自中开放的多个第1晶界7；和从一个第1晶界7A的第1中间部11分支、并到达另一第1晶界7B的第2中间部12的第2晶界8。的第2中间部12的第2晶界8。的第2中间部12的第2晶界8。


技术研发人员：藤野望
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：2021.01.29
技术公布日：2022/9/13