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套刻误差量测的抽样方法以及抽样装置与流程

2022-09-15 06:32:07 来源:中国专利 TAG:


1.本技术涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种套刻误差量测的抽样方法、抽样装置、电子设备、计算机可读存储介质以及光刻系统。


背景技术:

2.当前层光刻图层与前层光刻图层的套刻误差,用以表征两个或多个关联层的相对位移。为了保证光刻图层之间的套刻误差可控,并为后续制程提供较为准确的参数调整依据,现有技术会采用线上抽样方法对光刻图层的套刻误差进行确定。当前的线上抽样规则基于光刻图层的lot id(即晶圆批次id),比如,定义lot id的最后一位数字为1或者2的光刻图层批次采用20%的抽样比例,lot id的最后一位数字为3、4或者5的光刻图层批次采用30%的抽样比例。
3.上述的设置方法可能导致部分关联层组合被漏抽检,进而造成部分关联层的套刻误差监控不到位的问题。
4.在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解,因此,背景技术中可能包含某些信息,这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。


技术实现要素:

5.本技术的主要目的在于提供一种套刻误差量测的抽样方法、抽样装置、电子设备、计算机可读存储介质以及光刻系统,以解决现有技术中光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
6.根据本技术实施例的一个方面,提供了一种套刻误差量测的抽样方法,包括:获取第一制程信息,所述第一制程信息为目标前层图形的制程信息,所述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;至少根据所述第一制程信息,确定多个待抽样批次,其中,同一个所述待抽样批次中各所述目标前层图形的所述第一制程信息相同;分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测。
7.可选地,获取第一制程信息,包括:确定影响所述套刻精度的前层因素;确定与所述前层因素有关的所述前层光刻图形为所述目标前层图形;获取所述目标前层图形的所述制程信息,得到所述第一制程信息。
8.可选地,在至少根据所述第一制程信息,确定多个待抽样批次之前,所述方法还包括:获取第二制程信息,所述第二制程信息为所述当前层光刻图形的制程信息。
9.可选地,至少根据所述第一制程信息,确定多个待抽样批次,包括:根据所述第一制程信息以及所述第二制程信息,确定多个所述待抽样批次,同一个所述待抽样批次中,所述当前层光刻图形的所述第二制程信息相同。
10.可选地,根据所述第一制程信息以及所述第二制程信息,确定多个所述待抽样批次,包括:将不同的所述第一制程信息对应的最终图形划分为不同的第一预定批次,其中,
所述最终图形由套刻的所述前层光刻图形与所述当前层光刻图形构成;将所述第一预定批次中,不同的所述第二制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第二预定批次,得到多个所述待抽样批次。
11.可选地,所述第一制程信息包括第一加工时段信息,将不同的所述第一制程信息对应的最终图形划分为不同的第一预定批次,包括:将不同的所述第一制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第三预定批次;根据各所述目标前层图形的第一加工时段信息,将各所述第三预定批次中,位于同一个第一加工周期内的所述目标前层图形对应的所述最终图形作为一个所述第一预定批次,得到多个所述第一预定批次。
12.可选地,所述第二制程信息包括第二加工时段信息,将所述第一预定批次中,不同的所述第二制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第二预定批次,包括:将所述第一预定批次中,不同的所述第二制程信息对应的所述最终图形划分为不同的第四预定批次;根据所述当前层光刻图形的第二加工时段信息,将各所述第四预定批次中,位于同一个第二加工周期内的所述当前层光刻图形对应的所述最终图形作为一个所述第二预定批次,得到多个所述第二预定批次。
13.可选地,分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测,包括:获取不同的所述待抽样批次对应的抽样比例;按照所述抽样比例对对应的所述待抽样批次的套刻误差进行抽样检测。
14.可选地,所述第一制程信息包括所述目标前层图形的加工机台信息以及所述加工机台对应的综合制程能力指数,获取不同的所述待抽样批次对应的抽样比例,包括:根据各所述待抽样批次对应的所述综合制程能力指数,确定对应的所述抽样比例,所述综合制程能力指数与所述抽样比例负相关。
15.可选地,在分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测之后,所述方法还包括:根据所述套刻误差,确定修正后的用于减小所述套刻误差的制程参数;发送所述制程参数至加工机台。
16.可选地,所述第一制程信息包括所述目标前层图形的机台信息、光罩信息、加工路径信息以及套刻步骤的数量中的至少之一。
17.可选地,所述第二制程信息包括所述当前层光刻图形的机台信息、光罩信息、加工路径信息以及套刻步骤的数量中的至少之一。
18.根据本技术实施例的另一方面,还提供了一种套刻误差量测的抽样装置,包括第一获取单元、第一确定单元以及抽测单元,其中,所述第一获取单元用于获取第一制程信息,所述第一制程信息为目标前层图形的制程信息,所述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;所述第一确定单元用于至少根据所述第一制程信息,确定多个待抽样批次,其中,同一个所述待抽样批次中各所述目标前层图形的所述第一制程信息相同;所述抽测单元用于分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测。
19.根据本技术实施例的再一方面,还提供了一种电子设备,所述电子设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时实现本技术任一种所述的方法的步骤。
20.根据本技术实施例的又一方面,还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现本技术任一种所述的方法的步骤。
21.根据本技术实施例的另一方面,还提供了一种光刻系统,所述光刻系统包括光刻机以及所述光刻机的控制装置,所述控制装置包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时实现本技术任一种所述的方法的步骤。
22.采用本技术的技术方案,所述的套刻误差量测的抽样方法中,首先,获取目标前层图形的第一制程信息,所述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;然后,至少根据所述第一制程信息,确定多个待抽样批次,每个待抽样批次中的所述目标前层图形的所述第一制程信息相同;最后,分别对各所述待抽样批次的套刻误差进行抽测。本技术的所述方法,根据与当前层光刻图形的套刻精度相关的前层光刻图形的不同制程信息,将前层光刻图形与当前层光刻图形的组合划分出多个待抽样批次,使得不同的所述待抽样批次中各前层光刻图形的制程信息不同,这样保证了不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都会被抽到,避免了部分组合层监控不到位的问题,保证了制程监控能力较好,套刻精度较为可控,有效地缓解了现有技术的光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
附图说明
23.构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解,本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术,并不构成对本技术的不当限定。在附图中:
24.图1示出了根据本技术的实施例的套刻误差量测的抽样方法的流程示意图;
25.图2示出了根据本技术的实施例的套刻误差量测的抽样装置的示意图。
具体实施方式
26.需要说明的是,在不冲突的情况下,本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
27.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本技术保护的范围。
28.需要说明的是,本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本技术的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
29.应该理解的是,当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时,该元件可直接在该另一元件上,或者也可存在中间元件。而且,在说明书以及权利要求书中,当描述有元件“连接”至另一元件时,该元件可“直接连接”至该另一元件,或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
30.正如背景技术中所说的,现有技术中的光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位,为了解决上述问题,本技术的一种典型的实施方式中,提供了一种套刻误差量测的抽样方法、抽样装置、电子设备、计算机可读存储介质以及光刻系统。
31.根据本技术的实施例,提供了一种套刻误差量测的抽样方法。
32.图1是根据本技术实施例的套刻误差量测的抽样方法的流程图。如图1所示,该方法包括以下步骤:
33.步骤s101,获取第一制程信息,上述第一制程信息为目标前层图形的制程信息,上述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;
34.步骤s102,至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次,其中,同一个上述待抽样批次中各上述目标前层图形的上述第一制程信息相同;
35.步骤s103,分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测。
36.上述的套刻误差量测的抽样方法中,首先,获取目标前层图形的第一制程信息,上述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;然后,至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次,每个待抽样批次中的上述目标前层图形的上述第一制程信息相同;最后,分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测。本技术的上述方法,根据与当前层光刻图形的套刻精度相关的前层光刻图形的不同制程信息,将前层光刻图形与当前层光刻图形的组合划分出多个待抽样批次,使得不同的上述待抽样批次中各前层光刻图形的制程信息不同,这样保证了不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都会被抽到,避免了部分组合层监控不到位的问题,保证了制程监控能力较好,套刻精度较为可控,有效地缓解了现有技术的光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
37.具体地,上述目标前层图形可以为影响当前层光刻图形的一个前层光刻图形,也可以包括影响当前层光刻图形的多个前层光刻图形。当上述目标前层图形包括影响当前层光刻图形的多个前层光刻图形时,对每个前层光刻图形进行编号以及分析。
38.为了保证较为简单且准确地得到第一制程信息,根据本技术的一种具体的实施例,获取第一制程信息,包括:确定影响上述套刻精度的前层因素;确定与上述前层因素有关的上述前层光刻图形为上述目标前层图形;获取上述目标前层图形的上述制程信息,得到上述第一制程信息。通过影响套刻精度的前层因素,找到上述目标前层图形,保证了可以较为快速地找到目标前层图形,且保证了找到的上述目标前层图形较为准确,都是与当前层光刻图形的套刻精度有关的前层光刻图形,进而保证了得到的第一制程信息较为准确,从而进一步地保证了根据第一制程信息得到的待抽样批次可以基本包括前层光刻图形与当前层光刻图形的组合,进一步地缓解了现有光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位,造成制程监控能力较差的问题。
39.根据本技术的另一种具体的实施例,在至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次之前,上述方法还包括:获取第二制程信息,上述第二制程信息为上述当前层光刻图形的制程信息。机台不稳定以及不同制程机台的差异,使得得到的各个当前层光刻图形之间的套刻误差也不相同,为了进一步地保证不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都被抽到,最大限度地减少某段时间内的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合被漏抽测的可能性,本技术还会获取上述当前层光刻图形的第二制程信息,这样方便了后续综合考虑第一制程信息以及第二制程信息,对待抽检的前层光刻图形与当前层光刻图形的
组合产品分批次。
40.本技术的又一种具体的实施例中,至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次,包括:根据上述第一制程信息以及上述第二制程信息,确定多个上述待抽样批次,同一个上述待抽样批次中,上述当前层光刻图形的上述第二制程信息相同。通过将不同的第一制程信息以及不同的第一制程信息的组合分成不同的抽检批次,进一步地实现了对光刻过程中各个前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都进行抽测的效果。
41.在实际的应用过程中,本领域技术人员可以根据上述第一制程信息以及上述第二制程信息,选择任意合适的方式来确定多个待抽样批次,本技术具体的一种实施例中,根据上述第一制程信息以及上述第二制程信息,确定多个上述待抽样批次,包括:将不同的上述第一制程信息对应的最终图形划分为不同的第一预定批次,其中,上述最终图形由套刻的上述前层光刻图形与上述当前层光刻图形构成;将上述第一预定批次中,不同的上述第二制程信息对应的上述最终图形划分为不同的第二预定批次,得到多个上述待抽样批次。
42.当然,根据上述第一制程信息以及上述第二制程信息确定多个待抽样批次的具体过程并不限于上述的过程,本领域技术人员还可以采用其他的方式来确定多个上述待抽样批次。比如,根据上述第一制程信息以及上述第二制程信息,确定多个上述待抽样批次,包括:将不同的上述第二制程信息对应的最终图形划分为不同的第五预定批次,其中,上述最终图形由套刻的上述前层光刻图形与上述当前层光刻图形构成;将上述第五预定批次中,不同的上述第一制程信息对应的上述最终图形划分为不同的第六预定批次,得到多个上述待抽样批次。
43.为了进一步地缓解光刻过程中,部分组合层的套刻误差监控不到位的问题,进一步地保证光刻过程的套刻精度较为可控,根据本技术的另一种具体的实施例,上述第一制程信息包括第一加工时段信息,将不同的上述第一制程信息对应的最终图形划分为不同的第一预定批次,包括:将不同的上述第一制程信息对应的上述最终图形划分为不同的第三预定批次;根据各上述目标前层图形的第一加工时段信息,将各上述第三预定批次中,位于同一个第一加工周期内的上述目标前层图形对应的上述最终图形作为一个上述第一预定批次,得到多个上述第一预定批次。
44.需要说明的是,上述第一加工时段信息为表征目标前层图形的加工起止时刻的信息,即上述第一加工时段信息包括目标前层图形的加工开始时刻以及加工结束时刻的信息,第一加工周期为预设的时间段。位于同一个第一加工周期内的上述目标前层图形,是指加工起止时刻均落在同一个上述第一加工周期的上述目标前层图形,如当第一加工周期为12点~15点的情况下,第一加工时段信息为12:05~12:55、12:30~13:20以及13:00~15:00的多个目标前层图形作为上述第一预定批次。
45.具体地,上述第二制程信息包括第二加工时段信息,将上述第一预定批次中,不同的上述第二制程信息对应的上述最终图形划分为不同的第二预定批次,包括:将上述第一预定批次中,不同的上述第二制程信息对应的上述最终图形划分为不同的第四预定批次;根据上述当前层光刻图形的第二加工时段信息,将各上述第四预定批次中,位于同一个第二加工周期内的上述当前层光刻图形对应的上述最终图形作为一个上述第二预定批次,得到多个上述第二预定批次。这样可以进一步地降低部分前层与当前层光刻图形的组合产品被跳过的可能性,进一步地保证光刻过程的套刻精度较为可控。
46.需要说明的是,上述第二加工时段信息为表征当前层光刻图形的加工起止时刻的信息,即上述第二加工时段信息包括当前层光刻图形的加工开始时刻以及加工结束时刻的信息,第二加工周期为预设的时间段。位于同一个第二加工周期内的上述当前层光刻图形,是指加工起止时刻均落在同一个上述第二加工周期的上述当前层光刻图形,如当第二加工周期为16点~22点的情况下,第一加工时段信息为17:20~19:20、18:00~20:00以及21:00~22:00的多个当前层图形作为上述第二预定批次。
47.上述的第一加工周期以及上述第二加工周期,可以根据机台的稳定性、机台参数的调整间隔等影响目标前层图形或者当前层光刻图形的套刻误差的加工参数的变化时长来确定,本领域技术人员可以根据实际的影响参数来确定上述第一加工周期以及上述第二加工周期,且上述第一加工周期与上述第二加工周期并不是固定的,是根据实际情况灵活调整的。
48.再一种具体的实施例中,分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测,包括:获取不同的上述待抽样批次对应的抽样比例;按照上述抽样比例对对应的上述待抽样批次的套刻误差进行抽样检测。根据抽样比例对不同的待抽样批次进行抽测,进一步地实现了对光刻过程中套刻误差的有效监控,进一步地保证了可以及时发现制程异常并进行对应处理。本领域技术人员可以通过run-to-run系统来设置上述的抽样比例。
49.另外,上述第一制程信息包括上述目标前层图形的加工机台信息以及上述加工机台对应的综合制程能力指数(complex process capability index,简称cpk),获取不同的上述待抽样批次对应的抽样比例,包括:根据各上述待抽样批次对应的上述综合制程能力指数,确定对应的上述抽样比例,上述综合制程能力指数与上述抽样比例负相关。cpk为制程水平的量化反应,是表示制程水平高低的指标,根据不同机台的cpk,来确定对应机台产出的最终图形的抽样比例,进一步地保证了确定的抽样比例较为合理,从而进一步地保证了对光刻过程的制程监控能力较好,进一步地减少了不良品的产生,保证了得到的最终图形的总体质量较好。
50.具体地,在一种实施方式中,对应于加工机台的cpk,可以规划如下lot水平的抽样比例,如:
51.cpk《0.67时,抽样比例可以为20%;
52.cpk《1时,抽样比例可以为10%;
53.cpk≥1时,抽样比例可以为5%;
54.cpk≥1.33时,抽样比例可以为2%。
55.为了进一步地保证光刻得到的产品的套刻误差符合设计要求,进一步地实现对光刻得到的产品的套刻精度的有效控制,本技术的另一种具体的实施例中,在分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测之后,上述方法还包括:根据上述套刻误差,确定修正后的用于减小上述套刻误差的制程参数;发送上述制程参数至加工机台。
56.在实际的应用过程中,本领域技术人员可以根据经验,列举出影响套刻精度的前层光刻图形的制程信息,之后再对这些制程信息进行一一对应验证,确定上述第一制程信息;还可以通过当前层光刻图形和前层光刻图形的对准确定要选定的前层光刻图形的第一制程信息,如旁置电路与旁置电路,array(阵列)区与array区,beol(back end of line,后端制程)metal routing(金属布线)以及contact(接触管路)等;还可以通过对收集的当前
层光刻图形的套刻数据进行预知故障和输入源头分析确定上述第二制程信息,如前层光刻图形1的机台和前层光刻图形2的光罩,上述第二制程信息的确定过程与上述第一制程信息的确定过程原理相同,此处不再赘述。当然,确定上述第一制程信息以及上述第二制程信息的具体方式并不限于上述的方式,本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择合适的方式,或者对上述方式进行灵活调整。一种具体的实施例中,上述第一制程信息包括上述目标前层图形的机台信息、光罩信息、加工路径信息以及套刻步骤的数量中的至少之一。上述第二制程信息包括上述当前层光刻图形的机台信息、光罩信息、加工路径信息以及套刻步骤的数量中的至少之一。
57.需要说明的是,在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行,并且,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
58.本技术实施例还提供了一种套刻误差量测的抽样装置,需要说明的是,本技术实施例的套刻误差量测的抽样装置可以用于执行本技术实施例所提供的用于套刻误差量测的抽样方法。以下对本技术实施例提供的套刻误差量测的抽样装置进行介绍。
59.图2是根据本技术实施例的套刻误差量测的抽样装置的示意图。如图2所示,该装置包括第一获取单元10、第一确定单元20以及抽测单元30,其中,上述第一获取单元10用于获取第一制程信息,上述第一制程信息为目标前层图形的制程信息,上述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;上述第一确定单元20用于至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次,其中,同一个上述待抽样批次中各上述目标前层图形的上述第一制程信息相同;上述抽测单元30用于分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测。
60.上述的套刻误差量测的抽样装置中,通过上述第一获取单元获取目标前层图形的第一制程信息,上述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;通过上述第一确定单元至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次,每个待抽样批次中的上述目标前层图形的上述第一制程信息相同;通过上述抽测单元分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测。本技术的上述装置,根据与当前层光刻图形的套刻精度相关的前层光刻图形的不同制程信息,将前层光刻图形与当前层光刻图形的组合划分出多个待抽样批次,使得不同的上述待抽样批次中各前层光刻图形的制程信息不同,这样保证了不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都会被抽到,避免了部分组合层监控不到位的问题,保证了制程监控能力较好,套刻精度较为可控,有效地缓解了现有技术的光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
61.具体地,上述目标前层图形可以为影响当前层光刻图形的一个前层光刻图形,也可以包括影响当前层光刻图形的多个前层光刻图形。当上述目标前层图形包括影响当前层光刻图形的多个前层光刻图形时,对每个前层光刻图形进行编号以及分析。
62.为了保证较为简单且准确地得到第一制程信息,根据本技术的一种具体的实施例,上述第一获取单元包括第一确定模块、第二确定模块以及第一获取模块,其中,上述第一确定模块用于确定影响上述套刻精度的前层因素;上述第二确定模块用于确定与上述前层因素有关的上述前层光刻图形为上述目标前层图形;上述第一获取模块用于获取上述目标前层图形的上述制程信息,得到上述第一制程信息。通过影响套刻精度的前层因素,找到
上述目标前层图形,保证了可以较为快速地找到目标前层图形,且保证了找到的上述目标前层图形较为准确,都是与当前层光刻图形的套刻精度有关的前层光刻图形,进而保证了得到的第一制程信息较为准确,从而进一步地保证了根据第一制程信息得到的待抽样批次可以基本包括前层光刻图形与当前层光刻图形的组合,进一步地缓解了现有光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位,造成制程监控能力较差的问题。
63.根据本技术的另一种具体的实施例,上述装置还包括第二获取单元,上述第二获取单元用于在至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次之前,获取第二制程信息,上述第二制程信息为上述当前层光刻图形的制程信息。机台不稳定以及不同制程机台的差异,使得得到的各个当前层光刻图形之间的套刻误差也不相同,为了进一步地保证不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都被抽到,最大限度地减少某段时间内的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合被漏抽测的可能性,本技术还会获取上述当前层光刻图形的第二制程信息,这样方便了后续综合考虑第一制程信息以及第二制程信息,对待抽检的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合产品分批次。
64.本技术的又一种具体的实施例中,上述第一确定单元包括第三确定模块,上述第三确定模块用于根据上述第一制程信息以及上述第二制程信息,确定多个上述待抽样批次,同一个上述待抽样批次中,上述当前层光刻图形的上述第二制程信息相同。通过将不同的第一制程信息以及不同的第一制程信息的组合分成不同的抽检批次,进一步地实现了对光刻过程中各个前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都进行抽测的效果。
65.在实际的应用过程中,本领域技术人员可以根据上述第一制程信息以及上述第二制程信息,选择任意合适的方式来确定多个待抽样批次,本技术具体的一种实施例中,上述第三确定模块包括第一划分子模块以及第二划分子模块,其中,上述第一划分子模块用于将不同的上述第一制程信息对应的最终图形划分为不同的第一预定批次,其中,上述最终图形由套刻的上述前层光刻图形与上述当前层光刻图形构成;上述第二划分子模块用于将上述第一预定批次中,不同的上述第二制程信息对应的上述最终图形划分为不同的第二预定批次,得到多个上述待抽样批次。
66.当然,根据上述第一制程信息以及上述第二制程信息确定多个待抽样批次的具体过程并不限于上述的过程,本领域技术人员还可以采用其他的方式来确定多个上述待抽样批次。比如,上述第三确定模块包括第三划分子模块以及第四划分子模块,其中,上述第三划分子模块用于将不同的上述第二制程信息对应的最终图形划分为不同的第五预定批次,其中,上述最终图形由套刻的上述前层光刻图形与上述当前层光刻图形构成;上述第四划分子模块用于将上述第五预定批次中,不同的上述第一制程信息对应的上述最终图形划分为不同的第六预定批次,得到多个上述待抽样批次。
67.为了进一步地缓解光刻过程中,部分组合层的套刻误差监控不到位的问题,进一步地保证光刻过程的套刻精度较为可控,根据本技术的另一种具体的实施例,上述第一制程信息包括第一加工时段信息,上述第一划分子模块还用于将不同的上述第一制程信息对应的上述最终图形划分为不同的第三预定批次;上述第一划分子模块还用于根据各上述目标前层图形的第一加工时段信息,将各上述第三预定批次中,位于同一个第一加工周期内的上述目标前层图形对应的上述最终图形作为一个上述第一预定批次,得到多个上述第一预定批次。
68.需要说明的是,上述第一加工时段信息为表征目标前层图形的加工起止时刻的信息,即上述第一加工时段信息包括目标前层图形的加工开始时刻以及加工结束时刻的信息,第一加工周期为预设的时间段。位于同一个第一加工周期内的上述目标前层图形,是指加工起止时刻均落在同一个上述第一加工周期的上述目标前层图形,如当第一加工周期为12点~15点的情况下,第一加工时段信息为12:05~12:55、12:30~13:20以及13:00~15:00的多个目标前层图形作为上述第一预定批次。
69.具体地,上述第二制程信息包括第二加工时段信息,上述第二划分子模块还用于将上述第一预定批次中,不同的上述第二制程信息对应的上述最终图形划分为不同的第四预定批次;上述第二划分子模块还用于根据上述当前层光刻图形的第二加工时段信息,将各上述第四预定批次中,位于同一个第二加工周期内的上述当前层光刻图形对应的上述最终图形作为一个上述第二预定批次,得到多个上述第二预定批次。这样可以进一步地降低部分前层与当前层光刻图形的组合产品被跳过的可能性,进一步地保证光刻过程的套刻精度较为可控。
70.需要说明的是,上述第二加工时段信息为表征当前层光刻图形的加工起止时刻的信息,即上述第二加工时段信息包括当前层光刻图形的加工开始时刻以及加工结束时刻的信息,第二加工周期为预设的时间段。位于同一个第二加工周期内的上述当前层光刻图形,是指加工起止时刻均落在同一个上述第二加工周期的上述当前层光刻图形,如当第二加工周期为16点~22点的情况下,第一加工时段信息为17:20~19:20、18:00~20:00以及21:00~22:00的多个当前层图形作为上述第二预定批次。
71.上述的第一加工周期以及上述第二加工周期,可以根据机台的稳定性、机台参数的调整间隔等影响目标前层图形或者当前层光刻图形的套刻误差的加工参数的变化时长来确定,本领域技术人员可以根据实际的影响参数来确定上述第一加工周期以及上述第二加工周期,且上述第一加工周期与上述第二加工周期并不是固定的,是根据实际情况灵活调整的。
72.再一种具体的实施例中,上述抽测单元包括第二获取模块以及抽测模块,其中,上述第二获取模块用于获取不同的上述待抽样批次对应的抽样比例;上述抽测模块用于按照上述抽样比例对对应的上述待抽样批次的套刻误差进行抽样检测。根据抽样比例对不同的待抽样批次进行抽测,进一步地实现了对光刻过程中套刻误差的有效监控,进一步地保证了可以及时发现制程异常并进行对应处理。本领域技术人员可以通过run-to-run系统来设置上述的抽样比例。
73.另外,上述第一制程信息包括上述目标前层图形的加工机台信息以及上述加工机台对应的综合制程能力指数(complex process capability index,简称cpk),上述第二获取模块包括确定子模块,上述确定子模块用于根据各上述待抽样批次对应的上述综合制程能力指数,确定对应的上述抽样比例,上述综合制程能力指数与上述抽样比例负相关。cpk为制程水平的量化反应,是表示制程水平高低的指标,根据不同机台的cpk,来确定对应机台产出的最终图形的抽样比例,进一步地保证了确定的抽样比例较为合理,从而进一步地保证了对光刻过程的制程监控能力较好,进一步地减少了不良品的产生,保证了得到的最终图形的总体质量较好。
74.具体地,在一种实施方式中,对应于加工机台的cpk,可以规划如下lot水平的抽样
比例,如:
75.cpk《0.67时,抽样比例可以为20%;
76.cpk《1时,抽样比例可以为10%;
77.cpk≥1时,抽样比例可以为5%;
78.cpk≥1.33时,抽样比例可以为2%。
79.为了进一步地保证光刻得到的产品的套刻误差符合设计要求,进一步地实现对光刻得到的产品的套刻精度的有效控制,本技术的另一种具体的实施例中,上述装置还包括第二确定单元和发送单元,其中,上述第二确定单元用于在分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测之后,根据上述套刻误差,确定修正后的用于减小上述套刻误差的制程参数;上述发送单元用于发送上述制程参数至加工机台。
80.在实际的应用过程中,本领域技术人员可以根据经验,列举出影响套刻精度的前层光刻图形的制程信息,之后再对这些制程信息进行一一对应验证,确定上述第一制程信息;还可以通过当前层光刻图形和前层光刻图形的对准确定要选定的前层光刻图形的第一制程信息,如旁置电路与旁置电路,array(阵列)区与array区,beol(back end of line,后端制程)metal routing(金属布线)以及contact(接触管路)等;还可以通过对收集的当前层光刻图形的套刻数据进行预知故障和输入源头分析确定上述第二制程信息,如前层光刻图形1的机台和前层光刻图形2的光罩,上述第二制程信息的确定过程与上述第一制程信息的确定过程原理相同,此处不再赘述。当然,确定上述第一制程信息以及上述第二制程信息的具体方式并不限于上述的方式,本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择合适的方式,或者对上述方式进行灵活调整。一种具体的实施例中,上述第一制程信息包括上述目标前层图形的机台信息、光罩信息、加工路径信息以及套刻步骤的数量中的至少之一。上述第二制程信息包括上述当前层光刻图形的机台信息、光罩信息、加工路径信息以及套刻步骤的数量中的至少之一。
81.上述套刻误差量测的抽样装置包括处理器和存储器,上述第一获取单元、上述第一确定单元以及上述抽测单元等均作为程序单元存储在存储器中,由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。
82.处理器中包含内核,由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上,通过调整内核参数来缓解现有技术中光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
83.存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器,随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式,如只读存储器(rom)或闪存(flash ram),存储器包括至少一个存储芯片。
84.本技术实施例提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有程序,该程序被处理器执行时实现上述套刻误差量测的抽样方法。
85.本技术实施例提供了一种处理器,上述处理器用于运行程序,其中,上述程序运行时执行上述套刻误差量测的抽样方法。
86.具体地,本技术实施例提供了一种电子设备,上述电子设备包括存储器、处理器以及存储在上述存储器上的计算机程序,上述计算机程序被上述处理器执行时实现至少以下步骤:
87.步骤s101,获取第一制程信息,上述第一制程信息为目标前层图形的制程信息,上述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;
88.步骤s102,至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次,其中,同一个上述待抽样批次中各上述目标前层图形的上述第一制程信息相同;
89.步骤s103,分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测。
90.本文中的设备可以是服务器、pc、pad、手机等。
91.本技术还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,上述计算机程序被处理器执行时实现至少以下步骤:
92.步骤s101,获取第一制程信息,上述第一制程信息为目标前层图形的制程信息,上述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;
93.步骤s102,至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次,其中,同一个上述待抽样批次中各上述目标前层图形的上述第一制程信息相同;
94.步骤s103,分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测。
95.根据本技术的又一种典型的实施例,还提供了一种光刻系统,上述光刻系统包括光刻机以及上述光刻机的控制装置,上述控制装置包括存储器、处理器以及存储在上述存储器上的计算机程序,上述计算机程序被上述处理器执行时实现任一种上述的方法的步骤。
96.上述的光刻系统包括光刻机以及其控制装置,上述控制装置用于执行任一种上述的方法。该光刻系统根据与当前层光刻图形的套刻精度相关的前层光刻图形的不同制程信息,将前层光刻图形与当前层光刻图形的组合划分出多个待抽样批次,使得不同的上述待抽样批次中各前层光刻图形的制程信息不同,这样保证了不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都会被抽到,避免了部分组合层监控不到位的问题,保证了制程监控能力较好,套刻精度较为可控,有效地缓解了现有技术的光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
97.在本技术的上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
98.在本技术所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的技术内容,可通过其它的方式实现。其中,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如上述单元的划分,可以为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,单元或模块的间接耦合或通信连接,可以是电性或其它的形式。
99.上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
100.另外,在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。
101.上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用
时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本技术各个实施例上述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:u盘、只读存储器(rom,read-only memory)、随机存取存储器(ram,random access memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
102.从以上的描述中,可以看出,本技术上述的实施例实现了如下技术效果:
103.1)、本技术上述的套刻误差量测的抽样方法中,首先,获取目标前层图形的第一制程信息,上述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;然后,至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次,每个待抽样批次中的上述目标前层图形的上述第一制程信息相同;最后,分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测。本技术的上述方法,根据与当前层光刻图形的套刻精度相关的前层光刻图形的不同制程信息,将前层光刻图形与当前层光刻图形的组合划分出多个待抽样批次,使得不同的上述待抽样批次中各前层光刻图形的制程信息不同,这样保证了不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都会被抽到,避免了部分组合层监控不到位的问题,保证了制程监控能力较好,套刻精度较为可控,有效地缓解了现有技术的光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
104.2)、本技术上述的套刻误差量测的抽样装置中,通过上述第一获取单元获取目标前层图形的第一制程信息,上述目标前层图形为影响当前层光刻图形的套刻精度的前层光刻图形;通过上述第一确定单元至少根据上述第一制程信息,确定多个待抽样批次,每个待抽样批次中的上述目标前层图形的上述第一制程信息相同;通过上述抽测单元分别对各上述待抽样批次的套刻误差进行抽测。本技术的上述抽样装置,根据与当前层光刻图形的套刻精度相关的前层光刻图形的不同制程信息,将前层光刻图形与当前层光刻图形的组合划分出多个待抽样批次,使得不同的上述待抽样批次中各前层光刻图形的制程信息不同,这样保证了不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都会被抽到,避免了部分组合层监控不到位的问题,保证了制程监控能力较好,套刻精度较为可控,有效地缓解了现有技术的光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
105.3)、本技术上述的光刻系统包括光刻机以及其控制装置,上述控制装置用于执行任一种上述的方法。该光刻系统根据与当前层光刻图形的套刻精度相关的前层光刻图形的不同制程信息,将前层光刻图形与当前层光刻图形的组合划分出多个待抽样批次,使得不同的上述待抽样批次中各前层光刻图形的制程信息不同,这样保证了不同的前层光刻图形与当前层光刻图形的组合基本都会被抽到,避免了部分组合层监控不到位的问题,保证了制程监控能力较好,套刻精度较为可控,有效地缓解了现有技术的光刻过程中部分组合层的套刻误差监控不到位的问题。
106.以上所述仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,对于本领域的技术人员来说,本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。
再多了解一些

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