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电流生成电路及驱动芯片的制作方法

2022-05-18 22:17:53 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型涉及显示驱动领域,具体而言,涉及一种电流生成电路及驱动芯片。


背景技术:

2.目前在led显示驱动芯片应用中,待驱动电路即负载,需要依靠恒流源驱动电路提供的电流驱动。上述过程中电路的恒流源驱动电路部分充当相当重要的角色,其主要作用是为待驱动电路提供零温度系数的全局电流,进而根据全局电流向负载例如led灯提供输出电流,以驱动led灯。上述过程中,通过恒流源驱动电路输出的全局电流需要大小可变可调,然而,由于led灯常常在驱动电流较小时无法点亮,因此相关技术中的恒流源驱动电路框架中用于调节电流大小的档位中存在许多无效的调节档位,导致电路结构和性能的浪费,并且led显示屏在显示过程中存在低灰无法起辉的问题。
3.针对上述的问题,目前尚未提出有效的解决方案。


技术实现要素:

4.本实用新型实施例提供了一种电流生成电路及驱动芯片,以至少解决传统的恒流源驱动电路生成的全局电流无法驱动负载的技术问题。
5.根据本实用新型实施例的一个方面,提供了一种用于生成全局电流的电流生成电路,包括:电流控制模块和目标电流生成模块,其中,所述电流控制模块接收精准电流,并根据所述精准电流生成全局电流;所述目标电流生成模块,与所述电流控制模块连接,用于调节所述全局电流的电流起始点。
6.通过采用目标电流生成模块调节全局电流的电流起始点,达到了保证电流生成电路采用全档位中任意档位生成全局电流时均能够成功驱动负载的目的,解决了传统的恒流源驱动电路生成的全局电流无法驱动负载的技术问题。
7.可选地,所述电流生成电路还包括:电流增益调节模块,其中,所述电流增益调节模块,与所述电流控制模块以及所述目标电流生成模块连接,用于调节所述全局电流的电流增益。
8.通过采用电流增益调节模块对全局电流的电流增益进行调节,达到了改变电流生成电路档位与电流增益幅度的对应关系,实现对全局电流的精确调节,此外还可以实现对全局电流的电流值调节范围的改变。
9.可选地,所述目标电流生成模块包括至少一个目标电流生成单元,所述至少一个目标电流生成单元与所述电流控制模块连接,用于调节所述全局电流的电流起始点。
10.可选地,所述目标电流生成单元包括:第一开关元件和电流起始点调节元件,其中,所述第一开关元件,用于控制所述电流起始点调节元件与所述电流控制模块连接;所述电流起始点调节元件,通过所述第一开关元件与所述电流控制模块连接;所述目标电流生成单元,用于通过改变所述电流起始点调节元件与所述电流控制模块的连接状态,调节所述全局电流的电流起始点。
11.可选地,所述电流起始点调节元件包括:第一场效应晶体管,所述第一开关元件包括单刀单掷开关。
12.可选地,所述电流增益调节模块包括:至少一个电流增益调节单元,其中,所述电流增益调节单元与所述电流控制模块连接,用于调节所述全局电流的电流增益。
13.可选地,每个所述电流增益调节单元包括:第二开关元件和电流增益调节元件,其中,所述第二开关元件,用于控制所述电流增益调节元件与所述电流控制模块连接;所述电流增益调节元件,通过所述第二开关元件与所述电流控制模块连接;所述电流增益调节单元,用于通过改变所述电流增益调节元件与所述电流控制模块的连接状态,调节所述全局电流的电流增益。
14.可选地,所述电流增益调节元件包括:第二场效应晶体管,所述第二开关元件包括单刀单掷开关。
15.可选地,上述电流生成电路还包括:控制器,其中,所述控制器分别连接于所述目标电流生成模块和所述电流增益调节模块,用于根据所述全局电流的目标值调控所述目标电流生成模块和所述电流增益调节模块。
16.可选地,上述电流生成电路还包括:偏置模块,其中,所述偏置模块连接所述电流控制模块,用于向所述电流控制模块提供所述精准电流。
17.根据本实用新型实施例的另一个方面,还提供了一种驱动芯片,其中,所述驱动芯片包括上述任意一项电流生成电路。
18.在本实用新型实施例中,采用用于生成全局电流的电流生成电路,其中电流生成电路包括:电流控制模块和目标电流生成模块,所述电流控制模块接收精准电流,并根据所述精准电流生成全局电流;所述目标电流生成模块,与所述电流控制模块连接,用于调节所述全局电流的电流起始点,达到了保证电流生成电路采用全档位中任意档位生成全局电流时均能够成功驱动负载的目的,从而实现了减少恒流源驱动电路框架中的电流生成电路中的电路结构浪费的技术效果,进而解决了传统的恒流源驱动电路生成的全局电流无法驱动负载的技术问题。
附图说明
19.此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本技术的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
20.图1是根据相关技术提供的一种电流镜的电路图;
21.图2是根据相关技术提供的常规电流镜输出电流的示意图;
22.图3是根据本实用新型实施例提供的电流生成电路的结构框图;
23.图4是根据本实用新型实施例提供全局电流的示意图;
24.图5是根据本实用新型可选实施方式提供的另一全局电流的示意图;
25.图6是根据本实用新型可选实施方式提供的电流生成电路的电路图。
具体实施方式
26.为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案,下面将结合本实用新型实
施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本实用新型保护的范围。
27.需要说明的是,本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本实用新型的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
28.首先,对本技术实施例进行描述的过程中出现的部分名词或者术语适用于如下解释:
29.电流镜(current mirror),芯片中的电路结构,在芯片内部可以以一个基准电流为基础,镜像出一定比例的电流。
30.mos管,即场效应管,是mosfet的缩写,mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效应晶体管,管内包括g(gate栅极)、s(source源级)和d(drain漏级)。
31.pmos管,是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的mos管,别名positive mos。
32.nmos,是指p型衬底、n沟道的mos管,别名negative mos。
33.漏源电压差,写作vdsat,mos管进入饱和区时,一般放大器和电流镜cmos管需要工作在饱和区,且针对于电流镜结构,vdsat越大,电流精度越高。
34.管漏源电压差,写作vds,即mos管的d和s两级间的电压差。
35.管栅源电压差,写作vgs,即mos管的g和s两级间的电压差。
36.实施例1
37.图1是根据相关技术提供的一种电流镜的电路图,如图1所示,此结构是一个成熟的电流镜结构,相关技术中的恒流源驱动电路架构中基本都会运用到,其工作原理是,通过让m1和m2两个nmos管的vgs一致且两个管都工作在饱和区,从iout处镜像出与iin成比例的镜像输出电流,镜像电流的大小可以根据电流公式iout=iin*(size2/size1)得到,公式中size2表示m2管的沟道宽度尺寸,size1表示m1管的沟道宽度尺寸,从公式中可以看到可以通过变化电流镜中的mos管的沟道尺寸来改变电流镜的输出电流。
38.此外,图2是根据相关技术提供的常规电流镜输出电流的示意图,如图2所示,横坐标代表常规电流镜的输出电流控制档位,图中的线段代表的电流镜包括256个档位;纵坐标代表电流镜的输出电流。由图中可以看到,常规电流镜的输出电流随档位变化的增益曲线是一条直线,随着档位的变化输出电流从0开始逐渐增大。对于某些负载,例如led灯而言,当恒流源驱动电路提供的输出电流达不到点亮led灯的最低值时,led灯都不会亮。直到输出电流能够点亮led灯为止,在此之前对恒流源驱动电路进行的档位调节均没有意义,电流镜的多个输出电流调节档位失去了调节意义,导致输出电流实际的变化范围被大大缩小了。
39.图3是根据本实用新型实施例提供的电流生成电路的结构框图,如图3所示,该电流生成电路30包括电流控制模块32和目标电流生成模块34,下面对该电流生成电路30进行详细说明:
40.电流控制模块32,用于接收精准电流,并根据精准电流生成全局电流。
41.目标电流生成模块34,与电流控制模块连接,用于调节全局电流的电流起始点。
42.需要说明的是,上述电流生成电路也可以被称为用于驱动负载的恒流源驱动电路,电流生成电路生成全局电流后,全局电流经过一定处理后输出给负载,驱动负载进行作业。可选地,负载可以为led灯,可以通过改变恒流源驱动电路的全局电流调节向led输出的电流的大小,进而调节led灯的亮度,以及进一步地对led显示屏进行显示图像的控制。
43.可选地,精准电流和全局电流中的至少一个可以为零温度系数电流,零温度系数电流为电流值几乎不随温度变化而改变的电流。电流生成电路可以通过自身电路结构,将稳定、精确的零温度系数的精准电流镜像出负载所需求的全局电流。
44.上述结构中,目标电流生成模块34通过调节全局电流的电流起始点,解决了当电流生成电路处于较低档位时根据精准电流生成的全局电流无法驱动负载的技术问题。可选地,电流控制模块可以包括多个档位,对应不同档位可以根据精准电流生成电流大小不同的全局电流并输出,电流控制模块的档位可以称为电流生成电路或者恒流源驱动电路的档位。其中,全局电流的起始点可以为电流生成电路处于最低档位时所输出的全局电流的大小,目标电流生成模块通过调节全局电流的电流起始点,使得电流生成电路在处于最低档位的情况下输出的全局电流依然可以成功驱动负载。
45.作为一种可选的实施方式,目标电流生成模块可以生成一个固定大小的台阶电流,并将台阶电流汇入全局电流中,起到将全局电流的电流值“抬升”的作用,使得电流生成电路在任意档位下输出的全局电流均至少大于上述台阶电流对应的值,保证根据全局电流输出至负载的输出电流可以稳定驱动负载,例如当负载为led时,不至于发生由于输出电流的电流值太小导致led显示屏在显示过程中出现低灰无法起辉的问题。
46.在上述电路结构中,采用用于生成全局电流的电流生成电路,其中电流生成电路包括:电流控制模块和目标电流生成模块,电流控制模块接收精准电流,并根据精准电流生成全局电流;目标电流生成模块,与电流控制模块连接,用于调节全局电流的电流起始点,达到了保证电流生成电路采用全档位中任意档位生成全局电流时均能够成功驱动负载的目的,从而实现了减少恒流源驱动电路框架中的电流生成电路中的电路结构浪费的技术效果,进而解决了传统的恒流源驱动电路生成的全局电流无法驱动负载的技术问题。
47.图4是根据本实用新型实施例提供的全局电流的示意图,如图4所示,纵坐标表示电流生成电路输出的全局电流,横坐标表示电流生成电路的档位。可以发现,即使电流生成电路的档位为0,目标电流生成模块依然可以通过提供一个“抬升”电流以改变全局电流的电流起始点。可选地,在全局电流用于驱动led灯的情况下,电流起始点的大小可以设置为刚好可以微微点亮led灯的电流大小,实现了保证电流生成电路输出的全局电流在全档位均可以点亮led灯的效果,避免电流生成电路处于部分低档位时输出的全局电流太小无法点亮led灯,造成这些档位失去调节意义。
48.作为一种可选的实施例,上述电流生成电路还可以包括偏置模块,其中,偏置模块连接于电流控制模块,用于为电流控制模块提供精准电流。本可选的实施例中,为了保证输
入电流控制模块的电流为零温度系数精准电流,可以由偏置模块对输入电流进行调校以消除输入电流的电流精度失配现象,得到稳定、准确的精准电流,并将精准电流输入至电流控制模块。
49.作为一种可选的实施例,目标电流生成模块可以包括至少一个目标电流生成单元,至少一个目标电流生成单元与电流控制模块连接,用于调节全局电流的电流起始点。本可选的实施例中,目标电流生成模块也可以具有多个档位,每一个目标电流生成单元可以对应目标电流生成模块的一个档位,进而支持用户将全局电流的电流起始点调节至所需要的电流值。
50.作为一种可选的实施例,目标电流生成单元可以包括第一开关元件和电流起始点调节元件,其中,第一开关元件,用于控制电流起始点调节元件与电流控制模块连接;电流起始点调节元件,通过第一开关元件与电流控制模块连接;目标电流生成单元,用于通过改变电流起始点调节元件与电流控制模块的连接状态,调节全局电流的电流起始点。需要说明的是,每一个目标电流生成单元可以对应目标电流生成模块的一个档位,因此可以通过第一开关元件控制目标电流生成模块的档位选择,根据驱动负载所需的最低电流值自如地改变全局电流的电流起始点。
51.作为一种可选的实施例,电流起始点调节元件可以包括第一场效应晶体管,第一开关元件包括单刀单掷开关中,当然本领域技术人员可以理解的是,电流起始点调节元件和第一开关元件分别以场效应晶体管和单刀单掷开关进行示例说明,其并不构成对电流起始点调节元件和第一开关元件的限制,任何可以在本实用新型中起到与场效应晶体管和单刀单掷开关相同效果的器件均包括在本实用新型的保护范围内。例如,第一开关元件还可以选用寄存器开关。
52.作为一种可选的实施例,电流生成电路还可以包括电流增益调节模块,其中,电流增益调节模块与电流控制模块以及目标电流生成模块连接,用于调节全局电流的电流增益。
53.本可选的实施例中,当恒流源驱动电路不启用电流增益调节模块时,全局电流的电流值随档位线性增加如图2所示;当恒流源驱动电路启用电流增益调节模块时,电流增益调节模块可以调节全局电流的电流增益幅度,电流的增益幅度指改变恒流源驱动电路的相同的档位使得输出的全局电流增益的幅度或者减益的幅度发生变化,反映在恒流源驱动电路的全局电流的示意图中,即图5中折线的斜率。
54.图5是根据本实用新型可选实施方式提供的另一全局电流的示意图,如图5所示,通过电流增益调节模块对电流生成电路的电路结构的调节,可以实现改变相同的档位差的情况下,输出的全局电流的增益幅度不同,以及将全局电流的最大值进行增幅。
55.作为一种可选的实施例,电流增益调节模块可以包括至少一个电流增益调节单元,其中,电流增益调节单元与电流控制模块连接,用于调节全局电流的电流增益。本可选的实施例中,电流增益调节模块也可以具有至少一个增益档位。需要说明的是,每一个电流增益调节单元可以对应电流增益调节模块的一个档位,通过改变与电流生成电路连接的电流增益调节单元的结构和数量,可以改变电流增益调节模块的档位,进而改变全局电流的电流增益。
56.作为一种可选的实施例,每个电流增益调节单元可以包括第二开关元件和电流增
益调节元件,其中,第二开关元件,用于控制电流增益调节元件与电流控制模块连接;电流增益调节元件,通过第二开关元件与电流控制模块连接;电流增益调节单元,用于通过改变电流增益调节元件与电流控制模块的连接状态,调节全局电流的电流增益。本实施例中,电流控制模块每接入一个电流增益调节元件,都可以细化档位对全局电流的电流增益幅度。即,每接入一个电流增益调节元件,调整一个档位差后电流增减幅度会下降一定的值。
57.作为一种可选的实施例,电流增益调节元件可以包括第二场效应晶体管,第二开关元件包括单刀单掷开关。本领域的技术人员可以理解的是,电流增益调节元件和第二开关元件分别以场效应晶体管和单刀单掷开关进行示例说明,其并不构成对电流增益调节元件和第二开关元件的限制,任何可以在本实用新型中起到与场效应晶体管和单刀单掷开关相同效果的器件均包括在本实用新型的保护范围内。例如,第二开关元件还可以选用寄存器开关。
58.作为一种可选的实施例,电流生成电路可以包括控制器,其中,控制器分别连接于目标电流生成模块和电流增益调节模块,用于根据全局电流的目标值调控目标电流生成模块和电流增益调节模块。其中,全局电流的目标值为用户希望全局电流达到的电流值。控制器获取到全局电流的目标值之后,可以结合全局电流当前的输出值确定电流差值,并根据电流差值和当前电流生成电路的档位状态确定一个目标档位,然后通过控制目标电流生成模块和电流增益调节模块,将电流生成电路调节至目标档位且电流生成电路处于目标档位时输出的全局电流的值为上述目标值。
59.可选的,控制器可以按照如下过程调节:s1,根据当前的档位状态,当前的全局电流值和全局电流的目标值,首先确定一个合理的目标档位,使得该目标档位在总的调节范围靠近中间的位置;s2,然后,计算电流差值与档位差值的比值,得到目标电流增益(电流值/档位);s3,根据当前的电流增益(即当前调节每个档位时电流的改变值)和目标电流增益,确定目标电流生成模块和电流增益调节模块中每个开关的目标开闭状态;s4,调节目标电流生成模块和电流增益调节模块中每个开关的状态至目标开闭状态;s5,将电流控制模块的档位由当前档位调至目标档位。
60.本实用新型还提供了一种驱动芯片,该驱动芯片可以包括上述的任意一种电流生成电路,用于生成驱动负载的输出电流,解决传统的恒流源驱动电路生成的全局电流无法驱动负载的技术问题。驱动芯片包括的电流生成电路可以生成电流起始点可调、增益可调的全局电流,驱动芯片可以进一步地对全局电流进行一定的处理以输出。
61.图6是根据本实用新型可选实施方式提供的电流生成电路的电路图。如图6所示,作为一种可选的实施方式,电流生成电路可以包括电流控制模块32,目标电流生成模块34,电流增益调节模块36和偏置模块38。下面针对图6所示的电流生成电路进行详细说明,本领域技术人员可以理解的是,下述电路结构的说明仅为一种优选的实施方式,并不构成对本实用新型技术方案的限定,本领域的普通技术人员可以基于本实用新型的发明构思对局部结构进行改进和润饰,这些改进和润饰也应当包含在本实用新型的保护范围内。
62.图6中左侧iin部分包括了一个提供输入电流的结构,rext为6k欧姆的外接高精度电阻,运算放大器实现电压的钳位一致,在nmos管漏极产生一个200ua的零温度系数的输入电流并给到偏置模块38。偏置模块38对该输入电流进行调校,然后输入至位于im-iout部分的电流控制模块32一个200ua的精准电流,该精准电流经过偏置模块38调校后保证精准、稳
定,不会发生电流精度失配的问题。电流控制模块32根据精准电流生成全局电流,电流控制模块32同时与目标电流生成模块34和电流增益调节模块36连接,通过目标电流生成模块34获取一个“抬升”电流,并通过电流增益调节模块36调节全局电流的电流增益幅度,在生成iout部分的电路中生成全局电流,之后可以对全局电流进行处理得到驱动负载电流,对全局电流进一步处理的电路结构在图中并未示出。下面对图6中的各个电路模块的具体结构以及功能进行详细说明。
63.偏置模块38可以为如图所示的pmos电流镜,pmos电流镜连接电流源,从电流源获取较为稳定的200ua的电流。该电流经过pmos电流镜1:1复制,并从y点流出,得到输入电流控制模块的精准电流。
64.电流控制模块32可以采用8档位的nmos管电流镜结构,图中电流镜结构左侧32i的nmos管与电流增益调节模块36中的两个nmos管并联连接,电流镜结构右侧的对应8个档位的8组nmos管与目标电流生成模块34并联连接。与nmos管连接的《0》至《7》可以为寄存器开关。此外,电流生成电路还可以包括运放,运放用于钳位电位,例如,将x点与y点的电位钳位一致。
65.本可选实施方式中,i可以用来表示mos管的单位沟道尺寸,64i即该mos管的沟道尺寸为64*i,由于mos管的尺寸与电流大小成正相关,也可以认为当电流导通后该mos管中流过的电流为i和64i。图6中,电流控制模块接收一个200ua的精准电流,通过电流镜结构镜像出一个全局电流,使得恒流源驱动电路可以根据该全局电流输出电流给负载,以驱动例如led灯的负载。由于电流镜的镜像电流的大小可以根据电流公式iout=iin*(size2/size1)确定,iin表示输入电流镜的电流,iout表示电流镜镜像出的电流,size1表示电流镜中输入电流侧的mos管沟道宽度尺寸的总和,size2表示电流镜输出电流侧的mos管沟道宽度尺寸的总和。因此,可以采用第一开关元件(图中未示出)控制目标电流生成模块一侧的mos管(图中未示出)与电流控制模块32连接,以及采用第二开关元件控制电流增益调节模块36中的mos管与电流控制模块32连接,进而可以改变电流镜两侧的mos管尺寸总和的比值,进而改变镜像出的全局电流的大小,实现对镜像输出的全局电流的调控。
66.可选地,电流增益调节模块36和目标电流生成模块34的开关均断开的情况下,若电流控制模块32调到最高档位,则nmos管电流镜左右两边的mos管沟道总尺寸比为32i/128i,由此可知iout=4*im=800ua,其中im表示经过了pmos电流镜后得到的精准电流。由于在nmos电流镜的电流输出侧采用了指数递增的8个nmos管(即电流调控模块32框内的nmos管),因此这800ua的电流增益可以被分成256个档位,每个档位对应的电流增益为3.125ua。
67.由于在电流镜的电流输入侧引入了2个并联的nmos管(也可以更多,根据应用场景设计电路即可,这两个nmos管即电流增益调节模块36框内的两个nmos管),且采用寄存器开关控制并联nmos管的接入,当并入32i的nmos管时,左右两边的电流镜尺寸比为64i/128i,由此可知iout=2*im=400ua、1.5625ua/档位,此时提供一种新的输出电流随档位提升的增益速度。相反也可以将原本的32i拆分为两个16i,左右两边的电流镜尺寸比就成了16i/128i,由此可知iout=8*im=1600ua、6.25ua/档位等。通过本可选的实施方式,可以配置任意电流增益速度,且可以选择电流匹配性最好的配置,从而保证负载的驱动输出电流的精确性。
68.结合图5,根据公式iout=iin*(size2/size1),若电流镜的电流输入侧的size1变成了原来的2倍,相比于输入侧的size1不变的情况,此时电流输出侧的mos管尺寸每增加i,产生的输出电流的增益幅度仅有原来的二分之一,反映在图5中即折线的斜率变小。通过本可选的实施例,可以实现根据需求改变电流镜不同输出侧的档位对应的增益幅度,实现了在输出电流较小的时候对输出电流的精细调节,提高了电流的调节精度。
69.可选地,nmos管电流镜多个电流输出侧mos管的宽度尺寸可以依次递增。例如,电流输出侧的nmos管的尺寸可以在基准尺寸的基础上,以2的指数形式逐步递增。例如,在第一个输出侧nmos管的尺寸为1的情况下,往后的每个输出侧nmos管的尺寸分别为2,4,8,16
……
通过采用尺寸递增的多个电流输出侧的nmos管,减少了遍历所有输出电流档位所需要的输出侧nmos管的数量。例如,若所有输出侧nmos管均为基准尺寸,则当输出的全局电流需要达到129档的大小时,需要在电流镜的输出侧并联129个基准尺寸的输出侧nmos管;但是若采用递增的输出侧nmos管的布局,可以仅启用输出侧的基准尺寸为1和基准尺寸为128的两个nmos管即可,大大节省了电流镜中需要的硬件结构。
70.需要说明的是,对于mos管而言,其电流精度的影响因素十分复杂,具体的,mos管的输出电流是由vdsat,vgs,vds,vth,尺寸size共同决定的,所以只要有一个参数变化iout就会偏离理论值,这个问题只能去优化,不能完全解决掉。此外,mos输出的电流的精度基本上与管的沟道尺寸成正相关,因此,当iout从零开始取较小的值的时候,mos管的输出电流的精度很难保证。因此可选地,目标电流生成模块可以通过调控电流控制模块生成的全局电流的电流起始点,避免出现全局电流的电流值过小的情况,并通过电流增益调节模块对电流控制模块的全局电流的增益进行调节,通过上述过程可以提高全局电流的电流精度。
71.上述本实用新型实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
72.在本实用新型的上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
73.除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。同时,应当明白,为了便于描述,附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
74.在本实用新型的描述中,需要理解的是,方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,在未作相反说明的情况下,这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制;方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
75.为了便于描述,在这里可以使用空间相对术语,如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等,用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特
征的空间位置关系。应当理解的是,空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的器件被倒置,则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而,示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位),并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
76.在本技术所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的技术内容,可通过其它的方式实现。其中,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如所述单元的划分,可以为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,单元或模块的间接耦合或通信连接,可以是电性或其它的形式。
77.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
78.另外,在本实用新型各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。
79.所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本实用新型的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本实用新型各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:u盘、只读存储器(rom,read-only memory)、随机存取存储器(ram,random access memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
80.以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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