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钌的半导体用处理液及其制造方法与流程

2022-05-12 02:11:17 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种钌的半导体用处理液,其含有次溴酸离子。2.根据权利要求1所述的半导体用处理液,其中,所述次溴酸离子为0.001mol/l以上且0.20mol/l以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体用处理液,其中,所述次溴酸离子为0.01mol/l以上且0.10mol/l以下。4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述半导体用处理液进一步包含氧化剂,该氧化剂的氧化还原电位超过次溴酸离子/br

系的氧化还原电位。5.根据权利要求4所述的半导体用处理液,其中,所述半导体用处理液所含的氧化剂为次氯酸离子或臭氧。6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述半导体用处理液进一步含有四烷基铵离子。7.根据权利要求6所述的半导体用处理液,其中,所述四烷基铵离子为四甲基铵离子。8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体用处理液,其中,半导体用处理液中所含的溴元素1摩尔中的所述次溴酸离子的比例超过0.5摩尔。9.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述处理液的ph为8以上且14以下。10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述处理液的ph为12以上且小于13。11.一种钌的半导体用处理液,其至少含有:含溴的化合物、氧化剂、碱化合物以及水,相对于合计质量,所述含溴的化合物的添加量按溴元素量计为0.008质量%以上且小于10质量%,所述氧化剂的添加量为0.1质量ppm以上且10质量%以下,并且ph为8以上且14以下。12.根据权利要求11所述的钌的半导体用处理液,其中,所述含溴的化合物的添加量按溴元素量计为0.08质量%以上且小于2.0质量%。13.根据权利要求11或12所述的钌的半导体用处理液,其中,所述含溴的化合物的添加量按溴元素量计为0.01质量%以上且小于2质量%,所述氧化剂的添加量为0.1质量%以上且10质量%以下。14.根据权利要求11~13中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述钌为钌系金属或钌合金。15.根据权利要求11~14中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述氧化剂为次氯酸化合物或臭氧。16.根据权利要求11~15中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述含溴的化合物为溴盐或溴化氢。17.根据权利要求16所述的半导体用处理液,其中,所述溴盐为四烷基溴化铵。18.根据权利要求17所述的半导体用处理液,其中,所述四烷基溴化铵为四甲基溴化铵。
19.根据权利要求11~18中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述碱化合物为四甲基氢氧化铵。20.根据权利要求11~19中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述ph为12以上且14以下。21.根据权利要求11~20中任一项所述的半导体用处理液,其中,所述ph为12以上且小于13。22.根据权利要求14所述的半导体用处理液,其中,所述钌系金属含有70原子%以上的钌。23.根据权利要求14所述的半导体用处理液,其中,所述钌系金属为金属钌。24.根据权利要求14所述的半导体用处理液,其中,所述钌合金含有70原子%以上且99.99原子%以下的钌。25.根据权利要求11~24中任一项所述的半导体用处理液,其中,半导体用处理液中所含的溴元素1摩尔中的所述次溴酸离子的比例超过0.5摩尔。26.一种制造方法,其是权利要求11~25中任一项所述的半导体用处理液的制造方法,具有:使含有所述氧化剂和所述碱化合物的溶液与所述含溴的化合物混合的工序。27.一种制造方法,其是权利要求11~25中任一项所述的半导体用处理液的制造方法,具有:向所述氧化剂和所述碱化合物的水溶液中混合所述含溴的化合物的工序。28.一种基板的处理方法,其通过权利要求26或27所述的制造方法制造出半导体用处理液后,利用该半导体用处理液对堆积于基板的钌系金属膜和/或钌合金膜进行蚀刻。29.一种钌的半导体用处理液的制造方法,其具有:使含有碱化合物的溶液与次溴酸、次溴酸盐、溴水、或溴气混合的工序。30.一种钌的半导体用处理液的制造方法,其具有:使含有次氯酸化合物和碱化合物的溶液与含溴的化合物混合的工序。31.根据权利要求30所述的半导体用处理液的制造方法,其中,使含有次氯酸化合物和碱化合物的溶液与含溴的化合物混合的工序为向含有所述次氯酸化合物和所述碱化合物的溶液中添加所述含溴的化合物,进行混合的工序。32.根据权利要求29~31中任一项所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述溶液为水溶液。33.根据权利要求29~32中任一项所述的制造方法,其中,所述钌为钌系金属或钌合金。34.根据权利要求29~33中任一项所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述碱化合物为四甲基氢氧化铵。35.根据权利要求30~34中任一项所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述含溴的化合物为溴盐或溴化氢。36.根据权利要求35所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述溴盐为溴化鎓。37.根据权利要求36所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述溴化鎓为溴化四级鎓或溴化三级鎓。
38.根据权利要求37所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述溴化四级鎓为四烷基溴化铵。39.根据权利要求38所述的半导体用处理液的制造方法,其中,由四烷基氢氧化铵和溴化物离子制造所述四烷基溴化铵。40.根据权利要求38或39所述的半导体用处理液的制造方法,其中,由四烷基氢氧化铵和溴化氢制造所述四烷基溴化铵。41.根据权利要求35所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述溴盐为溴化铵、溴化钠、或溴化钾。42.根据权利要求30~41中任一项所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述含有次氯酸化合物的溶液为四烷基次氯酸铵溶液。43.根据权利要求42所述的半导体用处理液的制造方法,其中,作为制造所述四烷基次氯酸铵溶液的工序,包括:准备工序,准备四烷基氢氧化铵溶液;以及反应工序,使所述四烷基氢氧化铵溶液与氯接触,反应工序中的气相部的二氧化碳浓度为100体积ppm以下,反应工序中的液相部的ph为10.5以上。44.根据权利要求43所述的半导体用处理液的制造方法,其中,在所述准备工序中准备的四烷基氢氧化铵的烷基的碳原子数为1~10。45.根据权利要求43或44所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述反应工序中的反应温度为-35℃以上且25℃以下。46.根据权利要求43~45中任一项所述的半导体用处理液的制造方法,其中,所述反应工序中的四烷基氢氧化铵溶液中的二氧化碳浓度为0.001ppm以上且500ppm以下。

技术总结
本发明提供一种钌的半导体用处理液,其含有次溴酸离子。此外,提供一种钌的半导体用处理液,其至少添加有含溴的化合物、氧化剂、碱化合物以及水,进行混合而成,所述含溴的化合物相对于合计质量的添加量按溴元素量计为0.01质量%以上且小于2质量%,所述氧化剂的添加量为0.1质量%以上且10质量%以下,并且pH为8以上且14以下。而且,提供一种钌的半导体用处理液的制造方法,其包括:使含有次氯酸化合物和碱化合物的溶液与含溴的化合物混合的工序。和碱化合物的溶液与含溴的化合物混合的工序。


技术研发人员:佐藤伴光 吉川由树 下田享史 根岸贵幸
受保护的技术使用者:株式会社德山
技术研发日:2020.07.08
技术公布日:2022/5/10
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