一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

一种FC芯片封装结构的制作方法

2022-03-17 09:40:28 来源:中国专利 TAG:

一种fc芯片封装结构
技术领域
1.本实用新型涉及芯片封装技术的领域,具体为一种fc芯片封装结构。


背景技术:

2.flip chip又称倒装片,是一种无引脚结构,一般含有电路单元,是在i/o pad上沉积锡铅球,然后将芯片翻转加热利用熔融的锡铅球与陶瓷基板相结合此技术替换常规打线接合。该封装形式的芯片结构和i/o端(锡球)方向朝下,由于i/o引出端分布于整个芯片表面,故在封装密度和处理速度上flip chip已达到顶峰,特别是它可以采用类似smt技术的手段来加工,因此是芯片封装技术及高密度安装的最终方向。
3.flip-chip封装技术与传统的引线键合工艺相比具有许多明显的优点,包括,优越的电学及热学性能,高i/o引脚数,封装尺寸减小等。
4.封装过程中,由于fc产品芯片颗粒比较大,使用塑封料和underfill底部进行填充,fc芯片中间无锡球部分使用underfill胶水毛细现象只能填充边缘锡球部分,中间部分会出现塑封料或胶水环包空洞异常,形成环包问题,容易导致产品失效。


技术实现要素:

5.针对现有技术中存在封装时fc芯片上容易出现空洞的问题,本实用新型提供一种fc芯片封装结构,利用假片可以对fc芯片的中间空洞区进行完全填充,进而防止空洞现象的发生。
6.本实用新型是通过以下技术方案来实现:
7.一种fc芯片封装结构,包括基板、fc芯片、bump球和假片,所述bump球、假片均位于基板和fc芯片之间,所述fc芯片中心设置有空洞区,所述假片满覆位于空洞区中,所述bump球沿假片周边环绕设置。
8.优选的,所述假片的材质为硅。
9.优选的,所述假片靠近基板的一侧通过粘性物质与基板进行连接。
10.优选的,所述粘性物质为daf胶膜。
11.优选的,所述假片的横截面积与fc芯片的比值范围为1/5~1/3。
12.优选的,所述假片的厚度小于bump球的高度。
13.优选的,所述假片厚度与bump球的高度的差值为10~20mm。
14.优选的,所述假片厚度与bump球的高度的差值为20mm。
15.与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
16.本实用新型一种fc芯片封装结构利用假片代替胶水填充预防空洞,可以对芯片中心部分进行充分的填充,从而防止空洞现象的产生,进而减少了产品的失效现象,提升了fc芯片的封装质量。
17.进一步的,由硅制成的假片制备方式简单,材料容易获得,制造成本较低,具有良好的经济效益。
18.进一步的,daf胶膜在芯片封装过程中,具有很强的黏着性能、优良的覆线和表面填覆能力,有助于进一步对空洞区进行填充,防止空洞的产生。而且,daf胶膜可在进行切割时,随芯片一起切割和分离,且切割后的芯片不会因切割而造成散乱排列。
19.进一步的,对假片的横截面积进行限制是为了尽可能地适应fc芯片的大小,当假片的横截面积过大,不利于进行基板与fc芯片的连接,而假片的横截面积过小,则难以实现填充空洞区的目的。
20.进一步的,假片与bump球的高度差是为了便于进行假片与基板的连接,减少因假片过大而造成芯片与基板之间的距离过大,有助于提升产品质量。
附图说明
21.图1是本实用新型一种fc芯片封装结构的结构示意图。
22.图中,1、fc芯片;2、假片;3、bump球;4、粘性物质;5、基板。
具体实施方式
23.下面结合具体的实施例对本实用新型做进一步的详细说明,所述是对本实用新型的解释而不是限定。
24.一种fc芯片封装结构,参照图1,包括基板5、fc芯片1、bump球3和假片2,bump球3、假片2位于基板5和fc芯片1之间,fc芯片1中心设置有空洞区,假片2满覆位于空洞区中,bump球3沿假片2周边环绕设置。假片2的材质为硅。假片2靠近基板5的一侧通过粘性物质4与基板5进行连接,本实施例中粘性物质4为daf胶膜。
25.假片2的横截面积与fc芯片1的比值范围为1/5~1/3,本实施例中对假片2的横截面积与fc芯片1的横截面积为1/5。当假片2的横截面积过大,不利于进行基板5与fc芯片1的连接,而假片2的横截面积过小,则难以实现填充空洞区的目的。
26.假片2的厚度小于bump球3的直径,差值为10~20mm,本实施例中假片2厚度与bump球3的直径的差值为20mm。假片2的厚度小于bump球3的直径是为了保证fc芯片1导电性能与热传导性能,满足fc芯片1的质量要求。
27.本实用新型一种fc芯片封装结构的封装过程为:
28.s1,首先是对假片2进行加工,是通过减薄和切割获得的;在减薄的过程中daf胶膜已覆盖在假片2的一侧。
29.首先对预备假片(厚度为780微米)进行减薄,直至预备假片厚度为50微米;随后对预备假片进行切割,根据需要获得横截面积合适的假片2大小。
30.s2,将假片2与基板5进行贴合,并烘烤进行固化;
31.s3,进行fc芯片1的加工,与假片2的加工方式相同;
32.s4,将fc芯片1覆盖在假片2上进行贴合,并烘烤进行固化;
33.s5,将贴合在一起的fc芯片1、假片2和基板5进行液态塑封,液态胶固化后形成黑色的塑封膜包覆于产品外侧,实现产品的包装。
34.本实用新型一种fc芯片封装结构利用假片2代替胶水填充预防空洞,可以对fc芯片1中心部分进行充分的填充,从而防止空洞现象的产生,进而减少了产品的失效现象,提升了fc芯片1的封装质量。


技术特征:
1.一种fc芯片封装结构,其特征在于,包括基板(5)、fc芯片(1)、bump球(3)和假片(2),所述bump球(3)、假片(2)位于基板(5)和fc芯片(1)之间,所述fc芯片(1)中心设置有空洞区,所述假片(2)满覆位于空洞区中,所述bump球(3)沿假片(2)周边环绕设置。2.根据权利要求1所述的fc芯片封装结构,其特征在于,所述假片(2)的材质为硅。3.根据权利要求1所述的fc芯片封装结构,其特征在于,所述假片(2)靠近基板(5)的一侧通过粘性物质(4)与基板(5)进行连接。4.根据权利要求3所述的fc芯片封装结构,其特征在于,所述粘性物质(4)为daf胶膜。5.根据权利要求1所述的fc芯片封装结构,其特征在于,所述假片(2)的横截面积与fc芯片(1)的比值范围为1/5~1/3。6.根据权利要求5所述的fc芯片封装结构,其特征在于,所述假片(2)的厚度小于bump球(3)的高度。7.根据权利要求6所述的fc芯片封装结构,其特征在于,所述假片(2)厚度与bump球(3)的高度的差值为10~20mm。8.根据权利要求6所述的fc芯片封装结构,其特征在于,所述假片(2)厚度与bump球(3)的高度的差值为20mm。

技术总结
本实用新型涉及芯片封装技术领域,尤其涉及一种FC芯片封装结构,包括基板、FC芯片、Bump球和假片,所述Bump球、假片位于基板和FC芯片之间,所述FC芯片中心设置有空洞区,所述假片满覆位于空洞区中,所述Bump球沿假片周边环绕设置。本实用新型利用假片代替胶水填充预防空洞,对芯片中心部分进行充分的填充,防止空洞的产生。的产生。的产生。


技术研发人员:李凯
受保护的技术使用者:华天科技(南京)有限公司
技术研发日:2021.10.22
技术公布日:2022/3/16
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表

相关文献