显示面板及拼接显示屏的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种拼接显示屏。


背景技术：

2.随着拼接显示技术的不断发展，大尺寸的拼接显示屏受到越来越多的消费者的喜爱。玻璃基板成本低廉，广泛应用于显示行业。传统的玻璃基显示产品一般为单面多膜层制程，包括面内显示区域和外围区域。其中，外围区域用于布置外围走线，与显示区域中的信号线相连接，以实现面板的信号输入与输出。然而，外围区域的存在会使得拼接显示屏的拼缝过大。
3.目前而言，可以尝试通过激光等技术对玻璃基板进行精确打孔处理，进而开发双面制程工艺，实现玻璃基显示产品的无缝拼接。但传统的金属磁控溅射耗时长，且膜层黏附力差，很难对应深孔成膜(玻璃基板厚度一般0.5
‑
0.7mm)。
4.综上，现有的金属磁控溅射无法使得金属在玻璃基板的深孔内成膜，导致设计在显示面板背面的金属走线无法通过深孔与显示面板正面的显示区域的信号线连接。


技术实现要素：

5.本发明实施例提供一种显示面板及拼接显示屏，以解决现有的显示面板中，金属走线无法通过基板的过孔与显示面板正面的显示区域的信号线直接连接，导致显示面板的边框过宽，进而影响显示面板形成拼接显示屏时的拼缝明显的技术问题。
6.为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
7.本发明实施例提供一种，一种显示面板，包括显示区域，所述显示面板包括：
8.衬底，包括位于所述显示区域的多个第一通孔，所述第一通孔至少贯穿所述衬底；
9.第一信号线，设置于所述衬底的第一侧，且位于所述显示区域内；
10.第二信号线，所述第二信号线包括层叠的金属走线和桥接线；其中，
11.所述金属走线设置于所述衬底的与所述第一侧相对的第二侧，所述桥接线填充所述第一通孔，且所述桥接线电连接所述第一信号线与所述金属走线。
12.在本发明的一些实施例中，所述第一信号线包括扫描线、数据线中的至少一种，所述桥接线为ito(氧化铟锡)桥接线。
13.在本发明的一些实施例中，所述显示面板还包括：
14.栅极，设置于所述衬底的第一侧，所述扫描线与所述栅极同层设置；
15.第一绝缘层，设置于所述栅极背离所述衬底的一侧；
16.有源层，设置于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧；以及
17.源漏极层，设置于所述有源层背离所述衬底的一侧，所述数据线与所述源漏极层同层设置。
18.在本发明的一些实施例中，所述第一通孔贯穿所述衬底。
19.在本发明的一些实施例中，所述第一通孔依次贯穿所述有源层、所述第一绝缘层
以及所述衬底，所述ito桥接线电连接所述数据线与所述金属走线。
20.在本发明的一些实施例中，所述ito桥接线设置于所述金属走线背离所述衬底的一侧，所述第一通孔还贯穿所述金属走线。
21.在本发明的一些实施例中，所述第一通孔在所述衬底上的正投影位于所述ito桥接线在所述衬底上的正投影内。
22.在本发明的一些实施例中，所述金属走线的长度大于所述ito桥接线的长度。
23.在本发明的一些实施例中，所述衬底的第二侧还设置有栅极驱动器和源极驱动器，所述金属走线电连接至所述栅极驱动器或所述源极驱动器。
24.在本发明的一些实施例中，包括至少两个拼接的显示面板，所述显示面板为上述实施例中的显示面板。
25.本发明的有益效果为：本发明提供的显示面板及拼接显示屏，包括衬底和位于衬底两侧的第一信号线和金属走线，在衬底上设置第一通孔，使得可在深孔内成膜的桥接材料形成在第一通孔内，作为桥接层来桥接第一信号线和金属走线，从而实现显示面板的双面走线制程，缩减边框面积；此外，利用目前生产线设备便可实现显示面板的双面制程的深孔成膜工艺，生产效率高。
附图说明
26.图1为本发明实施例提供的拼接显示屏的结构示意图；
27.图2为本发明实施例提供的显示面板的平面示意图；
28.图3为本发明实施例提供的显示面板的另一平面示意图；
29.图4为图3中a
‑
a剖面的结构示意图；
30.图5为图3中b
‑
b剖面的结构示意图；
31.图6a至图6e为本发明实施例提供的显示面板的制备过程的结构示意图。
具体实施方式
32.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
33.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
34.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
35.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
36.请参阅图1，本发明实施例提供一种拼接显示屏1000，包括至少两个拼接的显示面板100，所述显示面板100包括显示区域aa和围绕所述显示区域aa设置的边框区域na。
37.现有技术中，边框区域na用于布置外围走线以及驱动电路等，外围走线将显示区域na内的信号线连接到驱动电路上，从而实现将驱动电路发出的信号传输至显示区域na内的信号线上，驱动显示区域aa内的像素发光。
38.由于边框区域na的存在，会导致拼接显示屏1000在显示面板100的拼接处的拼缝过大，影响显示效果。因此本发明通过对显示面板100的结构作出改进，将边框区域na的外围走线移至显示区域na内，将外围走线设计在显示面板100背面，并通过对衬底进行打孔，通过可在深孔内成膜的桥接材料作为桥接线来连接正面显示区域na内的信号走线及背面的外围走线。
39.具体地，请参阅图2至图5，所述显示面板100包括衬底10、第一信号线90、第二信号线20，所述第二信号线20包括层叠的金属走线21和桥接线，所述桥接线为ito桥接线22，ito材料可通过溶液制程在深孔内成膜，所述桥接线还可为其他能够在深孔内成膜的导电材料。
40.其中，所述衬底10包括相对的第一侧和第二侧，所述第一信号线90至少位于所述显示区域aa，所述第二信号线20的金属走线21位于所述衬底10的第二侧，所述第一侧为所述显示面板100的出光侧，所述第二侧为所述显示面板的背光侧。
41.请参阅图3至图5，所述衬底10包括位于所述显示区域aa的多个第一通孔101，所述第一通孔101至少贯穿所述衬底10。所述ito桥接线22填充所述第一通孔101，所述ito桥接线22电连接所述第一信号线90与所述金属走线21，以实现将现有技术中的外围走线移至显示面板100的背面，从而缩减边框所占的面积，缩减拼接显示屏1000的拼缝宽度，进而提升拼接显示屏1000的显示质量。
42.所述衬底10包括但不限于玻璃基板，一般玻璃基板的厚度为0.5～0.7毫米，由于传统的金属磁控溅射耗时长，膜层粘附力差，金属很难在对应的既深又小的孔(孔深大于0.25毫米，孔宽小于100微米)内成膜，因此金属膜层无法穿过玻璃基板等衬底10实现上下连接而导通。而本发明实施例提供的第二信号线包括ito桥接线，利用溶液制程来制备ito桥接线，由于ito溶液的流平性，第一通孔101会被形成的ito膜层所填充，从而实现第二信号线20和第一信号线90的导通。
43.请参阅图2，所述第一信号线90包括但不限于所述显示面板100的扫描线91、数据线92中的至少一种。可以理解的是，所述第一通孔101开设在所述显示面板100任意需要开孔的位置，所述第一通孔101可阵列分布，也可散乱分布，不同位置的第一通孔101的深度可不相同。
44.在本发明的实施例中，所述第一通孔101可为圆形通孔，也可为锥形通孔。
45.请参阅图1和图5，多条所述扫描线91和多条所述数据线92相互交错而限定出多个子像素区域，每一子像素区域对应一个子像素(如r子像素、g子像素、b子像素)和至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极30与所述扫描线91电连接，所述薄膜晶体管的源极61与所述数据线92电连接，所述薄膜晶体管的漏极62与所述显示面板100的像素电极电连接。
46.在本发明的一些实施例中，所述扫描线91与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，所述数据线92与所述薄膜晶体管的源漏极层同层设置。
47.请参阅图4和图5，在本发明的实施例中，所述金属走线21设置于所述衬底10的第二侧，所述ito桥接线22设置于所述金属走线21背离所述衬底10的一侧，由于所述金属无法在孔深较深的第一通孔101内成膜，因此所述第一通孔101还贯穿所述金属走线21。在其他实施例中，所述ito桥接线22还可设置于所述金属走线21靠近所述衬底10的一侧，此种结构下，所述第一通孔101无需贯穿所述金属走线21，仅需在形成ito桥接线22的膜层后，直接在所述ito桥接线22上形成金属走线21的膜层。
48.请参阅图4和图5，所述第一通孔101的深度取决于所述第一信号线90所处的膜层位置，即取决于所述第一信号线90与所述衬底10之间的膜层厚度而定，所述第一通孔101除了贯穿所述衬底10以外，还贯穿所述衬底10与所述第一信号线90之间的膜层，以实现第一信号线90与第二信号线20的电连接。
49.当所述第一信号线90为扫描线91或者数据线92时，所述第一通孔101的深度取决于薄膜晶体管的类型。
50.请参阅图4，以非晶硅薄膜晶体管为例，所述显示面板100包括设置于所述衬底10第一侧的栅极30、设置于所述栅极30背离所述衬底10一侧的第一绝缘层40、设置于所述第一绝缘层40背离所述衬底10一侧的有源层50、设置于所述有源层50背离所述衬底10一侧的源漏极层、设置于所述源漏极层背离所述衬底10一侧的第二绝缘层70，以及设置于所述第二绝缘层70背离所述第二绝缘层70一侧的像素电极80。在其他实施例中，所述显示面板100的薄膜晶体管还可为低温多晶硅型或者氧化物型，薄膜晶体管可为底栅型也可为顶栅型，可为单栅型也可为双栅型，这里不做限制。
51.其中，所述扫描线91对应处的第一通孔101贯穿衬底10，ito桥接线22填充该第一通孔101，ito桥接线22电连接所述扫描线91与所述金属走线21。可以理解的是当扫描线92(栅极30)与所述衬底10之间设置有缓冲层、阻挡层等膜层时，所述第一通孔101还需贯穿这些膜层。
52.请参阅图5，所述数据线92对应处的第一通孔101依次贯穿所述有源层50、所述第一绝缘层40以及所述衬底10，所述ito桥接线22电连接所述数据线92与所述金属走线21。
53.请参阅图4和图5，在本发明的实施例中，所述第一通孔101所述衬底10上的正投影位于所述ito桥接线22在所述衬底10上的正投影内，即所述第一通孔101的开口宽度小于所述ito桥接线22的线宽。
54.在本发明的实施例中，所述ito桥接线22的线宽可与所述金属走线21的线宽保持相同，所述ito桥接线22的长度小于所述金属走线21的长度，所述ito桥接线22的长度不必设置的与金属走线21一样长，仅需稍大于第一通孔101的开口尺寸，起到导通作用便可。
55.所述金属走线21用于电连接至所述显示面板100的栅极驱动器或源极驱动器(图中未示出)，所述栅极驱动器和所述源极驱动器可设置于所述衬底10的第二侧，所述栅极驱
动器用于提供扫描信号，所述源极驱动器用于提供数据驱动信号。
56.当所述金属走线21与扫描线91电连接时，该金属走线21连接至所述源极驱动器；当所述金属走线21与所述数据线92电连接时，该金属走线21连接至所述源极驱动器。
57.在本发明的实施例中，所述栅极30、源极61、漏极62、扫描线91、数据线92以及金属走线21为高电导率的金属材料，如铝、铜等金属。
58.本发明实施例中的显示面板100可为液晶显示面板、mini led显示面板或micro led显示面板。
59.请参阅图6a至图6e，所述显示面板100的制备方法包括：在衬底10上形成第一通孔101；在衬底10的第一侧102形成第一信号线90；在衬底10的第二侧103形成金属走线21；在所述第一通孔101内填充ito桥接线22。
60.具体地，请参阅图6a，所述衬底10可为玻璃基板，通过激光钻孔等技术，在所述衬底10需要打孔的位置钻出贯通所述衬底10的第一通孔101，宽度为微米级(小于100微米)。
61.请参阅图6b，通过溅射沉积的方式在所述衬底10的第一侧102沉积第一金属层并进行图案化以形成扫描线91、栅极等图案；在所述衬底10的第二侧103溅射沉积第二金属层21’。由于玻璃基板的厚度较厚(0.5
‑
0.7mm)，上述方法形成的第一通孔101较小且深，此时溅射沉积的第一金属层和第二金属层21’无法在第一通孔101内成膜，因此第一金属层、第二金属层21’无法实现导通。而通过溶液法可制备高质量的ito薄膜，实现衬底10的双面导通。
62.请参阅图6c，ito深孔成膜的制程可采用溶液制程。在所述第二侧103涂布ito溶液，并经由低温烘烤得到ito膜层22’，由于ito溶液的流平特性，第一通孔101会被ito膜层22’填充，从而实现扫描线91与金属走线21的导通。
63.具体地，将ito晶粒、小分子有机相转移剂与ncs溶液混合以获得分散溶液，其中，所述小分子有机相转移剂的沸点范围为85℃～115℃，所述小分子有机相转移剂优先选自四丁基氢氧化铵；将所述分散溶液涂布于所述第二金属层上并进行烘烤，以去除所述小分子有机相转移剂，并获得均匀组装的ito晶粒；在惰性气氛中采用退火方式细化ito晶粒并获得ito薄膜，退火处理后得到的细化ito晶粒具有组织均匀、应力得到释放、以及材料的延伸性和韧性得到增加等优点。
64.上述涂布方式包括但不限于旋涂、刮涂；烘烤时间为90℃～130℃，烘烤时间为2～7分钟，优选地，烘烤时间为120℃，烘烤时间为五分钟；退火温度为280℃
‑
320℃，退火惰性气体可为ar 5％he，退火温度优选为300摄氏度，退火1小时，退火处理可提高ito导电率，实现衬底的双面膜层导通。
65.请参阅图6d，在所述ito膜层22’上形成图案化的光刻胶层200。请参阅图6e，通过黄光工艺对所述ito膜层22’、第二金属层21’进行刻蚀，形成预设的金属走线21和ito桥接线22的图案。
66.在背面(第二侧)的图案制作好后，可在正面(第一侧)继续制备薄膜晶体管器件，完成显示面板100的整个制备流程。
67.在其他实施例中，可在所述显示面板100的薄膜晶体管等器件制备完成后，再经涂布、烘烤、刻蚀、退火处理形成ito桥接线22。在形成薄膜晶体管器件的过程中，在相应位置形成过孔以连通第一通孔101，使ito膜层可跨过多层膜层连通第数据线92等信号线。
68.本发明提供的显示面板及拼接显示屏，包括衬底和位于衬底两侧的第一信号线和金属走线，在衬底上设置通孔，使得ito薄膜可形成在通孔内，作为桥接层来桥接第一信号线和金属线，从而实现显示面板的双面走线制程，缩减边框面积；此外，利用目前生产线设备便可实现显示面板的双面制程的深孔成膜工艺，生产效率高。
69.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
70.以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及拼接显示屏进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。