半导体结构及其形成方法本技术是申请日为2016年9月27日的pct国际专利申请pct/us2016/054018的中国国家阶段专利申请201680055260.6的分案申请,并要求2015年12月22日提交的美国临时专利申请62/271,210以及2016年9月19日提交的美国非临时专利申请15/269,041、15/269,112、15/269,294、15/268,946和15/269,017的优先权。2.相关申请的交叉引用3.本技术要求于以下申请的优先权:2015年12月22日提交的美国临时申请序列