发声装置用振膜、发声装置和电子设备的制作方法

摘要: 本申请属于电声,并具体涉及一种发声装置用振膜、发声装置和电子设备。背景技术:1、热塑性聚氨酯(tpu)凭借声学表现优异、成本可控的综合优势,现已成为微型扬声器振...
发声装置用振膜、发声装置和电子设备的制作方法

本申请属于电声,并具体涉及一种发声装置用振膜、发声装置和电子设备。

背景技术:

1、热塑性聚氨酯(tpu)凭借声学表现优异、成本可控的综合优势,现已成为微型扬声器振膜的主流选材。但当前商业化tpu振膜体系存在显著的性能制衡矛盾:若要保障微型扬声器低温工况下的正常使用,需选用玻璃化转变温度更低的tpu原料;但该选型会同步造成材料阻尼性能劣化,加剧高频失真问题,同时材料模量降低,大幅约束振膜结构优化设计空间。因此,现有扬声器用振膜仍有待改进。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种发声装置用振膜、发声装置和电子设备,本申请的发声装置用振膜通过在tpu基体中添加改性碳酸钙,并精准调控改性碳酸钙的粒径尺寸、添加量,多重协同作用同步提升振膜的模量、阻尼与低温耐受性能。

2、本申请第一方面提供了一种发声装置用振膜,其包括至少一层复合材料薄膜,所述复合材料薄膜包括热塑性聚氨酯基膜以及分散于所述热塑性聚氨酯基膜内的改性颗粒,

3、所述改性颗粒包括改性碳酸钙,所述改性碳酸钙中的钙含量>38wt%,所述改性颗粒占单层所述复合材料薄膜质量的质量百分比为0.5wt%~40wt%,所述改性颗粒的粒径≤20μm且不为0;所述振膜的谐振频率相对变化率满足:<1;其中,表示为振膜在-10℃条件下的谐振频率;表示为振膜在23℃条件下的谐振频率。

4、在本申请的一些实施方式中,所述热塑性聚氨酯基膜的玻璃化转变温度≤-30℃。

5、在本申请的一些实施方式中,所述改性碳酸钙的吸油值<25g/100g。

6、在本申请的一些实施方式中,所述改性碳酸钙是通过如下至少一种改性方式处理碳酸钙原料得到:硬脂酸改性、铝酸酯改性、钛酸酯改性或硅烷偶联剂改性。

7、在本申请的一些实施方式中,所述碳酸钙原料包括重质碳酸钙、轻质碳酸钙、纳米碳酸钙中的至少一种。

8、在本申请的一些实施方式中,单层所述复合材料薄膜的断裂伸长率≥300%。

9、在本申请的一些实施方式中,单层所述复合材料薄膜的3%割线模量为15mpa~150mpa。

10、在本申请的一些实施方式中,单层所述复合材料薄膜在-20℃~10℃区间内任意温度下的储能模量变化率≤10%。

11、在本申请的一些实施方式中,单层所述复合材料薄膜的23℃损耗因子>0.1。

12、在本申请的一些实施方式中,所述振膜形成为复合层结构,其中,所述复合层结构包括至少一层所述复合材料薄膜。

13、在本申请的一些实施方式中,所述复合层结构还包括复合连接层,所述复合连接层与所述复合材料薄膜层叠设置,所述复合连接层为聚氨酯薄膜、热塑性聚酯弹性体薄膜、聚醚醚酮薄膜、硅橡胶薄膜、丙烯酸酯橡胶薄膜、乙烯-丙烯酸酯橡胶薄膜、丙烯酸压敏胶薄膜、有机硅压敏胶中的一种或多种。

14、本申请第二方面还提供了一种发声装置,其包括本申请第一方面所述的发声装置用振膜。

15、本申请第三方面还提供了一种电子设备,其包括本申请第一方面所述的发声装置用振膜或者本申请第二方面所述的发声装置。

16、本申请中通过在tpu基体中添加改性碳酸钙,改性碳酸钙中的钙含量>38wt%,改性颗粒占单层复合材料薄膜质量的质量百分比为0.5wt%~40wt%,改性颗粒的粒径≤20μm且不为0,通过精准调控改性碳酸钙的粒径尺寸、添加量,多重协同作用实现三重性能突破:一是可控调节复合材料薄膜模量,拓宽振膜厚度与腔体结构的设计空间;二是提升体系阻尼性能,优化发声音质,同时丰富振膜结构设计方案;三是保留基材优异耐低温性能,无需在失真表现、结构自由度与产品可靠性之间做出取舍。如此获得同步提升模量、阻尼与低温耐受性的振膜。

17、上述说明仅是本申请技术方案的概述,为了能够更清楚了解本申请的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本申请的具体实施方式。

1.一种发声装置用振膜,其特征在于,包括至少一层复合材料薄膜,所述复合材料薄膜包括热塑性聚氨酯基膜以及分散于所述热塑性聚氨酯基膜内的改性颗粒,

2.如权利要求1所述的发声装置用振膜,其特征在于,所述热塑性聚氨酯基膜的玻璃化转变温度≤-30℃。

3.如权利要求1所述的发声装置用振膜,其特征在于,所述改性碳酸钙的吸油值<25g/100g。

4.如权利要求1所述的发声装置用振膜,其特征在于,所述改性碳酸钙是通过如下至少一种改性方式处理碳酸钙原料得到:

5.如权利要求4所述的发声装置用振膜,其特征在于,所述碳酸钙原料包括重质碳酸钙、轻质碳酸钙、纳米碳酸钙中的至少一种。

6.如权利要求1所述的发声装置用振膜,其特征在于,单层所述复合材料薄膜的断裂伸长率≥300%;

7.如权利要求1所述的发声装置用振膜,其特征在于,单层所述复合材料薄膜在-20℃~10℃区间内任意温度下的储能模量变化率≤10%;

8.如权利要求1所述的发声装置用振膜,其特征在于,所述振膜形成为复合层结构,其中,

9.一种发声装置,其特征在于,包括权利要求1~8中任一项所述的发声装置用振膜。

10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1~8中任一项所述的发声装置用振膜或者权利要求9所述的发声装置。