优化闪存颗粒的方法和相关装置与流程

本申请涉及存储，尤其涉及一种优化闪存颗粒的方法和相关装置。

背景技术：

1、具有高读写（input/output，i/o）速率闪存颗粒通常会给用户带来更好的用户体验。提升非易失性闪存接口（nand flash interface，nfi）的总线速率是提升i/o速率的一种有效方式。然而，随着nfi总线速率的提升，理想数据宽度随之下降，从而导致总线链路可靠性降低，造成数据丢失等故障。

2、对于nfi总线出现单通道单比特误码的解决方案是重新发送出现误码的通道的数据。但是随着nfi总线通道数目的增加，出现单比特误码的概率也随之增加。而且重发数据会严重影响闪存颗粒的读写性能，降低用户体验。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种优化闪存颗粒的方法和相关装置，可以在不掉盘的情况下，对nfi总线中的部分通道进行优化。

2、第一方面，本申请实施例提供一种优化闪存颗粒的方法，该方法包括：在该闪存颗粒的业务运行过程中，挂起该闪存颗粒的非易失性闪存接口nfi总线中的n个通道，其中n为大于或等于1且小于或等于该nfi总线中的通道总数的整数；从该n个通道中确定至少一个待优化通道；根据该至少一个待优化通道中的每个待优化通道的训练数据，确定该每个待优化通道的优化参数；根据该每个待优化通道的优化参数，对该每个待优化通道进行优化。

3、上述技术方案可以在闪存颗粒正常运行过程中，对nfi总线中的部分通道进行优化。换句话说，另一部分通道可以保持正常工作状态。这样，可以实现在不掉盘的情况下对nfi总线通道进行优化。

4、结合第一方面，在第一方面的一种可能的实现方式中，该从n个通道中确定至少一个待优化通道，包括：对该n个通道中的第n个通道进行裕量测试，得到该第n个通道的裕量，n依次取1至n的整数；确定该第n个通道的裕量是否满足裕量条件，该裕量条件包括时序裕量条件和电压裕量条件中的至少一个；若该第n个通道的裕量不满足该裕量条件，则确定该第n个通道属于该待优化通道。

5、上述技术方案可以判断出需要进行优化的通道，从而为后续优化做好准备。

6、结合第一方面，在第一方面的一种可能的实现方式中，该优化参数包括读优化电压和写优化电压，该每个待优化通道的训练数据包括该每个待优化通道的k个读裕量和k个写裕量，k为大于1的正整数，该根据该至少一个待优化通道中的每个待优化通道的训练数据，确定该每个待优化通道的优化参数，包括：确定该k个读裕量的平均值为该读优化电压；确定该k个写裕量的平均值为该写优化电压。

7、通过确定的读优化参数，可以对通道的读参考电压进行优化；相应的，通过确定的写优化参数，可以对通道的写参考电压进行优化。通过优化读参考电压和写参考电压，可以降低闪存控制器与nand flash颗粒之间传输出错的概率，提高存储性能。

8、结合第一方面，在第一方面的一种可能的实现方式中，该k个读裕量为k个读时序裕量，该k个写裕量为k个写时序裕量，该k个读时序裕量与k个电压档位一一对应，该k个写时序裕量与该k个电压档位一一对应，该读优化电压通过以下公式确定：

9、

10、其中vrx_best表示该读优化电压，vk表示该k个电压档位中的第k个电压档位，trx1表示该k个读时序裕量中的第k个读时序裕量，k=1，…，k；该写优化电压通过以下公式确定：

11、，其中vtx_best表示该写优化电压，vk表示该k个电压档位中的第k个电压档位，ttx1表示该k个写时序裕量中的第k个写时序裕量。

12、结合第一方面，在第一方面的一种可能的实现方式中，该k个读裕量为k个读电压裕量，该k个写裕量为k个写电压裕量，该k个读电压裕量与k个数据锁存信号dqs延时档位一一对应，该k个写电压裕量与该k个dqs延时档位一一对应，该读优化电压为该k个读电压裕量的算数平均值，该写优化电压为该k个写电压裕量的算数平均值。

13、结合第一方面，在第一方面的一种可能的实现方式中，该优化参数包括读优化dqs时序优化参数和写优化dqs时序优化参数，该每个待优化通道的训练数据包括读方向训练数据和写方向训练数据，该根据该至少一个待优化通道中的每个待优化通道的训练数据，确定该每个待优化通道的优化参数，包括：根据该读方向训练数据，确定该读优化dqs时序优化参数，该读方向训练数据包括通过读方向时序训练得到的左边界和右边界，该读优化dqs时序优化参数用于调整dqs的延迟线至第一中心位置，该第一中心位置为该通过读方向时序训练得到的左边界和右边界的平均值；根据该写方向训练数据，确定该写优化dqs时序优化参数，该写方向训练数据包括通过写方向时序训练得到的左边界和右边界，该写优化dqs时序优化参数用于调整dqs的延迟线至第二中心位置，该第二中心位置为该通过写方向时序训练得到的左边界和右边界的平均值。

14、上述方案中通过调整dqs信号的延迟线的位置，可以达到优化时序裕量的目的，使得接收端信号的时序裕量有效宽度最大、建立时间和保持时间裕量最大，从而满足规格要求，避免读写数据时出现误码，导致数据丢失。

15、第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，该电子设备包括用于实现第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式的单元。

16、第三方面，本申请实施例提供一种固态硬盘，包括：ssd控制器，该ssd控制器通过非易失性闪存接口总线与闪存耦合，该ssd控制器还用于与存储器耦合，读取并执行该存储器中的指令和/或程序代码，以执行第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式。

17、第四方面，本申请实施例提供一种芯片系统，该芯片系统包括逻辑电路，该逻辑电路用于与输入/输出接口耦合，通过该输入/输出接口传输数据，以执行第一方面或第一方面任一种可能的实现方式。

18、第五方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有程序代码，当该计算机存储介质在计算机上运行时，使得计算机执行如第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式。

19、第六方面，本申请实施例提供一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括：计算机程序代码，当该计算机程序代码在计算机上运行时，使得该计算机执行如第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式。

1.一种非易失性闪存接口nfi的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述触发条件基于对所述nfi总线的监测数据确定，所述监测数据包括以下至少一项：温度、湿度、工作电压、数据传输量，或所述nfi总线的当前状态。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述监测数据包含温度，且当监测到的温度大于温度上限或小于温度下限时，确定满足所述触发条件。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述裕量测试包括时序裕量测试和/或电压裕量测试。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对nfi总线执行裕量测试，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述n个读方向时序裕量和所述n个写方向时序裕量确定所述nfi总线是否通过所述裕量测试，包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述启动对所述nfi总线的接口重训练，包括：

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述启动对所述nfi总线的接口重训练，包括：

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断是否满足触发条件，还包括：

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述nfi总线执行裕量测试，包括：

12.一种固态硬盘ssd，其特征在于，包括：ssd控制器，所述ssd控制器通过非易失性闪存接口nfi总线与闪存耦合，所述ssd控制器与存储器耦合，并用于执行如权利要求1-11中任一项所述的方法。

13.一种芯片系统，其特征在于，包括：逻辑电路，所述逻辑电路用于与输入/输出接口耦合，通过所述输入/输出接口传输数据，以执行如权利要求1-11中任一项所述的方法。

14.一种计算机可读介质，其特征在于，所述计算机可读介质存储有程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得计算机执行如权利要求1-11中任一项所述的方法。