射频开关的制作方法

技术特征：
1.一种射频开关，包括：开关晶体管；以及偏置晶体管，包括彼此连接的体端子和第一端子，具有二极管连接结构，并且所述偏置晶体管被配置为向所述开关晶体管的体端子提供与施加到所述开关晶体管的控制端子的电压相对应的第一电流。2.如权利要求1所述的射频开关，所述射频开关还包括：阻抗元件，连接在所述开关晶体管的第一端子与地之间，并且为所述第一电流提供电流路径。3.如权利要求1所述的射频开关，所述射频开关还包括：阻抗元件，连接在所述开关晶体管的第二端子与地之间，并且为所述第一电流提供电流路径。4.如权利要求2所述的射频开关，其中，所述阻抗元件包括电阻器、电感器和二极管中的至少一者。5.如权利要求2所述的射频开关，其中，按照所述开关晶体管的所述控制端子、所述偏置晶体管、所述开关晶体管的所述体端子、所述开关晶体管的所述第一端子、所述阻抗元件以及所述地的顺序形成所述第一电流的电流路径。6.如权利要求1所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管的所述第一端子是源极端子。7.如权利要求1所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管是p型晶体管。8.如权利要求7所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管的所述体端子连接到所述开关晶体管的所述体端子，以及所述偏置晶体管的第二端子和所述偏置晶体管的控制端子连接到所述开关晶体管的所述控制端子。9.如权利要求1所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管是n型晶体管。10.如权利要求9所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管的所述体端子连接到所述开关晶体管的所述控制端子，以及所述偏置晶体管的第二端子和所述偏置晶体管的控制端子连接到所述开关晶体管的所述体端子。11.如权利要求1所述的射频开关，其中，所述开关晶体管连接在第一端口与第二端口之间，所述射频开关还包括附加开关晶体管，所述附加开关晶体管连接在所述第二端口与地之间，并且当所述开关晶体管导通时，所述附加开关晶体管截止，以及通过连接在所述附加开关晶体管的第一端子与所述附加开关晶体管的第二端子之间的电阻器形成所述第一电流的电流路径。12.一种射频开关，包括：开关晶体管；以及
偏置晶体管，包括连接到所述开关晶体管的体端子的体端子、连接到所述开关晶体管的控制端子的控制端子，并且所述偏置晶体管被配置为向所述开关晶体管的所述体端子提供与施加到所述开关晶体管的所述控制端子的电压相对应的第一电流。13.如权利要求12所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管的所述体端子连接到所述偏置晶体管的第一端子，以及所述偏置晶体管的所述控制端子连接到所述偏置晶体管的第二端子。14.如权利要求13所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管是p型晶体管。15.如权利要求12所述的射频开关，所述射频开关还包括：阻抗元件，连接在所述开关晶体管的第一端子与地之间，并且为所述第一电流提供电流路径。16.如权利要求15所述的射频开关，其中，所述阻抗元件包括电阻器、电感器和二极管中的至少一者。17.如权利要求15所述的射频开关，其中，按照所述开关晶体管的所述控制端子、所述偏置晶体管、所述开关晶体管的所述体端子、所述开关晶体管的所述第一端子、所述阻抗元件以及所述地的顺序形成所述第一电流的电流路径。18.一种射频开关，包括：开关晶体管；以及偏置晶体管，包括连接到所述开关晶体管的控制端子的体端子、连接到所述开关晶体管的体端子的控制端子，并且所述偏置晶体管被配置为向所述开关晶体管的所述体端子提供与施加到所述开关晶体管的所述控制端子的电压相对应的第一电流。19.如权利要求18所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管的所述体端子连接到所述偏置晶体管的第一端子，以及所述偏置晶体管的所述控制端子连接到所述偏置晶体管的第二端子。20.如权利要求19所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管是n型晶体管。21.如权利要求18所述的射频开关，所述射频开关还包括：阻抗元件，连接在所述开关晶体管的第一端子与地之间，并且为所述第一电流提供电流路径。22.如权利要求21所述的射频开关，其中，所述阻抗元件包括电阻器、电感器和二极管中的至少一者。23.如权利要求21所述的射频开关，其中，按照所述开关晶体管的所述控制端子、所述偏置晶体管、所述开关晶体管的所述体端子、所述开关晶体管的所述第一端子、所述阻抗元件以及所述地的顺序形成所述第一电流的电流路径。24.一种射频开关，包括：开关晶体管；以及偏置晶体管，被配置为降低所述开关晶体管的体端子与所述开关晶体管的第一端子之
间的电压，并且所述偏置晶体管被配置为向所述开关晶体管的所述体端子提供与施加到所述开关晶体管的控制端子的电压相对应的第一电流。25.如权利要求24所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管包括彼此连接的体端子和第一端子，并且具有二极管连接结构。26.如权利要求24所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管包括连接到所述开关晶体管的所述体端子的体端子以及连接到所述开关晶体管的所述控制端子的控制端子。27.如权利要求24所述的射频开关，其中，所述偏置晶体管包括连接到所述开关晶体管的所述控制端子的体端子以及连接到所述开关晶体管的所述体端子的控制端子。28.如权利要求24所述的射频开关，所述射频开关还包括：阻抗元件，连接在所述开关晶体管的所述第一端子与地之间，并且为所述第一电流提供电流路径，其中，所述阻抗元件包括电阻器、电感器和二极管中的至少一者。

技术总结
本公开提供一种射频(RF)开关，所述射频开关包括：开关晶体管；以及偏置晶体管，包括彼此连接的体端子和第一端子，具有二极管连接结构，并且所述偏置晶体管被配置为向所述开关晶体管的体端子提供与施加到所述开关晶体管的控制端子的电压相对应的第一电流。控制端子的电压相对应的第一电流。控制端子的电压相对应的第一电流。


技术研发人员：赵炳学 黄圆善 许信行 姜童逸
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：2023.03.29
技术公布日：2023/10/19