一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路的制作方法

1.本实用新型属于一种可控硅保护电路，尤其是涉及一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路。


背景技术：

2.本实用新型涉及可控硅保护电路，具体涉及驱动加热，驱动电机等家电类产品的一种可控硅双重防失效保护应用电路。
3.现有可控硅失效保护电路，具体的为涉及驱动加热和驱动电机等家电类产品的可控硅失效保护电路，大都是采用硬件开关与可控硅串接，或者继电器与可控硅结合的方式。但是，这两种方案整机结构复杂，且电路使用器件较多，造成整体方案，成本较高，影响了大面积的推广。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，能够解决上述问题中的至少一个。
5.根据本实用新型的一个方面，提供了一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，包括第一组可控硅控制电路和第二组可控硅控制电路，第一组可控硅控制电路的一端与外接电源电连接，另一端与单片机的其中一个端口电连接，第二组可控硅控制电路的一端与第一组可控硅控制电路电连接，另一端与单片机的另一个端口电连接，外接负载与第二组可控硅控制电路电连接。
6.本实用新型的有益效果是：通过设有第一组可控硅控制电路和第二组可控硅控制电路，分别与单片机的两个端口连接，在使用时，可以通过单片机的其中一个端口控制第一组可控硅，单片机的另一个端口控制第二组可控硅，使得其中一组可控硅在特殊情况下失效，另外一组可控硅也可受控，防止出现异常，实现保护功能；由此，该应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，可替代继电器或硬件开关，起有效降低可控硅失效与保护可控硅失效的作用，且电路简单，可以有效降低成本。
7.在一些实施方式中，第一组可控硅控制电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管和第一整流变压器，第一电阻的一端和第一整流变压器的一端均与外接电源连接，第一电阻的另一端和第一整流变压器的另一端均与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与第一三极管的集电极连接，第三电阻的一端和第四电阻的一端均与第一三极管的基极连接，第一三极管的发射极和第四电阻的另一端均接地，第三电阻的另一端与单片机的其中一个端口电连接。由此，通过上述各元件组成了第一组可控硅控制电路；第一电阻和第三电阻为抗干扰电阻，降低可控硅g极的触摸灵敏度，起抗干扰作用。
8.在一些实施方式中，第二组可控硅控制电路包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第二三极管和第二整流变压器，第五电阻的一端和第二整流变压器的一端均与第一整流变压器连接，第五电阻的另一端和第二整流变压器的另一端均与第六电阻的一端
连接，第六电阻的另一端与第二三极管的集电极连接，第七电阻的一端和第八电阻的一端均与第二三极管的基极连接，第二三极管的发射极和第八电阻的另一端均接地，第七电阻的另一端与单片机的另一个端口电连接。由此，通过上述各元件组成了第二组可控硅控制电路；第五电阻和第七电阻为抗干扰电阻，降低可控硅g极的触摸灵敏度，起抗干扰作用。
9.在一些实施方式中，第二整流变压器与外接负载电连接。由此，使得该电路与外接负载的正常连接。
10.在一些实施方式中，第一组可控硅控制电路的一端与交流火线连接，交流火线与单片机的供电线共线。由此，使得可控硅工作在2、3象限，避免可控硅工作在第4象限，提高可控硅的安全性。
附图说明
11.图1是本实用新型一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路的电路示意图。
具体实施方式
12.下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。
13.参照图1：一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，包括第一组可控硅控制电路和第二组可控硅控制电路，第一组可控硅控制电路的一端与外接电源电连接，另一端与单片机的其中一个端口电连接，第二组可控硅控制电路的一端与第一组可控硅控制电路电连接，另一端与单片机的另一个端口电连接，外接负载与第二组可控硅控制电路电连接。本实用新型中“连接”和“电连接”均为通过导线电连接；单片机的其中一个端口在说明书附图中的标记为“h1”，单片机的另一个端口在说明书附图中的标记为“h2”。
14.第一组可控硅控制电路包括第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、第一三极管q1和第一整流变压器tr1，第一电阻r1的一端和第一整流变压器tr1的一端均与外接电源连接，第一电阻r1的另一端和第一整流变压器tr1的另一端均与第二电阻r2的一端连接，第二电阻r2的另一端与第一三极管q1的集电极连接，第三电阻r3的一端和第四电阻r4的一端均与第一三极管q1的基极连接，第一三极管q1的发射极和第四电阻r4的另一端均接地，第三电阻r3的另一端与单片机的其中一个端口电连接。
15.第二组可控硅控制电路包括第五电阻r5、第六电阻r6、第七电阻r7、第八电阻r8、第二三极管q2和第二整流变压器tr2，第五电阻r5的一端和第二整流变压器tr2的一端均与第一整流变压器tr1连接，第五电阻r5的另一端和第二整流变压器tr2的另一端均与第六电阻r6的一端连接，第六电阻r6的另一端与第二三极管q2的集电极连接，第七电阻r7的一端和第八电阻r8的一端均与第二三极管q2的基极连接，第二三极管q2的发射极和第八电阻r8的另一端均接地，第七电阻r7的另一端与单片机的另一个端口电连接。
16.本实用新型的一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，通过设有两组可控硅控制电路，且分别与单片机的两个端口连接，在使用时，可以通过单片机的其中一个端口h1控制第一组可控硅，单片机的另一个端口h2控制第二组可控硅，使得其中一组可控硅在特殊情况下失效，另外一组可控硅也可受控，防止出现异常，实现保护功能，提高可靠性；由此，该应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，可替代继电器或硬件开关，起
有效降低可控硅失效与保护可控硅失效的作用，且电路简单，可以有效降低成本。
17.第二整流变压器tr2与外接负载电连接。其中，负载的一端与第二整流变压器tr2电连接，另一端与交流零线acn电连接，方便负载的连接安装。
18.第一组可控硅控制电路的一端与交流火线acl连接，交流火线acl与单片机的5v供电线共线。由此，使得可控硅工作在2、3象限，避免可控硅工作在第4象限，提高可控硅的安全性。
19.以上的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，其特征在于，包括第一组可控硅控制电路和第二组可控硅控制电路，所述第一组可控硅控制电路的一端与外接电源电连接，另一端与单片机的其中一个端口电连接，所述第二组可控硅控制电路的一端与第一组可控硅控制电路电连接，另一端与单片机的另一个端口电连接，外接负载与第二组可控硅控制电路电连接。2.根据权利要求1所述的一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，其特征在于，所述第一组可控硅控制电路包括第一电阻(r1)、第二电阻(r2)、第三电阻(r3)、第四电阻(r4)、第一三极管(q1)和第一整流变压器(tr1)，所述第一电阻(r1)的一端和第一整流变压器(tr1)的一端均与外接电源连接，所述第一电阻(r1)的另一端和第一整流变压器(tr1)的另一端均与第二电阻(r2)的一端连接，所述第二电阻(r2)的另一端与第一三极管(q1)的集电极连接，所述第三电阻(r3)的一端和第四电阻(r4)的一端均与第一三极管(q1)的基极连接，所述第一三极管(q1)的发射极和第四电阻(r4)的另一端均接地，所述第三电阻(r3)的另一端与单片机的其中一个端口电连接。3.根据权利要求2所述的一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，其特征在于，所述第二组可控硅控制电路包括第五电阻(r5)、第六电阻(r6)、第七电阻(r7)、第八电阻(r8)、第二三极管(q2)和第二整流变压器(tr2)，所述第五电阻(r5)的一端和第二整流变压器(tr2)的一端均与第一整流变压器(tr1)连接，所述第五电阻(r5)的另一端和第二整流变压器(tr2)的另一端均与第六电阻(r6)的一端连接，所述第六电阻(r6)的另一端与第二三极管(q2)的集电极连接，所述第七电阻(r7)的一端和第八电阻(r8)的一端均与第二三极管(q2)的基极连接，所述第二三极管(q2)的发射极和第八电阻(r8)的另一端均接地，所述第七电阻(r7)的另一端与单片机的另一个端口电连接。4.根据权利要求3所述的一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，其特征在于，所述第二整流变压器(tr2)与外接负载电连接。5.根据权利要求1～4任一项所述的一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，其特征在于，所述第一组可控硅控制电路的一端与交流火线(acl)连接，所述交流火线(acl)与单片机的供电线共线。

技术总结
本实用新型公开了一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，包括第一组可控硅控制电路和第二组可控硅控制电路，第一组可控硅控制电路的一端与外接电源连接，另一端与单片机的其中一个端口连接，第二组可控硅控制电路的一端与第一组可控硅控制电路连接，另一端与单片机的另一个端口电连接，外接负载与第二组可控硅控制电路电连接。在使用时，可以通过单片机的两个端口分别控制两组可控硅，使得其中一组可控硅在失效时，另外一组可控硅也可受控，防止出现异常，实现保护功能；由此，该应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，可替代继电器或硬件开关，起有效降低可控硅失效与保护可控硅失效的作用，且电路简单，可以有效降低成本。降低成本。降低成本。


技术研发人员：李久刚 郭友才
受保护的技术使用者：广东翰唐智控有限公司
技术研发日：2021.06.10
技术公布日：2021/11/15